For the SC-TCD, two-step anisotrop

For the SC-TCD, two-step anisotropic etching of silicon is per-formed. First, a shallow depth of 2–3 m (Fig. 1 – b1) is achievedwhich prevents the contact between the metal interconnects onthe Borofloat wafer and the walls of the separation column in sil-icon upon bonding. Second, a 2 m long, 70 m wide and 240 mdeep channel is etched into silicon wafer (Fig. 1 – b2). TCD resis-tors are fabricated on a glass substrate using a lift-off process fora 40 nm/100 nm/25 nm Cr/Ni/Au stack deposited employing the e-beam evaporator. The glass and silicon substrates are then alignedand bonded together (Fig. 1 – b3). The heaters and temperaturesensors are fabricated on the backside of the chip using stainlesssteel shadow mask (Fig. 1 – b4). Afterwards, the capillary tubes areepoxied into the inlet/outlet ports. The chip is finally coated witha thin layer (∼250 nm) of OV-1 on the walls of the column channel(Fig. 1 – b5). An SEM image of the Tenax TA and OV-1 coating isFig

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับ SC-TCD สองขั้นตอนกัด anisotropic ซิลิคอนจะเกิดต่อ ครั้งแรก ความลึกตื้นของ 2 – 3 เมตร (Fig. 1 – b1) เป็น achievedwhich ป้องกันการติดต่อระหว่างโลหะเชื่อมต่อบนแผ่นเวเฟอร์ Borofloat และผนังของคอลัมน์แยกในภาษาศาสตร์ไอคอนตามงาน ที่สอง เป็น 2 เมตรยาว 70 m mdeep กว้าง และ 240 ช่องแกะสลักในแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอน (Fig. 1-บี 2) TCD resis tors fabricated บนพื้นผิวแก้วใช้กระบวนการ lift-off 100 ละ 40 nm nm/25 nm Cr Ni/อู แถวฝากใช้ evaporator อีบีม มีพื้นผิวแก้วและซิลิคอนแล้ว alignedand ยึดติดกัน (Fig. 1 – b3) เครื่องทำความร้อนและ temperaturesensors fabricated บนด้านหลังของชิพที่ใช้รูปแบบเงาจากคุณลักษณะนี้จึง (Fig. 1 – b4) ภายหลัง การแรงท่อ areepoxied ในพอร์ตทางเข้าของ/ร้าน ชิพจะสุดท้ายเคลือบ ด้วยบางชั้น (∼250 nm) OV-1 บนผนังของช่องคอลัมน์ (Fig. 1-b5) รูป SEM Tenax TA และ OV-1 เคลือบ isFig

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับ? SC-TCD, แกะสลัก anisotropic สองขั้นตอนของซิลิกอนเป็นต่อรูปแบบ ครั้งแรกที่ความลึกตื้น 2-3 m? (รูปที่ 1 -. b1) จะ achievedwhich ป้องกันไม่ให้การติดต่อระหว่างเชื่อมโลหะ onthe เวเฟอร์ Borofloat และผนังของคอลัมน์แยกใน SIL-ไอคอนตามพันธะ ? ประการที่สอง 2 เมตรยาว 70 เมตรและกว้าง 240 ช่อง mdeep ถูกฝังลงเวเฟอร์ซิลิกอน (รูปที่ 1 -. b2) TCD resis-tors ประดิษฐ์บนพื้นผิวแก้วโดยใช้เวทีกระบวนการยกออก 40 นาโนเมตร / 100 นาโนเมตร / 25 นาโนเมตร Cr / Ni / สแต็ค Au ฝากจ้างระเหย E-คาน พื้นผิวกระจกและซิลิกอนจะถูกผูกมัด alignedand ร่วมกัน (รูปที่ 1 -. b3) เครื่องทำความร้อนและ temperaturesensors ประดิษฐ์บนหลังของชิปใช้หน้ากากเงา stainlesssteel (รูปที่ 1 -. b4) หลังจากนั้นหลอดเส้นเลือดฝอย areepoxied เข้าขาเข้า / พอร์ตเต้าเสียบ ชิปเคลือบที่สุด witha ชั้นบาง ๆ (~250 นาโนเมตร) ของ OV-1 บนผนังของช่องคอลัมน์ (รูปที่ 1 -. b5) ภาพ SEM ของ TA Tenax และ OV-1 เคลือบ isFig

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับ  sc-tcd etching อุบสองขั้นตอนของซิลิกอนต่อรูปแบบ แรก , ความลึกตื้นของ 2 – 3  เมตร ( รูปที่ 1 ( B1 ) achievedwhich ป้องกันการสัมผัสระหว่างโลหะเชื่อมต่อเวเฟอร์ borofloat และผนังของการแยกคอลัมน์ในไอคอนซิลเมื่อ เชื่อม ประการที่สอง ยาว 2 เมตร กว้าง 70  240  mdeep ช่องฝังลงในแผ่นซิลิคอน ( รูปที่ 1 ( B2 )Tb รีซิซทอร์สจะประดิษฐ์บนพื้นผิวของกระจกที่ใช้ยกออกกระบวนการเวที 40 nm / 100 nm / 25 nm CR / ผม / AU กองฝากการ e-beam ระเหย แก้วและซิลิคอน พื้นผิว แล้ว alignedand ผูกพันกัน ( รูปที่ 1 ) B3 ) heaters temperaturesensors จะประดิษฐ์บนด้านหลังของชิปที่ใช้สเตนเลสแท้เงาหน้ากาก ( รูปที่ 1 ) B4 ) หลังจากนั้นเส้นเลือดฝอยในหลอด areepoxied ขาเข้า / ขาออกพอร์ต ชิปก็เคลือบชั้นบางๆ ( ∼ 250 nm ) ของ ov-1 บนผนังช่องคอลัมน์ ( รูปที่ 1 ) B5 ) เป็นภาพจากของ TA และ isfig เคลือบ ov-1 surigaoensis