closely spaced around the pH-sensit

closely spaced around the pH-sensitive gate of the ISFET. Figure 7 shows the basic elements of such a device.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อย่างใกล้ชิดเว้นรอบประตูของ ISFET ไวต่อค่า pH รูปที่ 7 แสดงองค์ประกอบพื้นฐานของอุปกรณ์ดังกล่าว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เว้นระยะห่างอย่างใกล้ชิดรอบประตูไวต่อค่า pH ของ ISFET รูปที่ 7 แสดงให้เห็นถึงองค์ประกอบพื้นฐานของอุปกรณ์ดังกล่าว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เว้นระยะอย่างใกล้ชิดรอบอ อ่อนไหว ประตูของ isfet . รูปที่ 7 แสดงองค์ประกอบพื้นฐานของอุปกรณ์ดังกล่าว .