Using the X-FAB 1μm SOI-CMOS proces

Using the X-FAB 1μm SOI-CMOS process, a 50pF
capacitor constructed in a poly1-met1-met2-met3 structure,
requires an area of about 0.32mm2. Compared with the
conventional 1μF blocking capacitor, the capacitance is 20000
times smaller. Fig. 7 shows the layout of a two-channel
stimulator output stage using the proposed circuit. The X×Y
silicon area is 1.25×0.8mm2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โดยใช้กระบวนการ X-FAB 1μm ซอย CMOS, 50pF การตัวเก็บประจุสร้างในโครงสร้าง poly1-met1-met2-met3ต้องการพื้นที่เกี่ยวกับ 0.32mm2 เมื่อเทียบกับการ1μF ปกติบล็อกตัวเก็บประจุ ค่าความจุเป็น 20000เวลาที่มีขนาดเล็ก Fig. 7 แสดงแบบสองช่องสัญญาณใช้วงจรเสนอขั้นผลผลิตเครื่องกระตุ้น X × Yซิลิคอนเป็น 1.25 × 0.8 มม. 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยใช้กระบวนการ X-FAB 1μmซอย-CMOS เป็น 50pF
เก็บประจุสร้างโครงสร้าง poly1-met1-met2-met3,
ต้องใช้พื้นที่ประมาณ 0.32mm2 เมื่อเทียบกับการชุมนุม1μFเก็บประจุปิดกั้นความจุเป็น 20,000 ครั้งมีขนาดเล็ก มะเดื่อ. 7 แสดงให้เห็นถึงรูปแบบของสองช่องทางขั้นตอนการส่งออกกระตุ้นโดยใช้วงจรที่นำเสนอ เอ็กซ์× Y พื้นที่ซิลิคอนคือ 1.25 × 0.8mm2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การใช้ x-fab 1 μ M soi-cmos กระบวนการ 50pf
ตัวเก็บประจุที่สร้างขึ้นในโครงสร้าง poly1-met1-met2-met3
, ต้องใช้พื้นที่ประมาณ 0.32mm2 . เมื่อเทียบกับแบบ 1 μ F
ปิดกั้นประจุ , ความจุ 20 , 000
ครั้ง ขนาดเล็ก รูปที่ 7 แสดงแผนผังของสองช่อง
กระตุ้นผลผลิตขั้นโดยใช้วงจร . X × Y
ซิลิคอนพื้นที่ 50 × 0.8mm2 .