The EIS under illumination exhibits

The EIS under illumination exhibits three semicircles, as shown in Figure 6. The high-frequency range
represents the charge transfer at the Pt counter electrode (Rct,pt), the middle-frequency range is related to the charge
transport (Rt)/recombination (Rct) at the TiO2/electrolyte interface, and the low-frequency range is assigned to the
ionic diffusion in the electrolyte. The EIS can be fitted with an equivalent circuit on the basis of the transmission
line model [7], [17], [18]. Lower resistance causes higher electron transfer, i.e. high Ș, in DSSC. The ohmic serial
resistance (Rs) (intersection of high-frequency circle and x-axis) is mainly associated with the sheet resistance of the
FTO substrate. The DSSC using ILE shows the smallest semicircles representing Rct2 and Rdiff, and the interfacial
resistances were general lower for DSSC using ILE as electrolyte. While the DSSC containing nanoparticles
exhibits the higher Rct2 and Rdiff, corresponding to their DSSC efficiency.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

EIS ภายใต้แสงสว่างจัดแสดงสาม semicircles ดังที่แสดงในรูปที่ 6 ช่วงความถี่สูงแสดงค่าธรรมเนียมโอนที่ไฟฟ้าเคาน์เตอร์ Pt (Rct, pt) ช่วงความถี่กลางเกี่ยวข้องกับค่าธรรมเนียมขนส่ง (Rt) / recombination (Rct) ที่อินเทอร์เฟซของ TiO2/อิเล็ก โทร และช่วงความถี่ต่ำให้การแพร่ ionic ในอิเล็กโทรไล EIS สามารถประกอบเข้ากับวงจรเทียบเท่าโดยการส่งผ่านบรรทัดรูป [7], [17], [18] ความต้านทานต่ำทำให้เกิดถ่ายโอนอิเล็กตรอนสูง เช่นสูงȘ ใน DSSC หมายเลขประจำสินค้าแบบโอห์มมิคความต้านทาน (Rs) (จุดตัดของวงกลมความถี่สูงและแกน) เป็นส่วนใหญ่เกี่ยวข้องกับความต้านทานของแผ่นงานของการพื้นผิวของ FTO DSSC ใช้เมาแสดง semicircles น้อยที่สุดที่แสดง ถึง Rct2 และ Rdiff, interfacial ที่ความต้านทานได้ทั่วไปต่ำกว่าสำหรับ DSSC ใช้เมาเป็นอิเล็กโทร ขณะ DSSC ที่ประกอบด้วยการเก็บกักจัดแสดง Rct2 และ Rdiff ที่สอดคล้องกับประสิทธิภาพของ DSSC สูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

EIS ส่องสว่างภายใต้การจัดแสดงนิทรรศการสาม semicircles ดังแสดงในรูปที่ 6
ช่วงความถี่สูงแสดงให้เห็นถึงการถ่ายโอนค่าใช้จ่ายที่เคาน์เตอร์อิเล็กโทรพอยต์(Rct, พอยต์)
ช่วงความถี่กลางที่เกี่ยวข้องกับค่าใช้จ่ายการขนส่ง(Rt) / รวมตัวกันอีก (Rct) ที่อินเตอร์เฟซ TiO2 /
อิเลคและช่วงความถี่ต่ำถูกกำหนดให้กับการแพร่กระจายของไอออนในอิเล็กโทรไล EIS
สามารถติดตั้งกับวงจรเทียบเท่าบนพื้นฐานของการส่งสายรูปแบบ[7] [17], [18] ต้านทานที่ต่ำกว่าทำให้เกิดการถ่ายโอนอิเล็กตรอนที่สูงขึ้น, S สูงเช่นใน DSSC อนุกรม ohmic
ต้านทาน (อาร์เอส) (จุดตัดของวงกลมความถี่สูงและแกน x)
มีความเกี่ยวข้องส่วนใหญ่มีความต้านทานต่อแผ่นของพื้นผิวFTO DSSC ใช้แสดง ILE semicircles ที่เล็กที่สุดและเป็นตัวแทน Rct2 rdiff และ interfacial
ต้านทานได้ทั่วไปที่ต่ำกว่าสำหรับ DSSC ใช้เป็นอิเล็กโทรไล ILE ในขณะที่มีอนุภาคนาโน DSSC
การจัดแสดงนิทรรศการที่สูงกว่า Rct2 rdiff และสอดคล้องกับประสิทธิภาพ DSSC ของพวกเขา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การบูรณาการภายใต้รัศมีประมาณ 3 semicircles ดังแสดงในรูปที่ 6 ช่วงความถี่สูง
เป็นค่าธรรมเนียมการโอนที่เคาน์เตอร์ ขั้วไฟฟ้า ( Razorflame PT PT ) , ช่วงความถี่กลางที่เกี่ยวข้องกับการคิดค่าขนส่ง ( RT )
/ recombination ( Razorflame ) ที่ TiO2 / อิเล็กโทรอินเตอร์เฟซ และช่วงความถี่ต่ำที่มอบหมายให้
กระจายไอออนในอิเล็กโทรไลต์ที่ EIS สามารถติดตั้งกับวงจรสมมูลบนพื้นฐานของการส่งผ่าน
เส้นแบบ [ 7 ] , [ 17 ] , [ 18 ] ต้านทานลดสาเหตุการถ่ายโอนอิเล็กตรอนสูงกว่า เช่น สูงȘ DSSC ใน . ค่าความต้านทานอนุกรม
( R ) ( จุดตัดของแกนวงกลมและความถี่สูง ) เป็นส่วนใหญ่ที่เกี่ยวข้องกับแผ่นความต้านทานของ
FTO ที่ทนทานที่ใช้ในการแสดง semicircles DSSC เล็กที่สุดและเป็นตัวแทน rct2 rdiff และความต้านทานระหว่าง
ลดลงทั่วไปสำหรับใช้ใน DSSC เป็นอิเล็กโทรไลต์ ในขณะที่ DSSC ที่มีอนุภาคนาโน
จัดแสดงและสูงกว่า rct2 rdiff DSSC ที่ประสิทธิภาพของพวกเขา