the Dirac point of the GFETs shifts

the Dirac point of the GFETs shifts slightly to a positive gate at
VG¼8 V, demonstrating light p-type hole doping performance.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จุดดิแรกของ GFETs กะไปบวกที่เล็กน้อยVG¼ 8 V, p-ชนิดแสงเห็นหลุมโดปปิงค์ประสิทธิภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จุดแรคของ GFETs กะเล็กน้อยบวกประตูที่
VG¼ 8 V แสดงให้เห็นถึงชนิดพีประสิทธิภาพยาสลบหลุมไฟ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดิแรกจุดของ gfets กะเล็กน้อยบวกประตูที่ 2 ¼ 
8 V , แสดงให้เห็นถึงแสงพีรูเติมประสิทธิภาพ