Most recently, PVD and CVD have bee

Most recently, PVD and CVD have been employed to prepare
single layer In2Se3. PVD has been used successfully to prepare
GaSe and lateral heterojunctions. Lin et al. epitaxially
synthesized In2Se3 layers on mica and graphene. Monolayered
In2Se3 were obtained along with the formation of thick In2Se3
layers. This method opened a new way to synthesize the largesize
In2Se3 monolayer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อเร็ว ๆ นี้ PVD และ CVD
ได้รับการว่าจ้างเพื่อเตรียมความพร้อมชั้นเดียวIn2Se3 PVD
ได้รับการใช้ประสบความสำเร็จเพื่อเตรียมความพร้อมกรณีนำheterojunctions และด้านข้าง หลิน et al, epitaxially
สังเคราะห์ชั้น In2Se3 ในแก้วและกราฟีน Monolayered
In2Se3 ที่ได้รับพร้อมกับการก่อตัวของความหนา In2Se3
ชั้น วิธีการนี้จะเปิดทางใหม่ในการสังเคราะห์ largesize
In2Se3 monolayer

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มากที่สุดเมื่อเร็ว ๆนี้และมีการใช้บริการเพิ่มขึ้นเพื่อเตรียม
in2se3 ชั้นเดียว PVD ได้ใช้เรียบร้อยแล้ว เตรียมตัว
เดีย และด้านข้าง heterojunctions . หลิน et al . epitaxially
สังเคราะห์ in2se3 ชั้นบนแก้วและกราฟีน . monolayered
in2se3 ได้รับพร้อมกับการก่อตัวของชั้น in2se3
หนา วิธีนี้เปิดวิธีการใหม่เพื่อสังเคราะห์ largesize
in2se3 อย่าง .