The cross-sectionalmicrostructureso

The cross-sectionalmicrostructuresofamono-grainedCdSthin
film andofaCdTesolarcellfabricatedinourlaboratoryareshown
in Fig. 1. The5-mm-thick CdTeabsorberlayeriscomposedof
densely-packedCdTegrainswithdiametersof 1–3 mm, whichis
the optimumgrainsizeforhighefficient solarcellfabrication.The
CdS thin film consistsofamono-grainlayer.Suchamono-grain
layernotonlyenhanced Jsc but alsoallowedtheinter-diffusion
reactionattheCdS/CdTejunctioninterfacetobeundergood
control [6,7]. InaCdS/CdTesolarcell,duringthecell film deposi-
tion andpost-growthheattreatment,amixedCdSxTe1
x inter-
facial layerisformedattheCdS/CdTeinterfacethrough
interdiffusion.Thisinterfaciallayerisgenerallybelievedtobe
beneficial forthecellefficiency.Throughinterfaciallayerforma-
tion, thelargelatticemismatchbetweenCdSandCdTeandthe
defect densityattheinterfacecanbegreatlyrelievedandreduced.
The highcrystallineCdTequalityaswellasthewellformedCdTe/
CdS heterojunctionresultedinroutinefabricationofCdTecells
with energyconversionefficiency of 12%andashort-circuit
currentdensityashighas 22 mA/cm2 in ourlaboratory.
The schematicbandstructureandtheequivalentelectriccircuit
diagramofaCdS/CdTehetero-structuresolarcellareshownin
Fig. 2. Theequivalentelectriccircuitequationcanbedescribedas

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ข้าม sectionalmicrostructuresofamono grainedCdSthinฟิล์ม andofaCdTesolarcellfabricatedinourlaboratoryareshownในรูปที่ 1 CdTeabsorberlayeriscomposedof The5 มม.หนาpackedCdTegrainswithdiametersof หนาแน่น 1 – 3 มม. whichisoptimumgrainsizeforhighefficient solarcellfabrication การซีดีฟิล์ม consistsofamono-grainlayer Suchamono-ข้าวlayernotonlyenhanced Jsc แต่แพร่ alsoallowedtheinterreactionattheCdS/CdTejunctioninterfacetobeundergoodการควบคุม [6, 7] Deposi ฟิล์ม duringthecell InaCdS/CdTesolarcell -ทางการค้า andpost growthheattreatment, amixedCdSxTe1 x อินเตอร์-หน้า layerisformedattheCdS/CdTeinterfacethroughinterdiffusion Thisinterfaciallayerisgenerallybelievedtobeforthecellefficiency เป็นประโยชน์ Throughinterfaciallayerforma-ทางการค้า thelargelatticemismatchbetweenCdSandCdTeandthedensityattheinterfacecanbegreatlyrelievedandreduced ข้อบกพร่องHighcrystallineCdTequalityaswellasthewellformedCdTe /ซีดี heterojunctionresultedinroutinefabricationofCdTecellsกับ energyconversionefficiency ของวงจร andashort 12%currentdensityashighas 22 mA/cm2 ใน ourlaboratorySchematicbandstructureandtheequivalentelectriccircuit การdiagramofaCdS/CdTehetero-structuresolarcellareshowninรูป 2 Theequivalentelectriccircuitequationcanbedescribedas

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ข้าม sectionalmicrostructuresofamono-grainedCdSthin
ภาพยนตร์ andofaCdTesolarcellfabricatedinourlaboratoryareshown
ในรูป 1. The5 มมหนา CdTeabsorberlayeriscomposedof
หนาแน่น packedCdTegrainswithdiametersof? 1-3 มม whichis
optimumgrainsizeforhighefficient solarcellfabrication.The
ซีดีฟิล์มบาง consistsofamono-grainlayer.Suchamono เม็ด
layernotonlyenhanced Jsc แต่ alsoallowedtheinter แพร่
reactionattheCdS / CdTejunctioninterfacetobeundergood
ควบคุม [6,7] InaCdS / CdTesolarcell ฟิล์ม duringthecell deposi-
การ andpost-growthheattreatment, amixedCdSxTe1? x ระหว่าง
ใบหน้า forthecellefficiency.Throughinterfaciallayerforma- การ, thelargelatticemismatchbetweenCdSandCdTeandthe ข้อบกพร่อง densityattheinterfacecanbegreatlyrelievedandreduced. highcrystallineCdTequalityaswellasthewellformedCdTe / ซีดี heterojunctionresultedinroutinefabricationofCdTecells กับ energyconversionefficiency ของ? 12% ​​andashort วงจรcurrentdensityashighas 22 mA / cm2 ใน ourlaboratory. 2. Theequivalentelectriccircuitequationcanbedescribedas

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ข้าม sectionalmicrostructuresofamono grainedcdsthinandofacdtesolarcellfabricatedinourlaboratoryareshown ฟิล์มในรูปที่ 1 the5 มม. หนา cdteabsorberlayeriscomposedofมี packedcdtegrainswithdiametersof 1 – 3 มิลลิเมตร ซึ่งการ solarcellfabrication optimumgrainsizeforhighefficient .ซีดี consistsofamono-grainlayer.suchamono-grain ฟิล์มบาง ๆlayernotonlyenhanced JSC แต่ alsoallowedtheinter การแพร่reactionatthecds / cdtejunctioninterfacetobeundergoodควบคุม [ 6 , 7 ] inacds / cdtesolarcell เ - duringthecell , ภาพยนตร์andpost growthheattreatment amixedcdsxte1x tion , ระหว่างหน้า layerisformedatthecds / cdteinterfacethroughthisinterfaciallayerisgenerallybelievedtobe interdiffusion .forthecellefficiency.throughinterfaciallayerforma - ประโยชน์tion thelargelatticemismatchbetweencdsandcdteandtheข้อบกพร่อง densityattheinterfacecanbegreatlyrelievedandreduced .การ highcrystallinecdtequalityaswellasthewellformedcdte /ซีดี heterojunctionresultedinroutinefabricationofcdtecellsกับ energyconversionefficiency วงจร andashort 12 เปอร์เซ็นต์currentdensityashighas 22 มา / cm2 ใน ourlaboratory .การ schematicbandstructureandtheequivalentelectriccircuitdiagramofacds / cdtehetero structuresolarcellareshowninรูปที่ 2 theequivalentelectriccircuitequationcanbedescribedas