where the emission coefficient n va

where the emission coefficient n varies between 1 - 2 depending on the level of
recombination effect and IS is the diode reverse saturation current. And Vt = kT/q is the
thermal voltage (approximately 25.8 mV at 300K).
The primary function of the diode is the rectification. When it is forward biased
(higher potential at the anode lead), it will pass current. When it is reverse biased
(higher potential at the cathode lead), the current is blocked. The typical characteristic
curves of an ideal diode and a real diode are illustrated in Figure 2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่ปล่อยสัมประสิทธิ์ n แตกต่างกันระหว่าง 1-2 ขึ้นอยู่กับระดับของผล recombination และจะมีไดโอดกลับอิ่มตัวปัจจุบัน และ Vt = kT/q เป็นการแรงดันความร้อน (ประมาณ 25.8 mV ที่ 300K)ฟังก์ชันหลักของไดโอดเป็นการแก้ไข เมื่อมันจะลำเอียงไปข้างหน้า(มีศักยภาพสูงที่นำแอโนด), มันจะผ่านปัจจุบัน เมื่อมัน กลับ biased(มีศักยภาพสูงที่รอแคโทด), ปัจจุบันถูกบล็อค ลักษณะทั่วไปเส้นโค้งของไดโอดเหมาะและไดโอดจริงจะแสดงในรูปที่ 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซึ่งการปล่อยค่าสัมประสิทธิ์ n แตกต่างกันระหว่าง 1 - 2 ขึ้นอยู่กับระดับของ
ผลกระทบและมีการรวมตัวกันเป็นไดโอดอิ่มตัวย้อนกลับปัจจุบัน และ Vt = โฮเทล / q เป็น
แรงดันความร้อน (ประมาณ 25.8 mV ที่ 300K).
ฟังก์ชั่นหลักของไดโอดเป็นสัตยาบัน เมื่อได้มีการลำเอียงไปข้างหน้า
(ที่มีศักยภาพสูงที่นำขั้วบวก) ก็จะผ่านปัจจุบัน เมื่อได้มีการลำเอียงย้อนกลับ
(ที่มีศักยภาพสูงที่นำขั้วลบ) ในปัจจุบันจะถูกบล็อค ลักษณะโดยทั่วไป
เส้นโค้งของไดโอดที่เหมาะและไดโอดจริงจะแสดงในรูปที่ 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่เพิ่มค่า n แตกต่างกันระหว่าง 1 - 2 ขึ้นอยู่กับระดับของผลกระทบและการเป็นไดโอดกระแสย้อนกลับอิ่มตัว . VT = และ KT / Q คือความร้อนแรงดัน ( ประมาณ 25.8 MV ที่ 300 )หน้าที่หลักของไดโอดแก้ไข . เมื่อมันลำเอียงไปข้างหน้า( สูงกว่าศักยภาพที่ขั้วบวกตะกั่ว ) ก็จะผ่านปัจจุบัน เมื่อมันกลับ มีอคติ( สูงกว่าศักยภาพที่แคโทดตะกั่ว ) ปัจจุบันถูกปิด ลักษณะทั่วไปเส้นโค้งของไดโอดอุดมคติและไดโอดจริงจะแสดงในรูปที่ 2