It is clear thatfor PS surfaces tre

It is clear that
for PS surfaces treated with plasma for 30 s, the amount of carbon
decreased while the amount of oxygen increased significantly due
to plasma etching and oxidation. Both C1s and O1s peaks became
very weak after 90 s of plasma treatment, reinforcing the hypothesis that most of the PS film has been etched away after extended
plasma etching

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มันเป็นล้างที่สำหรับพื้นผิว PS รับพลาสม่าสำหรับ 30 s จำนวนคาร์บอนลดลงในขณะที่จำนวนออกซิเจนเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญเนื่องกัดพลาสม่าและออกซิเดชัน พีคส์ C1s และ O1s กลายเป็นอ่อนมากหลัง 90 ของพลาสม่ารักษา เสริมทฤษฏีที่สุดฟิล์ม PS ได้ถูกฝังไปหลังจากขยายกัดพลาสม่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นที่ชัดเจนว่า
สำหรับพื้นผิว PS รับการรักษาด้วยพลาสม่า 30 ของปริมาณของคาร์บอน
ลดลงในขณะที่ปริมาณออกซิเจนที่เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญเนื่องจาก
การกัดพลาสม่าและการเกิดออกซิเดชัน ทั้งยอด C1s และ O1s กลายเป็น
อ่อนแอมากหลังจากที่ 90 ของการรักษาพลาสม่า, เสริมสมมติฐานที่ว่าส่วนใหญ่ของภาพยนตร์ PS ได้รับการฝังไปหลังจากขยาย
การแกะสลักพลาสม่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันเป็นที่ชัดเจนว่า
สำหรับ PS พื้นผิวที่ได้รับการรักษาด้วยพลาสมาสำหรับ 30 วินาที ปริมาณของคาร์บอน
ลดลงในขณะที่ปริมาณของออกซิเจนเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญเนื่องจากการกัด
พลาสมาและออกซิเดชัน และทั้ง c1s o1s ยอดกลายเป็น
อ่อนแอมากหลังจาก 90 s พลาสมารักษาเสริมสมมติฐานว่าส่วนใหญ่ของภาพยนตร์ PS ได้ถูกฝังไปหลังจากขยาย
พลาสมาแกะสลัก