This enhancement of carrier concent

This enhancement of carrier concentration
leads to increase in the conductivity of the films. Also with
increasing the doping level more dopant atoms occupy the zinc lattice
sites results in the decrease in the electrical resistivity. In
Fig. 7a we have plotted the values of ln(R/R400) versus 1000/T
for all the Sn–ZnO films. From the plot the thermal activation energy
was calculated using Arrhenius formula

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเพิ่มประสิทธิภาพของความเข้มข้นของผู้ขนส่งนำไปสู่การเพิ่มขึ้นในการนำภาพยนตร์ นอกจากนี้ยังมีเพิ่มระดับ doping เพิ่มเติม dopant อะตอมครอบครองโครงตาข่ายประกอบสังกะสีอเมริกาที่เกิดการลดลงของความต้านทานไฟฟ้า ในเรามีพล็อตค่าของ ln(R/R400) เมื่อเทียบกับ 1000/T 7a fig.สำหรับทั้งหมด Sn – ZnO ฟิล์ม จากแผนพลังงานที่เปิดใช้งานความร้อนมีคำนวณโดยใช้สูตรอาร์เรเนียส

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเพิ่มประสิทธิภาพของความเข้มข้นให้บริการนี้
นำไปสู่การเพิ่มขึ้นในการนำของภาพยนตร์ ยังมี
การเพิ่มระดับยาสลบมากขึ้นสารเจือปืนครอบครองตาข่ายสังกะสี
ผลเว็บไซต์ในการลดลงของความต้านทานไฟฟ้า ใน
รูป 7a เราได้พล็อตค่าของ ln (R / R400) เมื่อเทียบกับ 1,000 / T
สำหรับทุกภาพยนตร์ SN-ZnO จากพล็อตพลังงานกระตุ้นความร้อน
ที่คำนวณโดยใช้สูตร Arrhenius

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้การเพิ่มความเข้มข้นของสารตัวพา
นำไปสู่การเพิ่มในค่าการนำไฟฟ้าของฟิล์ม ด้วยการเติมอะตอมโคบอลต์
เพิ่มระดับมากขึ้น ใช้สังกะสีตาข่าย
เว็บไซต์ผลในการลดลงในค่าความต้านทานทางไฟฟ้า ในรูปที่เราได้วางแผน
7A ค่า ln ( R / r400 ) เมื่อเทียบกับ 1 , 000 / T
สำหรับ SN –ซิงค์ออกไซด์ฟิล์ม จากแปลงความร้อนกระตุ้นพลังงาน
คำนวณได้โดยใช้สูตรของ