4.2. Hysteresis and stabilityPerovs

4.2. Hysteresis and stability
Perovskite solar cells have achieved a great success with effi-
ciencies now exceeding 20%. However, a certain class of perovskite
solar cell, particularly organometal trihalide perovskites, exhibits
photocurrent hysteresis. Therefore, it is essential that the origins
and mechanisms of the I–V hysteresis are fully understood to
minimize or eradicate these hysteresis effects for practical applications.
This hysteresis has been tentatively attributed to the paraelectric
or ferroelectric properties of perovskites at room temperature
and above [144,145]. Simulations suggest that the internal
electrical fields associated with microscopic polarization
domains contribute to hysteretic anomalies in the current–voltage
response of PSCs due to variations in electron–hole recombination
in the bulk [144]. However, others would suggest that, because of
its low lattice energy, organometal halide perovskite tends to
possess strong ionic characteristics, which is sensitive to polarization
in an electric field [145]. Impedance study shows that a
high value of the dielectric constant at low frequencies resulting
from a combination of dipolar, ionic and electronic contributions is
the main reason for the J/V hysteresis [146].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4.2. สัมผัสและความมั่นคงเซลล์แสงอาทิตย์ Perovskite ได้ประสบความสำเร็จกับ effi-ciencies ตอนนี้ เกิน 20% อย่างไรก็ตาม perovskite บางชั้นเซลล์แสงอาทิตย์ โดยเฉพาะอย่างยิ่ง organometal trihalide perovskites การจัดแสดงนิทรรศการphotocurrent สัมผัส ดังนั้น มันเป็นสิ่งสำคัญที่กำเนิดและกลไกการสัมผัส – V เข้าใจการลด หรือกำจัดผลกระทบเหล่านี้สัมผัสสำหรับประยุกต์ใช้งานจริงสัมผัสนี้ได้รับเกิดจากการ paraelectric ไม่แน่นอนหรือ ferroelectric คุณสมบัติของ perovskites ที่อุณหภูมิห้องเหนือ [144,145] แนะนำแบบจำลองที่ภายในเขตไฟฟ้าที่เกี่ยวข้องกับกล้องจุลทรรศน์โพลาไรซ์โดเมนช่วยให้ hysteretic สิ่งผิดวิสัยในปัจจุบันแรงดันไฟฟ้าการตอบสนองของ PSCs เนื่องจากในอิเล็กตรอน – หลุม recombinationจำนวนมาก [144] อย่างไรก็ตาม อื่น ๆ จะแนะนำที่ เนื่องจากการพลังงานต่ำตาข่าย organometal โฟ perovskite ที่มีแนวโน้มที่มีลักษณะไอออนิกแรง ซึ่งเป็นการโพลาไรซ์ในสนามไฟฟ้า [145] การศึกษาความต้านทานแสดงให้เห็นว่าการค่าคงเป็นฉนวนที่ความถี่ต่ำที่เกิดสูงจากการรวมกันของ dipolar ไอออน และอิเล็กทรอนิกส์เหตุผลหลักสำหรับสัมผัส J/V [146]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4.2 Hysteresis และความมั่นคง
perovskite เซลล์แสงอาทิตย์ได้บรรลุความสำเร็จกับประสิทธิภาพการ
ciencies ตอนนี้เกิน 20% แต่ชั้นหนึ่งของ perovskite
เซลล์แสงอาทิตย์โดยเฉพาะอย่างยิ่ง perovskites trihalide organometal, การจัดแสดงนิทรรศการ
hysteresis photocurrent ดังนั้นจึงเป็นสิ่งจำเป็นที่ต้นกำเนิด
และกลไกของ I-V ฮีมีความเข้าใจอย่างเต็มที่เพื่อ
ลดหรือขจัดผลกระทบ hysteresis เหล่านี้สำหรับการใช้งานจริง.
hysteresis นี้ได้รับการบันทึกแน่นอนกับ paraelectric
หรือคุณสมบัติ ferroelectric ของ perovskites ที่อุณหภูมิห้อง
และเหนือ [ 144,145] จำลองชี้ให้เห็นว่าภายใน
สนามไฟฟ้าที่เกี่ยวข้องกับการโพลาไรซ์กล้องจุลทรรศน์
โดเมนนำไปสู่ความผิดปกติ hysteretic ในปัจจุบันแรงดัน
ตอบสนองของ PSCs เนื่องจากการเปลี่ยนแปลงในอิเล็กตรอนหลุมรวมตัวกันอีก
ในจำนวนมาก [144] แต่คนอื่นจะแนะนำว่าเพราะ
พลังงานตาข่ายต่ำ perovskite ลิด organometal มีแนวโน้มที่จะ
มีลักษณะไอออนิกที่แข็งแกร่งซึ่งมีความไวต่อโพลาไรซ์
ในสนามไฟฟ้า [145] การศึกษาความต้านทานแสดงให้เห็นว่า
มีมูลค่าสูงของฉนวนคงที่ความถี่ต่ำที่เกิด
จากการรวมกันของ dipolar, อิออนและผลงานอิเล็กทรอนิกส์เป็น
เหตุผลหลักสำหรับ J / V hysteresis [146]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

4.2 . และการวิเคราะห์เสถียรภาพเซลล์แสงอาทิตย์เพอรอฟสไกต์ได้รับประสบความสำเร็จครั้งยิ่งใหญ่ effi -ciencies ตอนนี้เกิน 20 % อย่างไรก็ตาม ชั้นบางของเพอรอฟสไกต์เซลล์แสงอาทิตย์ โดยเฉพาะ organometal trihalide perovskites นิทรรศการบูบูแบบ . ดังนั้น จึงเป็นสิ่งจำเป็นที่ต้นกำเนิดและกลไกของฉัน– 5 แบบเข้าใจอย่างเต็มที่เพื่อลดหรือขจัดผลกระทบแบบเหล่านี้เพื่อการใช้งานในทางปฏิบัติการวิเคราะห์นี้ได้ถูกนำมาประกอบกับ paraelectric ไม่แน่นอนหรือคุณสมบัติเฟอร์โรอิเล็กทริกของ perovskites ที่อุณหภูมิห้องและเหนือ [ 144145 ] แบบจำลองแสดงให้เห็นว่าภายในสาขาวิศวกรรมไฟฟ้าที่เกี่ยวข้องกับกล้องจุลทรรศน์โพลาไรเซชันโดเมนสนับสนุน hysteretic ความผิดปกติในแรงดันไฟฟ้า–ปัจจุบันการตอบสนองของส่วนกลางเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงในการอิเล็กตรอนและหลุมในกลุ่ม [ 144 ] แต่คนอื่นจะว่าเพราะพลังงานแลตทิซต่ำ organometal halide เพอรอฟสไกต์ มีแนวโน้มที่จะมีลักษณะแข็งแกร่งไอออนซึ่งมีความไวต่อโพลาไรเซชันในสนามไฟฟ้า [ 145 ] พบว่า อิมพีแดนซ์ค่าสูงของค่าไดอิเล็กทริกที่ความถี่ต่ำผลจากการรวมกันของ dipolar , Ionic และผลงานอิเล็กทรอนิกส์คือเหตุผลหลักสำหรับ J / V แบบ [ 146 ]