II. MOSFET DEVICE OVERVIEWBefore we

II. MOSFET DEVICE OVERVIEW
Before we go further, we first overview the principle structure and important parameters of the core unit of CMOS i.e.
MOSFETs. It will give us firm understanding of the scaling problems. The name 'metal-oxide-semiconductor' represents
the materials used to form the early fabricated MOSFETs. Figure 1 shows the typical structure of a MOSFET with
the three material layers: the metal gate electrode, the gate dielectric, and the silicon substrate. Nowadays, the metal gate
electrode and silicon oxide-based gate dielectric have been replaced by polycrystalline silicon and high-k material such
as Hf-based Zr-based, respectively [6]. The source and drain are formed by adding impurity dopant
into substrate. The semiconductor material in the source and

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ภาพรวมอุปกรณ์ II. มอสเฟต
ก่อนเราไปอีก เราแรกภาพรวมโครงสร้างหลักและพารามิเตอร์ที่สำคัญของหน่วยหลักของ CMOS i.e.
MOSFETs มันจะให้เราเข้าใจปัญหามาตราส่วนของบริษัท แทนที่ชื่อ 'โลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำ'
MOSFETs หลังสร้างวัสดุที่ใช้แบบช่วง รูปที่ 1 แสดงโครงสร้างทั่วไปของมอสเฟตด้วย
ชั้นวัสดุ 3: ไฟฟ้าประตูโลหะ dielectric ประตู และพื้นผิวซิลิกอนที่ ปัจจุบัน ประตูโลหะ
อิเล็กโทรดและซิลิคอนออกไซด์ตามประตู dielectric ถูกแทน ด้วยคซิลิคอนและ k สูงวัสดุเช่น
เป็น Hf ใช้ Zr ตาม ตามลำดับ [6] แหล่งที่มาและท่อระบายน้ำเกิดขึ้น โดยการเพิ่มมลทิน dopant
ในพื้นผิว วัสดุสารกึ่งตัวนำในแหล่ง และ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ครั้งที่สอง MOSFET อุปกรณ์ภาพรวม
ก่อนที่เราจะไปต่อเราแรกภาพรวมโครงสร้างหลักการและพารามิเตอร์ที่สำคัญของหน่วยหลักของ CMOS เช่น
MOSFETs มันจะทำให้เรามีความเข้าใจ บริษัท ของปัญหาการปรับ ชื่อของโลหะออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์นี้เป็น
วัสดุที่ใช้ในรูปแบบ MOSFETs ประดิษฐ์ต้น รูปที่ 1 แสดงโครงสร้างทั่วไปของมอสเฟตที่มี
สามชั้นวัสดุอิเล็กโทรดประตูโลหะอิเล็กทริกประตูและพื้นผิวซิลิกอน ปัจจุบันประตูโลหะ
อิเล็กโทรดและซิลิกอนออกไซด์ตามประตูอิเล็กทริกได้ถูกแทนที่ด้วยซิลิคอน polycrystalline และวัสดุที่สูง k ดังกล่าว
เป็น Hf ตาม Zr ตามลำดับ [6] แหล่งที่มาและท่อระบายน้ำจะเกิดขึ้นโดยการเพิ่มการปนเปื้อนสารเจือปน
ลงไปในพื้นผิว วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ในแหล่งที่มาและ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 . อุปกรณ์มอสเฟตภาพรวม
ก่อนที่เราจะไปกันต่อ เราแรกภาพรวมหลักการโครงสร้างและพารามิเตอร์ที่สำคัญของหน่วยหลักของ CMOS คือ
สอด มันจะให้เราปรับความเข้าใจ บริษัท ของปัญหา ชื่อ ' ' เป็นสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์
วัสดุที่ใช้รูปแบบแรกประดิษฐ์สอด รูปที่ 1 แสดงโครงสร้างโดยทั่วไปของมอสเฟตกับ
3 วัสดุชั้น : ประตูโลหะไฟฟ้า , ประตู dielectric และซิลิคอน . ทุกวันนี้ ประตูโลหะซิลิคอนออกไซด์
ไฟฟ้าและประตูก็ถูกแทนที่ด้วยการใช้ซิลิคอน polycrystalline และไฮ เควัสดุเช่น
เป็น HF ใช้ ZR ใช้ตามลำดับ [ 6 ] แหล่งที่มาและรูปแบบโดยการเพิ่มการระบายสิ่งเจือปนโดพันท์
เป็นสับสเตรทสารกึ่งตัวนำวัสดุในแหล่งที่มาและ