BECAUSE of the important applicatio

BECAUSE of the important applications of solid-state lighting and liquid-crystal display (LCD) backlighting, recently the development of semiconductor white light devices has attracted much attention. Currently, such development mainly focuses on the use of phosphors for converting either blue or UV photons from a single-color light-emitting diode (LED) into long-wavelength light for white light mixing. However,theuseofphosphorsforwhitelightgenerationleadstothe disadvantages of lower efficiency, process complication, patent control, and environmental issue. Therefore, the fabrication of phosphor-free, single-chip, all-semiconductor white light LEDs has become an important trend [1]–[4]. For this purpose, multiple-wavelength LEDs by stacking InGaN–GaN quantum wells (QWs) of different compositions and/or geometries are of great interest [1],[2]. Nevertheless, stacking such QWs of different types is not straightforward because they are usually highly strained. The growth order of different QWs and the in-betweenbarrierthicknesscanaffecttheemissionwavelengthof each QW [3]. In particular, the strain distribution controls the quantum-confined Stark effect (QCSE), which leads to emission spectral blue shift as the injection current increases. Hence, a careful design of such a QW structure is needed. For mixing colors to obtain white light of a high rendering index, currently the major difficulty is the low emission efficiency of red-emitting InGaN compounds [2]. Although the high-efficiency red emission from an InGaN–GaN nanocolumn structure has been reported, the process procedures for fabricating such a white light LED can be quite complicated [5]. Before efficient red-emitting InGaN compounds for easy integration with blue- and green-emitting structures can be available, a photon down-conversion material is still needed. In particular, a material for converting blue photons into red light is very useful. Although phosphors for converting UV photons into red light exist, that for efficiently converting blue photonsintoredlight hasnotbeenreportedyet.Recently, ithas been proved that the use of CdZe–ZnS nanocrystals for such conversion is quite attractive [6], [7]. Basically, such a crystal of a few nanometers in diameter functions as a quantum dot. It can efficiently absorb light in the range from UV through blue and re-emit red light. Its absorption and emission spectra can be easily tuned through controlling its size. In this letter, we first demonstrate the growth and fabrication of a blue/green two-wavelength LED by stacking four QWs of twodifferentgrowthconditions.Then,weshowwhite-lightgenerationbycoatingCdSe–ZnSnanocrystalsonsuchatwo-wavelength LED for converting blue photons into red light. The epistructure of the blue/green two-wavelength LED was grown with a metal–organic chemical–vapor deposition reactor with the following procedures. After the growth of a 25-nm nucleation layer (grown at 535 C), a 2- m n-GaN (5 10 cm in silicon-doping concentration) was deposited at 1070 C. Then, two QW growth conditions are considered: 1) temperature at 690 C, wafer carrier rotation at 750 r/min, and gas flow rates at 3000 sccm for N and 3000 sccm for NH and 2) temperature at 710 C, wafer carrier rotation at 1500 r/min, and gas flow rates at 1000 sccm for N and 1500 sccm for NH . The first and second growth conditions were designed for the growths of the green- and blue-emission QWs, respectively. All the well thickness is about 3 nm. With the different growth conditions above,the indium compositions are different, leading to the emissions of different colors. Purely blue or green LEDs have been fabricated based on the growth of five QWs of the same conditions. In the mixed QW

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เนื่องจากโปรแกรมประยุกต์ที่สำคัญของโซลิดสเตทแสงและแสงของเหลว–คริสตัล (จอ LCD) เมื่อเร็ว ๆ นี้การพัฒนาของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำสีขาวแสงน่าสนใจมาก ปัจจุบัน การพัฒนาดังกล่าวส่วนใหญ่เน้นใช้ของ phosphors สำหรับแปลงสีฟ้าหรือโฟตอนรังสี UV จากการเดี่ยวสีแสง–ไดโอดเปล่ง (LED) เป็นแสงคลื่นยาวสำหรับการผสมแสงสีขาว อย่างไรก็ตาม การประมวลผล theuseofphosphorsforwhitelightgenerationleadstothe ข้อเสียของ efficiency ต่ำ ภาวะแทรกซ้อน การควบคุมสิทธิบัตร และปัญหาสิ่งแวดล้อม ดังนั้น การผลิตของฟอสเฟอร์ฟรี เดี่ยวชิ กึ่งทั้งแสงสีขาวไฟ Led ได้กลายเป็น แนวโน้มสำคัญ [1] – [4] สำหรับวัตถุประสงค์นี้ หลายความยาวคลื่น Led โดยซ้อนเวลส์ InGaN – กันควอนตัม (QWs) ขององค์ประกอบต่าง ๆ หรือรูปทรงเรขาคณิตประมาณเป็นที่น่าสนใจมาก [1], [2] อย่างไรก็ตาม ซ้อน QWs ดังกล่าวที่แตกต่างกันไม่ได้ตรงไปตรงมาเนื่องจากพวกเขากำลังเครียดมักจะสูง ใบเจริญเติบโตของ QWs แตกต่างกันและใน betweenbarrierthicknesscanaffecttheemissionwavelengthof ละ QW [3] โดยเฉพาะ การกระจายสายพันธุ์ควบคุม confined ควอนตัมผลสิ้นเชิง (QCSE), ซึ่งนำไปสู่การปล่อยสเปกตรัมสีฟ้ากะเป็นเพิ่มการฉีดปัจจุบัน ดังนั้น การออกแบบโครงสร้าง QW เป็นระวังจำเป็นต้อง สำหรับการผสมสีเพื่อให้ได้แสงสีขาวของดัชนีให้สูง ในปัจจุบัน difficulty สำคัญคือ efficiency การลดการปล่อยสารสีแดงเปล่ง InGaN [2] แม้ว่าสูง-efficiency รายงานปล่อยแดงจากโครงสร้างมี nanocolumn InGaN – กัน ขั้นตอนของกระบวนการสำหรับ fabricating เช่นสีขาวไฟ LED สามารถจะค่อนข้างซับซ้อน [5] ก่อนจะมีประสิทธิผล InGaN เปล่งแดงสารประกอบพร้อมโครงสร้างที่เปล่งสีฟ้า และสีเขียวการ วัสดุแปลงลงโฟตอนยังคงจำเป็น โดยเฉพาะ วัสดุสำหรับแปลงสีน้ำเงินโฟตอนเป็นแสงสีแดงมีประโยชน์มาก แม้ phosphors สำหรับแปลงโฟตอนรังสี UV เป็นแสงสีแดงมีอยู่ ที่สำหรับการแปลง efficiently ฟ้า photonsintoredlight hasnotbeenreportedyet เมื่อเร็ว ๆ นี้ ithas ได้พิสูจน์ว่าการใช้ CdZe – ZnS nanocrystals สำหรับการแปลงดังกล่าวน่าสนใจทีเดียว [6] , [7] โดยทั่วไป เช่นเป็นคริสตัลของกี่นาโนเมตรเส้นผ่านศูนย์กลางทำหน้าที่เป็นจุดควอนตัม Efficiently ที่จะสามารถดูดซับแสงในช่วง UV จากผ่านฟ้า และเปล่งแสงสีแดงอีก การดูดซึมและปล่อยสเปกตรัมสามารถจะปรับได้อย่างง่ายดายผ่านการควบคุมขนาด ในนี้ เราเลยแสดงให้เห็นถึงการเจริญเติบโตและการผลิตของสีฟ้า/เขียวสองความยาวคลื่น LED โดยซ้อนสี่ QWs ของ twodifferentgrowthconditions แล้ว weshowwhite-lightgenerationbycoatingCdSe-ZnSnanocrystalsonsuchatwo-ความยาวคลื่น LED สำหรับแปลงสีน้ำเงินโฟตอนเป็นแสงสีแดง Epistructure สีฟ้า/สีเขียวที่สองความยาวคลื่น LED ถูกปลูก ด้วยเครื่องปฏิกรณ์เคมี – ไอโลหะอินทรีย์สะสมตามขั้นตอนต่อไปนี้ หลังจากเจริญเติบโตของชั้น nucleation มากกว่า 25 nm (ปลูกที่ 535 C), 2 m n กัน (ในความเข้มข้นของยาสลบซิลิคอน 5 10 ซม.) ฝากที่ 1070 c แล้ว ถือสอง QW เติบโตเงื่อนไข: 1) อุณหภูมิที่ 690 C เวเฟอร์ผู้หมุนที่ 750 r/min แก๊สตัดค่าเสื่อมราคาที่ sccm 3000 N และโหวต 3000 สำหรับ NH 2) อุณหภูมิที่ 710 C เวเฟอร์ผู้หมุนที่ 1500 r/นาที และแก๊สตัดค่าเสื่อมราคาที่ 1000 โหวตสำหรับ N และโหวต 1500 สำหรับ NH แรกและเจริญเติบโตของสองเงื่อนไขออกแบบสำหรับการเจริญเติบโตของการเขียว - และสีน้ำเงินปล่อย QWs ตามลำดับ ความหนาดีคือ ประมาณ 3 นาโนเมตร เงื่อนไขเติบโตแตกต่างกันข้างต้น อินเดียมองค์ประกอบแตกต่าง นำไปปล่อยของสีที่แตกต่างกัน ไฟ Led สีฟ้า หรือสีเขียวแท้จากมีการประดิษฐ์ตามการเติบโตของด้าน QWs เงื่อนไขเดียวกัน ใน QW ผสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เนื่องจากการใช้งานที่สำคัญของแสงของรัฐที่มั่นคงและจอภาพผลึกเหลว (แอลซีดี) backlighting เมื่อเร็ว ๆ นี้การพัฒนาของเซมิคอนดักเตอร์อุปกรณ์แสงสีขาวได้รับความสนใจมาก ปัจจุบันการพัฒนาดังกล่าวส่วนใหญ่มุ่งเน้นไปที่การใช้งานของสารเรืองแสงสำหรับแปลงทั้งสีฟ้าหรือรังสียูวีโฟตอนจากสีเดียวไดโอดเปล่งแสง (LED) เป็นแสงที่มีความยาวคลื่นยาวสำหรับการผสมแสงสีขาว แต่ข้อเสียของ ciency ต่ำ EF Fi กระบวนการแทรกซ้อนควบคุมสิทธิบัตรและปัญหาสิ่งแวดล้อม theuseofphosphorsforwhitelightgenerationleadstothe ดังนั้นการผลิตของสารเรืองแสงฟรีชิปเดียวทุกเซมิคอนดักเตอร์ไฟ LED แสงสีขาวได้กลายเป็นแนวโน้มที่สำคัญ [1] - [4] เพื่อจุดประสงค์นี้ไฟ LED หลายความยาวคลื่นซ้อน InGaN-กานหลุมควอนตัม (QWS) ขององค์ประกอบที่แตกต่างกันและ / หรือรูปทรงเรขาคณิตที่มีความน่าสนใจมาก [1], [2] อย่างไรก็ตามซ้อน QWS ดังกล่าวของประเภทที่แตกต่างกันตรงไปตรงมาไม่ได้เพราะพวกเขามักจะเครียดสูง ลำดับที่การเจริญเติบโตของ QWS ที่แตกต่างกันและในแต่ละ betweenbarrierthicknesscanaffecttheemissionwavelengthof QW [3] โดยเฉพาะอย่างยิ่งการกระจายสายพันธุ์ควบคุมควอนตัม-Con นิยามผลสตาร์ค (QCSE) ซึ่งนำไปสู่​​การปล่อยกะสีฟ้าสเปกตรัมการฉีดเพิ่มขึ้นในปัจจุบัน ดังนั้นการออกแบบอย่างระมัดระวังของโครงสร้างดังกล่าว QW เป็นสิ่งจำเป็น สำหรับการผสมสีเพื่อให้ได้แสงสีขาวของดัชนีการแสดงผลสูงในปัจจุบันที่สำคัญ culty DIF Fi คือการปล่อย EF ciency Fi ต่ำของสีแดงเปล่งสารประกอบ InGaN [2] แม้ว่า Fi ciency การปล่อยสีแดงสูง EF จากโครงสร้าง nanocolumn InGaN-กานได้รับรายงานขั้นตอนกระบวนการในการผลิตเช่นไฟ LED สีขาวจะมีความซับซ้อนค่อนข้าง [5] ก่อนที่จะเพียงพอ Fi EF สีแดงเปล่งสารประกอบ InGaN สำหรับการรวมง่ายมีโครงสร้างสีฟ้าและสีเขียวเปล่งสามารถใช้ได้เป็นวัสดุโฟตอนการแปลงลงยังคงเป็นสิ่งจำเป็น โดยเฉพาะอย่างยิ่งเป็นวัสดุสำหรับการแปลงโฟตอนสีฟ้าเป็นแสงสีแดงเป็นประโยชน์อย่างมาก แม้ว่าสารเรืองแสงสำหรับการแปลงโฟตอนรังสียูวีเป็นแสงสีแดงอยู่ว่าสำหรับ Fi EF อย่างมีประสิทธิภาพการแปลง photonsintoredlight สีฟ้า hasnotbeenreportedyet.Recently, ithas รับการพิสูจน์แล้วว่าการใช้นาโนคริสตัล CdZe-ZnS สำหรับการแปลงดังกล่าวเป็นที่น่าสนใจทีเดียว [6] [7] โดยทั่วไปเช่นคริสตัลของนาโนเมตรไม่กี่แห่งในฟังก์ชั่นขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางเป็นจุดควอนตัม มันสามารถ EF Fi อย่างมีประสิทธิภาพดูดซับแสงในช่วงจากรังสียูวีผ่านแสงสีแดงสีฟ้าและปล่อยออกมาอีกครั้ง การดูดซึมและการปล่อยของสเปกตรัมสามารถปรับได้อย่างง่ายดายผ่านการควบคุมขนาดของมัน ในจดหมายฉบับนี้เราแรกแสดงให้เห็นถึงการเจริญเติบโตและการผลิตของสีฟ้า / เขียวสองความยาวคลื่นนำโดยซ้อนสี่ QWS ของ LED สำหรับการแปลงโฟตอนสีฟ้าเป็นแสงสีแดง epistructure สีฟ้า / เขียว LED สองความยาวคลื่นเติบโตเป็นผู้ใหญ่ที่มีโลหะอินทรีย์สารเคมีสะสมไอน้ำเครื่องปฏิกรณ์ด้วยวิธีการดังต่อไปนี้ หลังจากที่การเจริญเติบโตของชั้นนิวเคลียส 25 นาโนเมตร (เติบโตที่ 535 C) ซึ่งเป็น 2- ม. N-กาน (5 ซม. 10 ในความเข้มข้นของซิลิกอนยาสลบ) ถูกวางที่ 1,070 องศาเซลเซียสจากนั้นสอง QW สภาวะการเจริญเติบโตจะมีการพิจารณา: 1 ) ที่อุณหภูมิ 690 C, การหมุนให้บริการเวเฟอร์ที่ 750 รอบ / นาทีและก๊าซชั้นโอ๊ยอัตราที่ 3000 SCCM หา N และ 3000 SCCM สำหรับ NH และ 2) ที่อุณหภูมิ 710 C, เวเฟอร์หมุนผู้ให้บริการที่ 1500 รอบ / นาทีและก๊าซชั้นโอ๊ยอัตรา ที่ 1000 SCCM หา N 1500 SCCM สำหรับ NH แรกและการเจริญเติบโตที่สองเงื่อนไขได้รับการออกแบบสำหรับการเจริญเติบโตของสีเขียวและสีฟ้าปล่อย QWS ตามลำดับ ทุกความหนาอย่างดีคือประมาณ 3 นาโนเมตร ด้วยสภาวะการเจริญเติบโตที่แตกต่างกันดังกล่าวข้างต้นประกอบอินเดียมที่แตกต่างกันนำไปสู่​​การปล่อยก๊าซเรือนกระจกของสีที่แตกต่างกัน หมดจดไฟ LED สีฟ้าหรือสีเขียวได้รับการประดิษฐ์ขึ้นอยู่กับการเจริญเติบโตของสถ​​าบันการเงินได้ QWS ของเงื่อนไขเดียวกัน ในการผสม QW

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพราะการใช้งานที่สำคัญของของแสงและ liquid-crystal จอแสดงผล ( LCD ) backlighting เมื่อเร็ว ๆนี้การพัฒนาอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำแสงสีขาวได้ดึงดูดความสนใจมาก ในปัจจุบัน การพัฒนาดังกล่าว ส่วนใหญ่จะเน้นที่การใช้ phosphors สำหรับการแปลงด้วยสีฟ้าหรือสีเดียวโฟตอนจากแสงไดโอดเปล่งแสง ( LED ) เป็นแสงที่ความยาวคลื่นยาวอ่อนผสมสีขาว อย่างไรก็ตาม theuseofphosphorsforwhitelightgenerationleadstothe ข้อเสียของ EF ประสิทธิภาพจึงลด ภาวะแทรกซ้อนและการควบคุมกระบวนการสิทธิบัตร และปัญหาสิ่งแวดล้อม ดังนั้น การสร้างสารเรืองแสงฟรีชิปเซมิคอนดักเตอร์แสง LED สีขาว ทั้งหมดได้กลายเป็นแนวโน้มที่สำคัญ [ 1 ] - [ 4 ] สำหรับวัตถุประสงค์นี้ ไฟ LED หลายความยาวคลื่น โดยซ้อน ingan ควอนตัมเวลล์และกาน ( QWS ในการแสดง ) ขององค์ประกอบต่าง ๆ และ / หรือโครงสร้างมีความสนใจอย่างมาก [ 1 ] [ 2 ] อย่างไรก็ตาม ซ้อนเช่น QWS ในการแสดงประเภทต่างๆ ไม่ตรงไปตรงมา เพราะพวกเขามักจะขอเครียด การเจริญเติบโตของ QWS ในการแสดงที่แตกต่างกัน และใน betweenbarrierthicknesscanaffecttheemissionwavelengthof แต่ละ qw [ 3 ] โดยเฉพาะการกระจายความเครียดการควบคุมควอนตัมคอนจึงเน็ด สตาร์ค ผล ( qcse ) ซึ่งนำไปสู่การปล่อยสเปกตรัมสีฟ้าเปลี่ยนเป็นฉีดในปัจจุบันเพิ่มขึ้น ดังนั้น การออกแบบอย่างระมัดระวัง เช่น qw โครงสร้างที่จำเป็น การผสมสีเพื่อให้ได้แสง สีขาวของดัชนีการแสดงผลสูง ปัจจุบันสาขาแยกจึง culty คือการถ่ายทอดประสิทธิภาพต่ำ EF สีแดงเปล่ง ingan สารประกอบ [ 2 ] ถึงแม้ว่าประสิทธิภาพสูงตัวแดงจึงเล็ดรอดจากโครงสร้าง nanocolumn ingan –กานได้รับการรายงาน กระบวนการขั้นตอนการ fabricating เช่นสีขาวไฟ LED สามารถค่อนข้างซับซ้อน [ 5 ] ก่อนจึง cient EF สีแดงเปล่ง ingan สารประกอบสำหรับการรวมง่ายกับสีฟ้าและสีเขียว โดยโครงสร้างสามารถใช้ได้วัสดุแปลงโฟตอนลงไปยังต้องการ โดยเฉพาะวัสดุที่แปลงโฟตอนสีฟ้าเป็นไฟแดงจะมีประโยชน์มาก แม้ว่า phosphors สำหรับการแปลง UV โฟตอนเป็นแสงสีแดงอยู่ที่ EF จึง ciently แปลง hasnotbeenreportedyet photonsintoredlight สีฟ้า เมื่อเร็วๆ นี้ ซึ่งพิสูจน์แล้วว่า การใช้ cdze – zns nanocrystals แปลงดังกล่าวเป็นที่น่าสนใจทีเดียว [ 6 ] [ 7 ] โดยทั่วไป เช่น คริสตัลไม่กี่นาโนเมตร ใน หน้าที่ เส้นผ่าศูนย์กลางเป็นควอนตัมดอท มันสามารถ EF จึง ciently ดูดกลืนแสงในช่วง UV ผ่านฟ้าและเปล่งแสงแดง ของการดูดซึมและการปล่อยสเปกตรัมสามารถปรับได้อย่างง่ายดายผ่านการควบคุมขนาดของ ในจดหมายฉบับนี้ เราจึงตัดสินใจเดินทางไปแสดงให้เห็นถึงการเจริญเติบโตและการผลิตของสีฟ้า / เขียว 2 ช่วงความยาวคลื่น LED โดยซ้อนสี่ QWS ในการแสดงของ twodifferentgrowthconditions จากนั้น weshowwhite lightgenerationbycoatingcdse – znsnanocrystalsonsuchatwo แสง LED สำหรับแปลงโฟตอนสีฟ้าเป็นแสงแดง การ epistructure ของสีฟ้า / เขียว 2 ช่วงความยาวคลื่น LED โตด้วยโลหะ–อินทรีย์–สะสมไอเคมีเครื่องปฏิกรณ์ โดยมีขั้นตอนดังนี้ หลังจากที่การเจริญเติบโตของ 25 nm ขนาดเลเยอร์ ( ปลูกที่ 535 องศาเซลเซียส ) , 2 - ม. n-gan ( 5 10 ซม. ในซิลิคอนยาสลบความเข้มข้น ) ฝากที่ 1070 C จากนั้นสองเงื่อนไขการเจริญเติบโต qw ถือว่าเป็น : 1 ) อุณหภูมิที่ 690 C , เวเฟอร์ ผู้ให้บริการการหมุนที่ 750 r / min และflแก๊ส . ราคาที่ 3 , 000 sccm n และ 3000 sccm สำหรับ NH 2 ) อุณหภูมิที่ 710 C , เวเฟอร์ ผู้ให้บริการการหมุนที่ 1500 r / min และflแก๊ส โอ้ว ราคาที่ 1 , 000 sccm n และ 1500 sccm สำหรับ NH . จึง RST และเงื่อนไขการเจริญเติบโตที่สองถูกออกแบบมาเพื่อการเจริญเติบโตของสีเขียวและสีฟ้า QWS ในการแสดง ที่ปล่อยตามลำดับ ทั้งหมดคือความหนาประมาณ 3 nm . กับที่แตกต่างกันของเงื่อนไขข้างต้น อินเดียมองค์ประกอบแตกต่างกัน นำไปสู่การปล่อยก๊าซเรือนกระจกของสีที่แตกต่างกัน บริสุทธิ์สีฟ้าหรือสีเขียว LEDs มี fabricated ตามการเจริญเติบโตของจึงได้ QWS ในการแสดงในเงื่อนไขเดียวกัน ใน qw ผสม