power. Different experiments were c

power. Different experiments were conducted to measure the
circuit’s parameters and influence of the RF Power Source
(Anritsu MG3700A). The output power around the resistive
load was measured using Keithley 6485 Picometer and 2182A
Nano-Voltmeter. Experimental setup for testing two parallel
schottky diode based circuits is shown in Figure 6.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พลังงาน ได้ดำเนินการทดลองแตกต่างกันในการวัดพารามิเตอร์ของวงจรและอิทธิพลของแหล่งพลังงาน RF(Anritsu MG3700A) พลังงานออกมาทั่วใบหน้าโหลดถูกวัดโดยใช้ Keithley 6485 Picometer และ 2182Aนาโน-Voltmeter ติดตั้งทดลองทดสอบสองขนานวงจรไดโอดที่ใช้ schottky จะแสดงในรูปที่ 6

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อำนาจ การทดลองที่แตกต่างกันได้ดำเนินการในการวัด
ค่าพารามิเตอร์ของวงจรและอิทธิพลของแหล่งพลังงาน RF
(อันริตสึ MG3700A) อำนาจออกรอบทาน
โหลดถูกวัดโดยใช้ Keithley 6485 picometer และ 2182A
นาโนโวลต์มิเตอร์ การตั้งค่าการทดลองสำหรับการทดสอบทั้งสองขนาน
ไดโอด Schottky วงจรตามที่แสดงในรูปที่ 6

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อำนาจ การทดลองที่แตกต่างกัน มีวัตถุประสงค์เพื่อวัด
วงจรตัวแปรและอิทธิพลของพลังงาน RF แหล่ง
( อันริตสึ mg3700a ) พลังงานรอบโหลดเพลง
การวัดและคีธลี่ 6485 picometer 2182a
นาโนโวลต์มิเตอร์ . การติดตั้งแบบทดสอบคู่ขนาน
ไดโอดชอทท์กี้ตามวงจรที่แสดงในรูปที่ 6