Here we present a new combination o

Here we present a new combination of solutionprocessed
nanocomposite FETs based on a dual layer active channel of
intrinsic silicon (Si) nanowires and organic semiconducting poly(3
hexylthiophene) (P3HT) polymers

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่นี่เรานำเสนอชุดใหม่ solutionprocessedสิต FETs ตามช่องทางใช้งานอยู่ชั้นสองของnanowires intrinsic ซิลิคอน (Si) และอินทรีย์โลหะโพลี (3โพลีเมอร์ hexylthiophene) (P3HT)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่นี่เรานำเสนอการรวมกันใหม่solutionprocessed
FETs นาโนคอมโพสิตอยู่บนพื้นฐานของการใช้งานช่องชั้นสองของ
ซิลิกอนที่แท้จริง (SI) และโพลี nanowires กึ่งตัวนำอินทรีย์ (3
hexylthiophene) (P3HT) โพลิเมอร์