such as non-volatility, infinite en

such as non-volatility, infinite endurance, high read and write speed and
low cost. Furthermore, STT-RAM’s cell area is only about
1/9~1/3 of SRAM’s

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เช่นไม่ผันผวน อนันต์ ความอดทนสูงอ่าน และเขียนเร็ว และ ต้นทุนที่ต่ำ นอกจากนี้ พื้นที่เซลล์ STT-รามเป็นเพียงเกี่ยวกับ 1/9 ~ 1 ใน 3 ของของพาร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เช่นที่ไม่ระเหยอดทนอนันต์อ่านสูงและความเร็วในการเขียนและ
ต้นทุนต่ำ นอกจากนี้พื้นที่เซลล์ STT-RAM เป็นเพียงประมาณ
1/9 ~ 1/3 ของ SRAM ของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไม่เช่นความผันผวนอนันต์ , ความอดทนสูง อ่านและเขียนความเร็วและต้นทุนต่ํา นอกจากนี้ บริเวณเซลล์ stt-ram เป็นเพียงเกี่ยวกับ1 / 9 ~ 1 / 3 ของ SRAM ของ