Transient thermal impedance from th

Transient thermal impedance from the junction to the case Z,JC is used to
determine the change in junction temperature due to momentary changes in
absorbed power. Manufacturers typically supply transient thermal impedance
information on datasheets. Figure 10-24 shows a graphical representation of Z,JC
as well as the RC equivalent circuit representation for the junction to case for the
IRF4104 MOSFET. Transient thermal impedance is also denoted as Zth.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชั่วคราวความร้อนความต้านทานจากการเชื่อมต่อกับกรณี Z เจซีจะใช้ในการตรวจสอบการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิเชื่อมต่อเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงชั่วขณะดูดพลังงาน ผู้ผลิตมักจะใส่ความต้านทานความร้อนแบบฉับพลันข้อมูลบนแผ่นข้อมูล รูปที่ 10-24 แสดงภาพของ Z เจซีรวมทั้งนำเสนอวงจร RC เท่าสำหรับเชื่อมต่อกับกรณีIRF4104 มอสเฟต นอกจากนี้ยังสามารถระบุมีการต้านทานความร้อนแบบฉับพลันเป็น Zth

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความต้านทานความร้อนชั่วคราวจากทางแยกกับกรณี Z, เจซีจะใช้ในการ
ตรวจสอบการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิทางแยกเนื่องจากมีการเปลี่ยนแปลงในชั่วขณะ
อำนาจดูดซึม ผู้ผลิตมักจะจัดหาความต้านทานความร้อนชั่วคราว
ข้อมูลเกี่ยวกับเอกสารข้อมูลทางเทคนิค รูปที่ 10-24 แสดงให้เห็นถึงการแสดงกราฟิกของซีเจซี
เช่นเดียวกับการแสดงวงจรสมมูล RC สำหรับทางแยกกับกรณีสำหรับ
IRF4104 MOSFET ความต้านทานความร้อนชั่วคราวจะแสดงเป็น Zth

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มีความต้านทานความร้อนจากชุมทางคดี Z , JC ใช้

หาเปลี่ยนอุณหภูมิเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงชั่วขณะใน
ดูดซึมพลังงานชุมทาง ผู้ผลิตมักจะใส่ข้อมูลค่า
ความร้อนชั่วคราวในเอกสารข้อมูล รูปแสดงการเป็นตัวแทนของ 10-24% Z , JC
เป็น RC วงจรสมมูลแทนแยกให้สำหรับกรณี
irf4104 MOSFET . ความร้อนแบบชั่วคราวยังกล่าวคือเป็น zth .