Plasma cleaning of semiconductor an

Plasma cleaning of semiconductor and metal surfaces is a long-standing, widespread practice in many areas, including microelectronics fabrication [1], [2] and [3]. While O2-based plasma cleaning is often used to remove C surface contamination, this poses obvious problems in the cleaning of very thin metal films, including interconnect lines. Therefore, cleaning by, e.g., H2, noble gas or NH3 plasmas is of interest. In many interconnect or packaging processing procedures, even a few monolayers of surface contamination may significantly impact subsequent metallization or other processes [4]. In order to address this issue, Co and Cu surfaces were subjected to controlled plasma exposure, and then transferred under rigorously controlled ultra-high vacuum (UHV) conditions to a UHV analysis chamber for XPS characterization of surface composition.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พลาสม่าทำความสะอาดพื้นผิวโลหะและสารกึ่งตัวนำคือ การปฏิบัติที่ยาวนาน แพร่หลายในหลายพื้นที่ รวมทั้งการผลิตไมโครอิเล็กทรอนิกส์ [1], [2] และ [3] ในขณะที่มักจะใช้ O2 ใช้พลาสม่าทำความสะอาดเพื่อเอาเปื้อน C นี้ส่อเค้าปัญหาชัดเจนในการทำความสะอาดฟิล์มโลหะบางมาก รวมถึงบรรทัดที่เชื่อมต่อระหว่าง ดังนั้น ทำความสะอาดโดย เช่น H2 ก๊าซมีตระกูลหรือ NH3 plasmas ได้น่าสนใจ ในหลายการเชื่อมต่อ หรือบรรจุภัณฑ์ขั้น monolayers กี่ของเปื้อนอาจผลกระทบที่ตามมา metallization หรือกระบวนการอื่น ๆ [4] เพื่อแก้ไขปัญหานี้ Co และ Cu พื้นผิวการควบคุมพลาสมาแสง และโอนแล้ว ภายใต้เงื่อนไขการควบคุมอย่างเข้มงวดสูงสูญญากาศ (UHV) ห้องวิเคราะห์ UHV สำหรับ XPS จำแนกลักษณะขององค์ประกอบพื้นผิวเพื่อ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทำความสะอาดพลาสม่าของเซมิคอนดักเตอร์และพื้นผิวโลหะเป็นยาวนานปฏิบัติอย่างแพร่หลายในหลายพื้นที่รวมทั้งการผลิตไมโครอิเล็กทรอนิกส์ [1], [2] และ [3] ขณะที่ทำความสะอาดพลาสม่า O2 ตามมักจะถูกใช้ในการลบปนเปื้อนพื้นผิว C นี้ poses ปัญหาที่ชัดเจนในการทำความสะอาดของภาพยนตร์โลหะบางมากรวมทั้งสายเชื่อมต่อระหว่างกัน ดังนั้นการทำความสะอาดด้วยเช่น H2, แก๊สมีตระกูลหรือพลาสมา NH3 เป็นที่น่าสนใจ ในการเชื่อมต่อหรือการประมวลผลบรรจุภัณฑ์หลายขั้นตอนแม้ monolayers กี่ของการปนเปื้อนพื้นผิวอย่างมีนัยสำคัญอาจส่งผลกระทบที่ตามมา metallization หรือกระบวนการอื่น ๆ [4] เพื่อที่จะแก้ไขปัญหานี้ร่วมและทองแดงผิวถูกยัดเยียดให้การเปิดรับพลาสม่าควบคุมและโอนแล้วภายใต้การควบคุมอย่างเข้มงวดสูญญากาศสูงพิเศษ (UHV) สภาวะที่ห้องวิเคราะห์ UHV สำหรับ XPS ลักษณะขององค์ประกอบของพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พลาสมาทำความสะอาดของสารกึ่งตัวนำและพื้นผิวโลหะเป็นยืนยาว ปฏิบัติอย่างกว้างขวางในหลายพื้นที่ รวมทั้งเทคโนโลยีการผลิต [ 1 ] , [ 2 ] และ [ 3 ] ในขณะที่ O2 ใช้พลาสมาทำความสะอาดมักจะใช้เพื่อลบ C การปนเปื้อนบนพื้นผิว นี้ poses ปัญหาที่เห็นได้ชัดในการทำความสะอาดของฟิล์มบางโลหะมาก รวมถึงการเชื่อมต่อสาย ดังนั้น การทำความสะอาดโดยเช่น H2 , โนเบิล nh3 พลาสมาเป็นก๊าซหรือสนใจ ในการประมวลผล ( หรือบรรจุภัณฑ์หลายขั้นตอน แม้ไม่กี่ monolayers การปนเปื้อนของพื้นผิวที่อาจมีผลต่องานหรือกระบวนการอื่น ๆตามมา [ 4 ] เพื่อแก้ไขปัญหานี้ , CO และ CU พื้นผิวถูกควบคุมแสงพลาสม่าและโอนได้ที่อย่างเคร่งครัดควบคุมระดับสูญญากาศ ( uhv ) เงื่อนไขในการวิเคราะห์ uhv หอการค้า XPS คุณสมบัติขององค์ประกอบของพื้นผิว