Rare-earth (RE)-doped wide-band-gap

Rare-earth (RE)-doped wide-band-gap semiconductors have
attracted considerable interest as a basis for optoelectronic
devices, which combine the electronic properties of semiconductors
with the unique luminescence features of RE ions [1–4].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ธาตุหายาก (ใหม่) -doped อิเล็กทรอนิกส์ช่องว่างวงกว้างได้ดึงดูดความสนใจมากเป็นพื้นฐานสำหรับ optoelectronicอุปกรณ์ ซึ่งรวมคุณสมบัติของอิเล็กทรอนิกส์อิเล็กทรอนิกส์มีคุณสมบัติเฉพาะ luminescence ของ RE ประจุ [1-4]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ธาตุดิน (RE) -doped
เซมิคอนดักเตอร์วงกว้างช่องว่างได้ดึงดูดความสนใจมากเป็นพื้นฐานสำหรับการoptoelectronic
อุปกรณ์ที่รวมคุณสมบัติของเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ที่มีคุณสมบัติเรืองแสงที่ไม่ซ้ำกันของไอออน RE [1-4]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แผ่นดินที่หายาก ( อีกครั้ง ) - doped กว้างช่องว่างแถบเซมิคอนดักเตอร์มี
ดึงดูดความสนใจมากเป็นพื้นฐานสำหรับอุปกรณ์ optoelectronic
ซึ่งรวมคุณสมบัติอิเล็กทรอนิกส์สารกึ่งตัวนำ
กับคุณลักษณะเฉพาะของไอออนเรืองแสงอีกครั้ง [ 1 - 1 ]