The characteristics of MOCVD that h

The characteristics of MOCVD that have taken it
from a research curiosity to production have been in the
simplicity of delivery of the reactive vapors and the versatility
of compositions, dopants and layer thicknesses.
These basic attributes have enabled the same basic technique
to be used for narrow bandgap semiconductors
such as the infrared detector materials CdxHg1−xTe and
GaInSb and now for wide bandgap semiconductors such
as GaN and ZnO. Indeed, the success of GaInN in the
1990s for high-brightness blue LEDs has now led to this
being the most popular material produced by MOCVD.
The early strength of MOCVD was its ability to grow
onto different substrates but this was later abandoned
in favor of the more conventional homoepitaxy; however,
the nitrides rely on heteroepitaxy onto sapphire
and SiC substrates, bringing MOCVD back to its roots
with the early work of Manasevit. This versatility with
substrate materials presents MOCVD with the ultimate
challenge of mating high-performance optoelectronic
materials with silicon substrates in order to combine
the best of optoelectronic and electronic performance.
This section of the chapter will cover the key
elements of the MOCVD process from the physical
characteristics of the precursors through reactor
design to getting the right materials properties for highperformance
devices.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลักษณะของ MOCVD ที่ได้รับมันจากงานวิจัยอยากจะผลิตได้ในการความเรียบง่ายของไอระเหยปฏิกิริยาและความคล่องตัวองค์ประกอบ dopants และความหนาของชั้นคุณลักษณะพื้นฐานเหล่านี้ได้ใช้เทคนิคเดียวกันใช้สำหรับคอนดักเตอร์ bandgap แคบเช่นวัสดุอินฟราเรด CdxHg1−xTe และGaInSb และตอนนี้ สำหรับ bandgap กว้างคอนดักเตอร์ดังกล่าวกันและ ZnO จริง ความสำเร็จของ GaInN ในการปี 1990 สำหรับความสว่างสูง Led สีฟ้านำนี้วัสดุนิยมผลิต โดย MOCVDแรงต้นของ MOCVD มีความสามารถในการเติบโตลงบนพื้นผิวต่าง ๆ แต่นี้ในภายหลังยกเลิกในความโปรดปรานของ homoepitaxy ทั่วไป อย่างไรก็ตามnitrides การใช้ heteroepitaxy บนแซฟไฟร์และเล่นพื้นผิว นำ MOCVD กลับมาสู่รากของมันกับการทำงานเริ่มต้นของ Manasevit ความหลากหลายนี้ด้วยวัสดุพื้นผิวแสดง MOCVD กับสุดยอดความท้าทายของการผสมพันธุ์การควบคุมประสิทธิภาพสูงวัสดุพื้นผิวซิลิกอนเพื่อรวมดีที่สุดของการควบคุมและประสิทธิภาพการทำงานอิเล็กทรอนิกส์ส่วนนี้ของบทจะครอบคลุมคีย์องค์ประกอบของกระบวนการ MOCVD จากทางกายภาพลักษณะของสารตั้งต้นผ่านเครื่องปฏิกรณ์การออกแบบเพื่อเรียกใช้คุณสมบัติของวัสดุที่เหมาะสมสำหรับ highperformanceอุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ลักษณะของ MOCVD ที่ได้เอามัน
มาจากความอยากรู้วิจัยเพื่อการผลิตได้รับใน
ความเรียบง่ายของการจัดส่งของไอระเหยปฏิกิริยาและความเก่งกาจ
ขององค์ประกอบสารเจือและชั้นความหนา.
คุณลักษณะพื้นฐานเหล่านี้ได้เปิดใช้งานเทคนิคพื้นฐานที่เหมือนกัน
ที่จะใช้สำหรับแคบ เซมิคอนดักเตอร์ bandgap
เช่นวัสดุเครื่องตรวจจับอินฟราเรด CdxHg1-XTE และ
GaInSb และตอนนี้สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ bandgap กว้างดังกล่าว
เป็นกานและซิงค์ออกไซด์ อันที่จริงความสำเร็จของ GaInN ในที่
ปี 1990 สำหรับความสว่างสูงไฟ LED สีฟ้าที่มีตอนนี้นำไปสู่การนี้
เป็นวัสดุที่นิยมมากที่สุดที่ผลิตโดย MOCVD.
ความแข็งแรงต้นของ MOCVD คือความสามารถในการเติบโต
ลงบนพื้นผิวที่แตกต่างกัน แต่ต่อมาถูกทอดทิ้ง
ในความโปรดปรานของ homoepitaxy ธรรมดา; แต่
ไนไตรพึ่งพา heteroepitaxy บนไพลิน
และพื้นผิว SiC นำ MOCVD กลับไปที่รากของมัน
กับการทำงานเริ่มต้นของการ Manasevit เก่งกาจนี้กับ
วัสดุพื้นผิวที่มีการจัด MOCVD ด้วยสุดยอด
ความท้าทายของการผสมพันธุ์ที่มีประสิทธิภาพสูง optoelectronic
วัสดุที่มีพื้นผิวซิลิกอนในการสั่งซื้อที่จะรวม
ที่ดีที่สุดของประสิทธิภาพ optoelectronic และอิเล็กทรอนิกส์.
ในส่วนนี้ของบทจะครอบคลุมสำคัญ
องค์ประกอบของกระบวนการ MOCVD จากทางกายภาพ
ลักษณะของสารตั้งต้นผ่านเครื่องปฏิกรณ์
การออกแบบเพื่อรับคุณสมบัติที่เหมาะสมสำหรับวัสดุ highperformance
อุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ลักษณะของ mocvd ที่ถ่ายมันจากความอยากรู้การวิจัยเพื่อการผลิตได้รับในความเรียบง่ายของการจัดส่งของปฏิกิริยา vapors และความคล่องตัวขององค์ประกอบคุณภาพและชั้นความหนา .คุณสมบัติพื้นฐานเหล่านี้ใช้เทคนิคพื้นฐานเดียวกันที่จะใช้สำหรับ bandgap แคบสารกึ่งตัวนำเช่น วัสดุเครื่องตรวจจับอินฟราเรด cdxhg1 − xte และgainsb และตอนนี้สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ bandgap กว้างเช่นเช่น กัน และ เช่นกัน แท้จริงแล้ว ความสำเร็จของ gainn ใน1990 สำหรับความสว่างสูง LED สีฟ้าได้นำนี้ที่เป็นที่นิยมมากที่สุด วัสดุที่ผลิตโดย mocvd .ความแรงเร็วของ mocvd คือความสามารถในการเติบโตลงบนพื้นผิวที่แตกต่างกัน แต่ภายหลังถูกทิ้งในความโปรดปรานของ homoepitaxy มากกว่าปกติ อย่างไรก็ตามและไนไตรด์พึ่ง heteroepitaxy ไปยังแซฟไฟร์SIC พื้นผิวและนำ mocvd กลับไปที่รากของมันกับงานแรกของ manasevit . ตัวนี้กับวัสดุพื้นผิว mocvd ด้วยสุดยอดของขวัญความท้าทายของการผสมพันธุ์ที่รวม Optoelectronicวัสดุพื้นผิว เพื่อรวมกับซิลิคอนที่ดีที่สุดของ Optoelectronic และอิเล็กทรอนิกส์ )ส่วนนี้ของบทความนี้จะครอบคลุมถึงคีย์องค์ประกอบของกระบวนการ mocvd จากทางกายภาพลักษณะของบรรพบุรุษผ่านเครื่องปฏิกรณ์ออกแบบเพื่อรับวัสดุเหมาะสม คุณสมบัติสำหรับ highperformanceอุปกรณ์