Residue of the resist is stripped i

Residue of the resist is stripped in nitric acid and the device is submerged in HF solution to etch the oxide.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เหลือต่อต้านปล้นในกรดไนตริกและอุปกรณ์ที่จมอยู่ใต้น้ำในการแก้ปัญหาการกัด HF ออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สารตกค้างต่อต้านการถูกปล้นในกรดไนตริก และแช่อุปกรณ์ในโซลูชัน HF กัดเป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คราบของความต้านทานที่ถูกกรดในดินประสิวและอุปกรณ์ที่มีน้ำขังอยู่ในโซลูชัน HF ไปยัง or chemical etch mark ออกไซด์