The Raman scattering measurement wa

The Raman scattering measurement was recorded in the
backscattering geometry with an unpolarized light source, as
shown in Fig. 2. The most intense peak located at 520 nm comes
from the Si substrate. The peak at 437 cm−1 corresponds to a nonpolar
optical phonon E2 (high) of wurtzite ZnO, and it is an important
characteristic feature of the hexagonal phase ZnO. The peak at
582 cm−1 is attributed to the E1 (LO) mode of the hexagonal ZnO.
This peak is associated with the oxygen deficiency

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วัด scattering รามันถูกบันทึกไว้ในbackscattering เรขาคณิตกับแสง unpolarized เป็นแสดงใน Fig. 2 สูงสุดรุนแรงที่สุดอยู่ที่ 520 nm มาจากพื้นผิวของซี สูงสุดที่ 437 cm−1 สอดคล้องกับที่ nonpolarแสง phonon E2 (สูง) ของ wurtzite ZnO และสำคัญคือคุณสมบัติลักษณะของ ZnO ระยะหกเหลี่ยม สูงสุดที่582 cm−1 ถูกบันทึกไปยังโหมด E1 (หล่อ) ของ ZnO หกเหลี่ยมช่วงนี้จะเกี่ยวข้องกับการขาดออกซิเจน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การวัดการกระเจิงรามันได้รับการบันทึกในรูปทรงเรขาคณิต backscattering ที่มีแหล่งกำเนิดแสง unpolarized เช่นแสดงในรูป 2. ยอดที่รุนแรงที่สุดอยู่ที่ 520 นาโนเมตรมาจากพื้นผิวศรี ยอดเขาที่ 437 ซม-1 สอดคล้องกับ nonpolar phonon แสง E2 (สูง) ของ wurtzite ซิงค์ออกไซด์และมันเป็นสิ่งที่มีความสำคัญลักษณะของซิงค์ออกไซด์ระยะหกเหลี่ยม จุดสูงสุดที่582 ซม-1 มาประกอบกับ E1 (LO) โหมดของหกเหลี่ยม ZnO. ยอดเขานี้มีความเกี่ยวข้องกับการขาดออกซิเจน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รามันการวัดการอัดใน
backscattering เรขาคณิตที่มีแหล่งกำเนิดแสง unpolarized เป็น
แสดงในรูปที่ 2 . ที่รุนแรงที่สุดยอดอยู่ที่ 520 nm มา
จากจังหวัดที่ทนทาน สูงสุดที่ 270 cm − 1 สอดคล้องกับโฟนอนแสง nonpolar
E2 ( สูง ) ของ wurtzite ZnO , และมันก็เป็นจุดเด่นที่สำคัญของ P
เฟสหกเหลี่ยม จุดสูงสุดที่
582 cm − 1 ประกอบกับ E1 ( LO ) โหมดของสังกะสีหกเหลี่ยม
ยอดนี้จะเกี่ยวข้องกับการขาดออกซิเจน