To test this concept, the electrica

To test this concept, the electrical characteristics of the DMFET in which the nanogap is filled with a weak dielectric (low-k) material were simulated using the ATLAS software

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อทดสอบแนวคิดนี้ ลักษณะไฟฟ้าของ DMFET ที่ nanogap เต็มไป ด้วยวัสดุ (ต่ำ-k) เป็นฉนวนที่อ่อนแอถูกจำลองโดยใช้ซอฟต์แวร์แอตลาส

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อทดสอบแนวคิดนี้ลักษณะไฟฟ้าของ DMFET ซึ่ง nanogap ที่เต็มไปด้วยอิเล็กทริกที่อ่อนแอ (ต่ำ k) วัสดุที่ถูกกุขึ้นโดยใช้ซอฟต์แวร์ ATLAS

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อทดสอบแนวคิดนี้ คุณลักษณะทางไฟฟ้าของ dmfet ซึ่ง nanogap เต็มไปด้วยแรงไดอิเล็กตริก ( low-k ) วัสดุ ) ใช้งานซอฟต์แวร์