The high air–InN and/or high oxide/

The high air–InN and/or high oxide/InN contrast in refractive index is therefore very attractive for photonic bandgap design [2].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อากาศ – อินน์สูง/ สูงคมชัดออกไซด์/อินน์ในดรรชนีจึงน่าสนใจมากสำหรับ photonic bandgap ออกแบบ [2]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อากาศ-Inn สูงและ / หรือออกไซด์สูง / ความคมชัดอินน์ดัชนีหักเหดังนั้นจึงเป็นเรื่องที่น่าสนใจมากสำหรับการออกแบบโทนิค bandgap [2]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สูงอากาศ–อินน์และ / หรือความคมชัดสูงออกไซด์ / โรงแรมในดัชนีหักเหจึงเป็นเรื่องที่น่าสนใจสำหรับการออกแบบ bandgap โฟโตนิกส์ [ 2 ]