Anodic bonding can be applied with

Anodic bonding can be applied with glass wafers at temperatures of 250 to 400 °C or with sputtered glass at 400 °C.[3] Structured borosilicate glass layers may also be deposited by plasma-assisted e-beam evaporation.[4]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สามารถใช้งาน anodic รับแก้วที่อุณหภูมิ 250-400 องศาเซลเซียส หรือแก้ว sputtered ที่ 400 องศาเซลเซียส [3] ชั้นแก้ว borosilicate โครงสร้างอาจยังสามารถฝากเงิน โดยระเหยพลาสม่าช่วยอีบีม [4]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พันธะขั้วบวกสามารถนำมาใช้กับเวเฟอร์แก้วที่อุณหภูมิ 250-400 องศาเซลเซียสหรือแก้ว sputtered ที่ 400 ° C. [3] โครงสร้างชั้นแก้ว borosilicate นอกจากนี้ยังอาจนำมาฝากกันโดยพลาสม่าช่วยระเหย E-คาน. [4]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การสามารถใช้เชื่อมกับเวเฟอร์ กระจก ที่อุณหภูมิ 250 ถึง 400 องศา C หรือ 400 องศา กับ sputtered แก้ว borosilicate glass [ 3 ] โครงสร้างชั้นอาจจะฝากด้วยพลาสมาช่วย e-beam การระเหย . [ 5 ]