Improved device performance of AlGa

Improved device performance of AlGaInP-based vertical light-emitting diodes
with low-n ATO antireflective coating layer

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อุปกรณ์ปรับปรุงประสิทธิภาพของ AlGaInP ตามแนวตั้งแสง–เปล่งไดโอดมีชั้นเคลือบกันแสงสะท้อน ATO ต่ำ n

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ประสิทธิภาพของอุปกรณ์ที่ดีขึ้นของ AlGaInP ตามไดโอดเปล่งแสงในแนวตั้ง
ด้วยชั้นเคลือบสะท้อนต่ำ-N ATO

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ algainp ไดโอดเปล่งแสงตามแนวตั้งกับ low-n ATO เคลือบชั้น antireflective