The following paper presents a nove

The following paper presents a novel, empirical approach to gate charge control of a MOSFET used in low-side drive
applications such as found in dc motor drives during turn-OFF,
using pulsewidth modulation (PWM) based on ideal expressions of
MOSFET behavior during turn-OFF.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระดาษต่อไปนี้นำเสนอนวนิยาย รวมวิธีควบคุมค่าเกมอสเฟตที่ใช้ไดรฟ์ด้านต่ำโปรแกรมประยุกต์เช่นพบใน dc มอเตอร์ไดรฟ์ในระหว่างหันออกใช้เอ็ม pulsewidth (PWM) ตามนิพจน์เหมาะของมอสเฟตพฤติกรรมระหว่างหันออก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กระดาษต่อไปนี้นำเสนอนวนิยายวิธีเชิงประจักษ์ในการควบคุมค่าใช้จ่ายของประตู MOSFET ใช้ในด้านต่ำไดรฟ์ที่
ใช้งานเช่นที่พบใน dc มอเตอร์ไดรฟ์ในระหว่างการเปิดปิด
โดยใช้การปรับ pulsewidth (PWM) ตามสถานที่ที่เหมาะสำหรับการแสดงออกทาง
พฤติกรรม MOSFET ในเทิร์น -OFF

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระดาษที่นำเสนอต่อไปนี้เป็นนิยาย วิธีการเชิงประจักษ์ที่เกทค่าควบคุมของมอสเฟตที่ใช้ในด้านต่ำขับ
การใช้งานเช่นที่พบใน DC มอเตอร์ไดรฟ์ในระหว่างปิด
ใช้คิวเอ็ม ( PWM ) ขึ้นอยู่กับการแสดงออกทางพฤติกรรมในอุดมคติของ MOSFET ปิด