The EQE losses in the top cell from

The EQE losses in the top cell from 350 nm to 550 nm were attributed to an increased reflection due to a smoother ZnO/a-Si:H interface as confirmed by reflection measurements on the entire cell shown in Fig. 11.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขาดทุน EQE ในเซลล์ด้านบนจาก 350 nm ไป 550 nm ได้บันทึกการสะท้อนเพิ่มขึ้นเนื่องจาก ZnO เรียบ/เป็น-ติดต่อ Si:H เป็น confirmed โดยวัดสะท้อนในเซลล์ทั้งหมดที่แสดงใน Fig. 11

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความเสียหายที่เกิด EQE ในมือถือชั้นนำจาก 350 นาโนเมตรถึง 550 นาโนเมตรถูกประกอบกับการสะท้อนเพิ่มขึ้นเนื่องจากความนุ่มนวล ZnO / a-Si: H อินเตอร์เฟซที่เป็นนักโทษสาย rmed โดยการวัดการสะท้อนในเซลล์ทั้งหมดที่แสดงในรูป 11

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ eqe ขาดทุนในเซลล์ด้านบนจาก 350 nm 550 nm ) เกิดจากการสะท้อนที่เพิ่มขึ้นเนื่องจากการเรียบ ZnO / อะมอร์ฟัสซิลิคอน H อินเตอร์เฟซเป็นคอน จึง rmed โดยการสะท้อนของการวัดในเซลล์ทั้งหมด แสดงในรูปที่ 11