Doping of Si with a very low percen

Doping of Si with a very low percentage of lanthanide luminescent material in their nanosize cavities exhibitsstrong

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โดปปิงค์ของ Si มีเปอร์เซ็นต์ต่ำมากวัสดุ luminescent แลนทาไนด์ใน exhibitsstrong ผุ nanosize ของพวกเขา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ยาสลบของศรีมีเปอร์เซ็นต์ที่ต่ำมากของวัสดุเรืองแสง lanthanide ในโพรงของพวกเขา nanosize exhibitsstrong

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลงานของศรีกับต่ำมากร้อยละของแลนทาไนด์ในโพรงของพวกเขา exhibitsstrong nanosize วัสดุเรืองแสง