After the measurement of electrical

After the measurement of electrical property and structure property of AZO films by Hall system, XRD and AFM, XPS was applied to identify the change of chemical structure caused by substrate temperature and in order to find the elements changes in the AZO films. The O 1s spectra showing the chemical bonding state of oxygen shows asymmetric peaks, as shown in Fig. 4. The typical O 1speak could be consistently fitted by three nearly Gaussian. The lower binding energy (OL = 529.7– 529.9 eV) and middle binding energy (OM = 531.2–531.4eV) are associated with O2  ions in the ZnO matrix and oxygen deficiencies, respectively [21,22]. An additional high binding energy (OH = 532.5–532.7eV) results from O–H or C–O groups near the surface of the films [23]. The increase in substrate temperature from 0 to 400C increased the intensity of the Zn–O bond related OL peak and decreased the intensity of the oxygen-vacancy related OM peak. This indicates that the crystallinity of films is improved by increasing substrate temperatures, being agree with the XRD results. Also, the reduction of oxygen–vacancy decreases the carrier concentration and this is in accord with the electricalpropertiesofAZOfilms.Itwasalsoobservedthatsurfaceimpurity-relatedOH peakincreased as substrate temperature increased. This result does agree with the result of surface roughness in AZO film. The increase of the surface bonding raises the barrier potential which impedes the motion of carrier, resulting in decrease of mobility [24].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หลังจากการวัดไฟฟ้าและคุณสมบัติโครงสร้างของ films AZO โดยระบบฮอลล์ XRD และ AFM, XPS ถูกนำไปใช้เพื่อระบุการเปลี่ยนแปลงของโครงสร้างทางเคมีที่เกิดจากอุณหภูมิพื้นผิว และเพื่อหา องค์ประกอบที่เปลี่ยนแปลงใน AZO films สเปกตรัม O 1s ที่แสดงสถานะของออกซิเจนพันธะสารเคมีแสดงยอดสมมาตร ดังแสดงในรูปที่ 4 1speak O ทั่วไปอาจจะสม่ำเสมอ โดยสามเกือบนที่ fitted พลังงานรวมที่ต่ำ (OL = 529.7 – 529.9 eV) และตรงกลางผูกพลังงาน (OM = 531.2 – 531.4 eV) จะเกี่ยวข้องกับไอออน O2 ในการ ZnO เมทริกซ์และออกซิเจน deficiencies ตามลำดับ [21,22] พลังงานยึดเหนี่ยวสูงการเติม (OH = 532.5 – 532.7 eV) ผลจาก O – H หรือ C – O กลุ่มใกล้พื้น films [23] การเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิพื้นผิวจาก 0 ถึง 400 C เพิ่มความเข้มข้นของ Zn – O พันธบัตรที่เกี่ยวข้องกับ OL สูงสุด และลดความเข้มข้นของออกซิเจนตำแหน่งที่เกี่ยวข้องกับ OM สูงสุด บ่งชี้ว่า ผลึกของ films จะดีขึ้น โดยการเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิว การเห็นด้วยกับผล XRD ยัง การลดออกซิเจน – ชุดที่ลดความเข้มข้นของผู้ให้บริการ และเป็นอยกา peakincreased electricalpropertiesofAZOfilms.Itwasalsoobservedthatsurfaceimpurity-relatedOH เป็นพื้นผิวอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น ผลลัพธ์นี้เห็นด้วยกับผลของพื้นผิวที่ขรุขระในภาพยนตร์ AZO การเพิ่มขึ้นของการยึดเกาะพื้นผิวเพิ่มศักยภาพอุปสรรคซึ่งหายอวัยวะการเคลื่อนที่ของบริษัทขนส่ง ส่งผลให้ลดจำนวน [24]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หลังจากการวัดคุณสมบัติทางไฟฟ้​​าและทรัพย์สินโครงสร้างของ AZO LMS Fi โดยระบบฮอลล์และ XRD AFM ที่ XPS ถูกนำมาใช้เพื่อแจ้งการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างทางเคมีที่เกิดจากอุณหภูมิที่พื้นผิวและเพื่อที่จะ Fi ND การเปลี่ยนแปลงองค์ประกอบใน AZO LMS Fi The O 1s สเปกตรัมแสดงสถานะพันธะทางเคมีของออกซิเจนแสดงให้เห็นยอดเขาที่ไม่สมมาตรดังแสดงในรูป 4. O 1speak ทั่วไปอาจจะต่อเนื่อง fi tted โดยสามเกือบเสียน ที่ต่ำกว่าพลังงานยึดเหนี่ยว (OL = 529.7- 529.9 EV) และกลางที่มีผลผูกพันพลังงาน (OM = 531.2-531.4eV) จะเกี่ยวข้องกับ O2? ไอออนในเมทริกซ์ซิงค์ออกไซด์และออกซิเจนเด Fi ciencies ตามลำดับ [21,22] เพิ่มพลังงานสูงที่มีผลผูกพัน (OH = 532.5-532.7eV) ผลลัพธ์ที่ได้จาก O-H หรือกลุ่ม C-O ที่อยู่ใกล้พื้นผิวของ LMS Fi ที่ [23] การเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิพื้นผิว 0-400 องศาเซลเซียสเพิ่มขึ้นเข้มของ Zn-O ที่เกี่ยวข้องกับตราสารหนี้ยอด OL และลดลงรุนแรงของออกซิเจนว่างเกี่ยวข้อง OM สูงสุด นี้บ่งชี้ว่าเป็นผลึกของ LMS Fi จะดีขึ้นโดยการเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิวการเห็นด้วยกับผลการ XRD นอกจากนี้การลดลงของออกซิเจนว่างลดความเข้มข้นของผู้ให้บริการและนี่คือสอดคล้องกับ Fi electricalpropertiesofAZO lms.Itwasalsoobservedthatsurfaceimpurity-relatedOH peakincreased อุณหภูมิพื้นผิวเพิ่มขึ้น ผลที่ได้นี้ไม่เห็นด้วยกับผลของพื้นผิวที่ขรุขระใน AZO Fi LM การเพิ่มขึ้นของพันธะพื้นผิวที่มีศักยภาพยกอุปสรรคที่ขัดขวางการเคลื่อนไหวของผู้ให้บริการที่มีผลในการลดลงของการเคลื่อนไหว [24]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หลังจากการวัดสมบัติทางไฟฟ้าและโครงสร้างอะโซโดยระบบถ่ายทอดคุณสมบัติของ LMS และฮอลล์ , XRD AFM XPS ถูกนำมาใช้เพื่อระบุการเปลี่ยนแปลงของโครงสร้างทางเคมีที่เกิดจากอุณหภูมิพื้นผิวและเพื่อถ่ายทอดและองค์ประกอบการเปลี่ยนแปลงในอาร์ทีมิสจึง LMS . O 1s สเปกตรัมแสดงพันธะเคมีสภาพออกซิเจนแสดงยอดสมมาตร ดังแสดงในรูปที่ 4 โดย o 1speak สามารถอย่างต่อเนื่องจึง tted สามเกือบเสียน . ลดการพลังงาน ( OL = 529.7 – 529.9 EV ) และพลังงานผูกกลาง ( โอม = 531.2 – 531.4ev ) เกี่ยวข้องกับไอออนของสังกะสีออกไซด์และออกซิเจน O2 ในเมทริกซ์ เดอ จึง ciencies ตามลำดับ [ 21,22 ] เพิ่มเติมสูงพลังงานยึดเหนี่ยว ( โอ = 532.5 – 532.7ev ) ผลจาก O ) H หรือ C ) o กลุ่มใกล้พื้นผิวของจึง LMS [ 23 ] การเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิวจาก 0 ถึง 40 เพิ่มความเข้มของพันธบัตรที่เกี่ยวข้องกับสังกะสี– o ol สูงสุดและลดลง ความเข้มข้นของออกซิเจนสูงสุดที่ว่างที่โอม นี้แสดงให้เห็นว่าผลึกของจึงมีการปรับปรุงโดยการเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิว และ การ เห็น ด้วย กับ วิเคราะห์ผลลัพธ์ นอกจากนี้ การลดตำแหน่งงาน–ออกซิเจนลดความเข้มข้นของสารตัวพา และนี้คือสอดคล้องกับ electricalpropertiesofazo จึง lms.itwasalsoobservedthatsurfaceimpurity-relatedoh peakincreased อุณหภูมิพื้นผิวสูงขึ้น ผลที่ได้นี้ จะเห็นด้วยกับผลของความขรุขระของพื้นผิวในอาร์ทีมิสจึงอิม การเพิ่มขึ้นของพื้นผิวการเพิ่มอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นซึ่งขัดขวางการเคลื่อนไหวของผู้ให้บริการ เป็นผลในการลดการเคลื่อนไหว [ 24 ]