Inorganic semiconductors are promis

Inorganic semiconductors are promising as light harvesting
material for next generation q-dot sensitized solar cells [1].
Attractive feature of q-dots is the ability to tune the band gap of q-dots
to harvest near infra-red to ultraviolet region of the solar spectrum [2].
Characteristic features of q-dots such as tunable band gaps and broad-band absorption properties,persuade sci-entific research interest on semiconductor sensitized solar cells[3].
Light harvesting q-dots can be anchored on high bandgap mesoporous semiconductor materials to sensitize the semi-conductor based photoanode resembling to configuration of dye
sensitized solar cells(DSSC) [4].In recent investigations, 8 and 7.5% solar cell efficiencies were reported for q-dot solar cells fab-ricated with PbS [5] and Sb2S3 [6] respectively,yet these efficiencies are inferior to that of DSSC
Co-sensitized PbS/CdS q-dot solar cells are found to be the promising choice in q-dot solar cells due to their efficient light harvesting properties,ease of fabrication and the low cost.By
using SILAR method,PbS/CdS has been anchored on TiO2, ZnO,SnO2 and achieved 2.3% efficiency with SnO2 photoelectrode [7].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นินทรีย์อิเล็กทรอนิกส์มีแนวโน้มเป็นเบาเก็บเกี่ยววัสดุสำหรับ q ถัดไปสร้างจุดครีมเซลล์แสงอาทิตย์ [1]คุณลักษณะที่น่าสนใจของจุด q คือ ความสามารถในการปรับแต่งช่องว่างวงของจุด qการเก็บเกี่ยวใกล้อินฟาเรดภูมิภาครังสีของสเปกตรัมแสงอาทิตย์ [2]ลักษณะคุณสมบัติของจุด q เช่นช่องว่างวง tunable และคุณสมบัติดูดซึมวงกว้าง ชักชวนสนใจวิจัยวิทยาศาสตร์วิศวกรรม-entific บนสารกึ่งตัวนำครีมเซลล์แสงอาทิตย์ [3]แสงเก็บเกี่ยวจุด q สามารถยึดวัสดุสารกึ่งตัวนำตัว bandgap สูงเพื่อ sensitize คล้าย photoanode สารกึ่งตัวนำที่ใช้การกำหนดค่าของสีย้อมครีม cells(DSSC) พลังงานแสงอาทิตย์ [4] ในการตรวจสอบล่าสุด 8 และ 7.5% ประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์มีรายงานสำหรับ q จุดแสงอาทิตย์เซลล์ ricated fab Sb2S3 และ PbS [5] [6] ตามลำดับ ยังมีประสิทธิภาพเหล่านี้ด้อยกว่า DSSC เซลล์แสงอาทิตย์จุด q PbS/ซี ครีมร่วมอยู่เป็น ทางเลือกสัญญาในเซลล์แสงอาทิตย์ที่จุด q เนื่องจากแสงสว่างมีประสิทธิภาพเก็บเกี่ยวคุณสมบัติ ความง่ายในการผลิต และต้นทุนต่ำ โดยโดยใช้วิธี SILAR, PbS/ซี ดีมีการยึดบน TiO2, ZnO, SnO2 และประสบความสำเร็จ 2.3% ประสิทธิภาพ ด้วย photoelectrode SnO2 [7]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซมิคอนดักเตอร์นินทรีย์มีแนวโน้มเก็บเกี่ยวเป็นแสง
วัสดุสำหรับรุ่นต่อไป Q-dot ของเซลล์ [1].
คุณลักษณะที่น่าสนใจของ Q-จุดคือความสามารถในการปรับแต่งช่องว่างวงของ Q-จุด
ที่จะเก็บเกี่ยวใกล้อินฟาเรดในภูมิภาคอัลตราไวโอเลตของ สเปกตรัมแสงอาทิตย์ [2].
คุณสมบัติลักษณะของ Q-จุดเช่นช่องว่างพริ้งวงและคุณสมบัติการดูดซึมวงกว้างชักชวนงานวิจัยที่สนใจ Sci-entific ON Semiconductor ของเซลล์ [3].
เก็บเกี่ยวเบา Q-จุดสามารถทอดสมออยู่ bandgap สูง วัสดุเซมิคอนดักเตอร์เมจะมีความรู้สึก photoanode ตามกึ่งตัวนำที่คล้ายกับการกำหนดค่าของสีย้อม
ไวแสงเซลล์แสงอาทิตย์ (DSSC) [4] ซึ่งในการตรวจสอบล่าสุด, 8 และ 7.5% ประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์ได้รับรายงานสำหรับ Q-dot เซลล์แสงอาทิตย์ Fab-ricated กับพีบีเอส [5] และ Sb2S3 [6] ตามลำดับ แต่มีประสิทธิภาพเหล่านี้จะด้อยกว่าที่ DSSC
ร่วมไวพีบีเอสซีดี / Q-dot เซลล์แสงอาทิตย์จะพบว่าเป็นทางเลือกที่มีแนวโน้มในเซลล์แสงอาทิตย์ Q-dot เนื่องจากคุณสมบัติการเก็บเกี่ยวแสงที่มีประสิทธิภาพของพวกเขา ความสะดวกในการผลิตและ cost.By ต่ำ
โดยใช้วิธีการ SILAR พีบีเอสซีดี / ได้รับการทอดสมออยู่ TiO2, ซิงค์ออกไซด์, SnO2 และประสบความสำเร็จอย่างมีประสิทธิภาพ 2.3% โดยมี SnO2 photoelectrode [7]