Implementing the IGBT Model into aC

Implementing the IGBT Model into a
Circuit Simulator
Usually a netlist is employed in a circuit simulator such as
Saber to describe an electrical circuit. Each component of the
circuit is defined by a model template with the component
terminal connection and the model parameters values. While
The IGBT circuit model is generated by defining the
currents between terminal nodes as a nonlinear function of
component variables and their rate of change. An IGBT circuit
model is shown in Fig. 7.17. Compared to Fig. 7.16 the bipolar
transistor is replaced by the two base and collector-current
sources. There is a distributed voltage drop due to diffusion
and drift in the base regions. The drift terms in the ambipolar
diffusion equation depend on base and collector currents.
Therefore, both of these currents generate the resistive voltage
drop Vae and Rb is placed at the emitter terminal in the IGBT

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใช้แบบ IGBT เป็นการ
จำลองวงจร
ปกติ netlist เป็นลูกจ้างในการจำลองวงจรเช่น
กระบี่อธิบายวงจรไฟฟ้า ทุกองค์ประกอบของการ
วงจรจะถูกกำหนด โดยแม่แบบกับคอมโพเนนต์
เชื่อมต่อเทอร์มินัลและค่าพารามิเตอร์ของแบบจำลอง ในขณะที่
IGBT วงจรจำลองสร้างขึ้น โดยกำหนด
กระแสระหว่างโหนเทอร์มินัลเป็นฟังก์ชันไม่เชิงเส้นของ
ตัวแปรของส่วนประกอบและอัตราของการเปลี่ยนแปลง วงจรการ IGBT
รุ่นจะแสดง Fig. 7.17 เมื่อเทียบกับ Fig. 7.16 ไฟที่การไบโพลาร์
ทรานซิสเตอร์จะถูกแทนที่ โดยทั้งสองฐาน และรวบรวมปัจจุบัน
แหล่ง เป็นแรงดันกระจายเนื่องจากแพร่
และดริฟท์ในภูมิภาคพื้นฐาน เงื่อนไขดริฟท์ใน ambipolar
สมการการแพร่ขึ้นอยู่บนฐานและรวบรวมกระแส
ดังนั้น ทั้งกระแสเหล่านี้สร้างแรงดันหน้า
ปล่อย Vae และ Rb ที่ตัวส่งที่เทอร์มินัลใน IGBT

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การใช้ IGBT รุ่นเป็น
วงจรจำลอง
netlist ปกติเป็นลูกจ้างในการจำลองวงจรเช่น
ดาบที่จะอธิบายวงจรไฟฟ้า ส่วนประกอบของแต่ละ
วงจรถูกกำหนดโดยรูปแบบแม่แบบที่มีองค์ประกอบที่
เชื่อมต่อสถานีและรูปแบบค่าพารามิเตอร์ ในขณะที่
รูปแบบวงจร IGBT จะถูกสร้างขึ้นด้วยการกำหนด
กระแสระหว่างโหนดขั้วเป็นฟังก์ชันเชิงเส้นของ
ตัวแปรองค์ประกอบและอัตราของการเปลี่ยนแปลงของพวกเขา วงจร IGBT
รูปแบบที่แสดงในรูปที่ 7.17 เมื่อเทียบกับรูปที่ 7.16 ขั้ว
ทรานซิสเตอร์จะถูกแทนที่ด้วยสองฐานและนักสะสมในปัจจุบัน
แหล่งที่มา มีแรงดันไฟฟ้าที่ลดลงอันเนื่องมาจากการแพร่กระจายเป็น
และดริฟท์ในภูมิภาคฐาน ดริฟท์ในแง่ ambipolar
สมการการแพร่กระจายขึ้นอยู่กับฐานและนักสะสมกระแส
ดังนั้นทั้งสองกระแสเหล่านี้สร้างแรงต้านทาน
ลดลง Vae และ Rb ถูกวางไว้ที่สถานีอีซีแอลใน IGBT

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การใช้แบบจําลองวงจร IGBT เป็น

ปกติ Netlist นำมาจำลองวงจรเช่น
เซเบอร์อธิบายวงจรไฟฟ้า . แต่ละส่วนประกอบของ
วงจรจะถูกกำหนดโดยรูปแบบแม่แบบองค์ประกอบ
terminal การเชื่อมต่อและพารามิเตอร์ค่า ในขณะที่
วงจร IGBT แบบถูกสร้างขึ้นโดยการกำหนด
กระแสไฟฟ้าระหว่างขั้วโหนดเป็นฟังก์ชันเชิงเส้นของตัวแปรองค์ประกอบและ
อัตราการเปลี่ยนแปลงของ มีวงจร
IGBT แบบแสดงในรูปที่ 7.17 . เทียบกับรูปที่ 7.16 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์
ถูกแทนที่ด้วยสองฐานและแหล่งที่มาปัจจุบัน
สะสม มีการกระจายแรงดันตกเนื่องจากการแพร่กระจาย
และดริฟท์ในฐานภูมิภาค เงื่อนไขใน ambipolar
ดริฟท์สมการการแพร่ ขึ้นอยู่กับพื้นฐานและกระแสสะสม .
ดังนั้นทั้งสองกระแสเหล่านี้สร้างความต้านทานแรงดันไฟฟ้า
วางไวน์อยู่ที่ตัวส่งสัญญาณ และ RB ใน IGBT เทอร์มินัล