The frequency dependenceof the TSV

The frequency dependence
of the TSV capacitance can be seen in Fig. 5 (top), where
the simulation is performed using a boron-doped bulk silicon
(2.151015 cm3).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การพึ่งพาความถี่ของ TSV ความสามารถเห็นได้ใน Fig. 5 (บน), ที่ทำการจำลองการใช้ซิลิคอนโบรอน doped จำนวนมาก(2.15 1015 ซม. 3)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การพึ่งพาอาศัยความถี่ของความจุ TSV ที่สามารถมองเห็นในรูป
5 (บนสุด)
ที่จำลองจะดำเนินการโดยใช้กลุ่มโบรอนเจือซิลิกอน
(2.15? 1015 ซม. 3)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความถี่ในการพึ่งพา
ของ TSV ความจุที่สามารถเห็นได้ในรูปที่ 5 ( ด้านบน ) ที่
การจำลองจะดําเนินการโดยใช้เจือโบรอน ซิลิคอน เป็นกลุ่ม
( 2.15  พี่มีซม.  3 )