Backscatter occurs when gammas make

Backscatter occurs when gammas make Compton interactions in the material that surrounds the detector. Fig. 3.5, taken from ref. 10, is a good illustration of the various events that can occur in a typical source-NaI(Tl)-lead shield arrangement. Backscattered gammas from these interactions (Eγ′) create photoelectric interactions in the NaI(Tl) when they enter the crystal. The energy of the backscattered peak can be found by solving Eq. (2).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

backscatter เกิดขึ้นเมื่อ gammas ทำให้ปฏิสัมพันธ์คอมป์ตันในวัสดุที่ล้อมรอบเครื่องตรวจจับ มะเดื่อ 3.5 นำมาจากการอ้างอิง 10 เป็นตัวอย่างที่ดีของเหตุการณ์ต่างๆที่อาจเกิดขึ้นในทั่วไปแหล่ง nai (TL) นำการจัดโล่ gammas backscattered จากนี้การสื่อสาร (eγ ') สร้างปฏิสัมพันธ์ตาแมวใน nai (TL) เมื่อพวกเขาเข้าไปคริสตัลพลังงานสูงสุด backscattered สามารถพบได้โดยการแก้สมการ (2)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Backscatter เกิดเมื่อ gammas ทำคอมป์ตันโต้ตอบในวัสดุที่ล้อมรอบเครื่องตรวจจับ Fig. 3.5 มาจากอ้างอิง 10 มีภาพประกอบที่ดีของเหตุการณ์ต่าง ๆ ที่เกิดขึ้นในทั่วไปแหล่งใน (Tl) -นำโล่จัด Gammas backscattered จากการโต้ตอบเหล่านี้ (Eγ′) สร้างเข้าคริสตัลโต้ตอบ photoelectric ใน NaI(Tl) พลังงานสูงสุด backscattered สามารถพบได้ โดยแก้ Eq. (2)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

backscatter จะเกิดขึ้นเมื่อ gammas ทำให้วัสดุเชื่อมต่อในการติดต่อสื่อสารในคอมพ์ตันที่อยู่โดยรอบอุปกรณ์ตรวจจับ รูป. 3.5 นำมาจาก PLC . 10 เป็น ภาพ ที่ดีของเหตุการณ์ต่างๆที่จะเกิดขึ้นในการจัดเตรียม( TL ) - นำแผ่นป้องกันแหล่งที่มา - ในแบบดั้งเดิม gammas backscattered จากการโต้ตอบเหล่านี้( eγ ')สร้างการปฏิสัมพันธ์ระหว่างโฟโตอิเล็กทริกในคลื่นลมแรง( TL )เมื่อพวกเขาเข้าสู่คริสตัลประหยัดพลังงานได้สูงสุดของ backscattered สามารถพบได้จากการแก้ปัญหา EQ ( 2 )