tPlasma facing components for fusio

tPlasma facing components for fusion applications must have to exhibit long-term stability under extremephysical conditions, and therefore any material imperfections caused by mechanical and/or thermalstresses in the shaping processes cannot be tolerated due to a high risk of possible technical failuresunder fusion conditions. To avoid such defects, the method of Electrochemical Machining (ECM) enablesa complete defect-free processing of removal of tungsten material during the desired shaping, also forhigh penetration depths. Furthermore, supported by lithographic mask pretreatment, three-dimensionaldistinct geometric structures can be positive-imaged via the directional galvanic dissolution applyingM-ECM process into the tungsten bulk material.New required applications for tungsten components, e.g. as adhesion promotors in W-surfaces toenable sure grip and bonding of thick plasma-spraying layers for blanket components, will define theway of further miniaturization of well-established millimeter dimensioned M-ECM shaping processesto dimensions of 100 m and furthermore down to 50 m. Besides current M-ECM limits the articledescribes inevitable needs of further developments for mask resists, mask materials and the resultingECM parameters, to reach the needed accuracy in tungsten microstructure. The achieved progress andobserved correlations of processing parameters will be manifested by produced demonstrators made bythe new “M”-ECM process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

tPlasma หันส่วนประกอบสำหรับใช้งานฟิวชั่นต้องมีการจัดแสดงระยะยาวความมั่นคงภายใต้เงื่อนไข extremephysical ดังนั้นจึงเกิดจากความไม่สมบูรณ์ใด ๆ วัสดุเครื่องกล หรือ thermalstresses ในกระบวนการ shaping ไม่ยอมรับเนื่องจากมีความเสี่ยงสูงของเงื่อนไขฟิวชั่น failuresunder เป็นไปได้ทางเทคนิค เพื่อหลีกเลี่ยงข้อบกพร่องดังกล่าว วิธีการไฟฟ้าเคมีเครื่องจักรกล (ECM) enablesa สมบูรณ์ปราศจากข้อบกพร่องดำเนินการกำจัดวัสดุทังสเตนในช่วงต้องการสร้างรูปร่าง ยัง forhigh เจาะลึก นอกจากนี้ สนับสนุน โดยปรับสภาพหน้ากากสีบนแผ่นเหล็ก โครงสร้างทางเรขาคณิตสาม dimensionaldistinct สามารถ imaged บวกผ่านกระบวนการ applyingM ECM ทิศทางไฟฟ้ายุบลงในวัสดุทังสเตนจำนวนมาก ใช้งานใหม่ที่จำเป็นสำหรับทังสเตนส่วนประกอบ เช่น promotors ยึดเกาะพื้นผิวที่ W toenable จับแน่และพันธะของชั้นพลาพ่นหนาสำหรับคอมโพเนนต์แบบครอบคลุม จะกำหนด theway ของ miniaturization ต่อไปดีขึ้นมิลลิเมตรขนาด M-ECM shaping processesto ขนาด 100 เมตร และนอกจากนี้ ลงไป 50 เมตร นอกจากปัจจุบันเอ็ม ECM จำกัด ความต้องการหลีกเลี่ยงไม่ได้ของ articledescribes ของการพัฒนาเพิ่มเติมสำหรับหน้ากากป้องกัน หน้ากากวัสดุและพารามิเตอร์ resultingECM ถึงความถูกต้องที่จำเป็นในโครงสร้างจุลภาคของทังสเตน สัมพันธ์ andobserved ที่ประสบความสำเร็จความก้าวหน้าของการประมวลผลพารามิเตอร์ที่จะประจักษ์ โดยโดยผู้ประท้วงผลิตทำใหม่ "M"-กระบวนการ ECM

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หันหน้าไปทาง tPlasma ส่วนประกอบสำหรับการใช้งานฟิวชั่นต้องมีการแสดงความมั่นคงในระยะยาวภายใต้เงื่อนไข extremephysical และดังนั้นจึงไม่สมบูรณ์ของวัสดุใด ๆ ที่เกิดจากเครื่องจักรกลและ / หรือ thermalstresses ในกระบวนการสร้างไม่สามารถได้รับการยอมรับเนื่องจากมีความเสี่ยงสูงของ failuresunder ทางเทคนิคเงื่อนไขฟิวชั่นที่เป็นไปได้ เพื่อหลีกเลี่ยงข้อบกพร่องดังกล่าววิธีการของเครื่องจักรไฟฟ้า (ECM) enablesa สมบูรณ์การประมวลผลปราศจากข้อบกพร่องของการกำจัดของวัสดุทังสเตนในระหว่างการสร้างที่ต้องการยัง forhigh ความลึกเจาะ นอกจากนี้ได้รับการสนับสนุนโดยการพิมพ์หินหน้ากากปรับสภาพโครงสร้างทางเรขาคณิตสาม dimensionaldistinct สามารถบวกอิมเมจผ่านกระบวนการการสลายไฟฟ้า applyingM-ECM ทิศทางเข้าไปในกลุ่มทังสเตน material.New จำเป็นต้องใช้งานสำหรับส่วนประกอบทังสเตนเช่น เป็น promotors การยึดเกาะใน W-พื้นผิว toenable Sure Grip และพันธะของชั้นพลาสม่าฉีดพ่นหนาสำหรับส่วนประกอบผ้าห่มจะกำหนด theway ของ miniaturization เพิ่มเติมของมิลลิเมตรที่ดีขึ้นขนาด M-ECM สร้างมิติ processesto 100? เมตรและนอกจากนี้ลงไปที่ 50? ม. นอกจากนี้ในปัจจุบัน M-ECM จำกัด articledescribes ความต้องการหลีกเลี่ยงไม่ได้ของการพัฒนาต่อไปสำหรับหน้ากากขัดขืนวัสดุหน้ากากและพารามิเตอร์ resultingECM ไปถึงความถูกต้องจำเป็นต้องใช้ในจุลภาคทังสเตน ความคืบหน้าประสบความสำเร็จ andobserved ความสัมพันธ์ของพารามิเตอร์การประมวลผลจะประจักษ์โดยผู้ประท้วงผลิตทำ bythe ใหม่ "เอ็ม" กระบวนการ -ECM จะกำหนด theway ของ miniaturization เพิ่มเติมของมิลลิเมตรที่ดีขึ้นขนาด M-ECM สร้างมิติ processesto 100? เมตรและยิ่งลงไป 50 เมตร นอกจากนี้ในปัจจุบัน M-ECM จำกัด articledescribes ความต้องการหลีกเลี่ยงไม่ได้ของการพัฒนาต่อไปสำหรับหน้ากากขัดขืนวัสดุหน้ากากและพารามิเตอร์ resultingECM ไปถึงความถูกต้องจำเป็นต้องใช้ในจุลภาคทังสเตน ความคืบหน้าประสบความสำเร็จ andobserved ความสัมพันธ์ของพารามิเตอร์การประมวลผลจะประจักษ์โดยผู้ประท้วงผลิตทำ bythe ใหม่ "เอ็ม" กระบวนการ -ECM จะกำหนด theway ของ miniaturization เพิ่มเติมของมิลลิเมตรที่ดีขึ้นขนาด M-ECM สร้างมิติ processesto 100? เมตรและยิ่งลงไป 50 เมตร นอกจากนี้ในปัจจุบัน M-ECM จำกัด articledescribes ความต้องการหลีกเลี่ยงไม่ได้ของการพัฒนาต่อไปสำหรับหน้ากากขัดขืนวัสดุหน้ากากและพารามิเตอร์ resultingECM ไปถึงความถูกต้องจำเป็นต้องใช้ในจุลภาคทังสเตน ความคืบหน้าประสบความสำเร็จ andobserved ความสัมพันธ์ของพารามิเตอร์การประมวลผลจะประจักษ์โดยผู้ประท้วงผลิตทำ bythe ใหม่ "เอ็ม" กระบวนการ -ECM

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

tplasma ซึ่งส่วนประกอบสำหรับการประยุกต์ใช้ฟิวชั่น ต้องมีความมั่นคงในระยะยาว ภายใต้เงื่อนไข extremephysical และดังนั้น วัสดุใด ๆข้อบกพร่องที่เกิดจากเครื่องกลและ / หรือ thermalstresses ในการสร้างกระบวนการ ทนไม่ได้ เนื่องจากมีความเสี่ยงสูงที่สุด failuresunder ทางเทคนิคของเงื่อนไข เพื่อหลีกเลี่ยงข้อบกพร่องของเครื่องจักรกล เช่น วิธีทางเคมีไฟฟ้า ( ECM ) enablesa สมบูรณ์ฟรีของข้อบกพร่องของการกำจัดวัสดุทังสเตนในรูปร่างที่ต้องการ นอกจากนี้ forhigh การเจาะลึก . นอกจากนี้ การได้รับการสนับสนุนโดยหน้ากากลิโธกราฟฟิค , โครงสร้าง 3 dimensionaldistinct เรขาคณิตสามารถบวกอื่นๆ ผ่านทางทิศทางกระตุ้นการสลายตัว applyingm ECM กระบวนการเป็นทังสเตนขนาดใหญ่วัสดุ ใหม่โปรแกรมที่ต้องการสำหรับชิ้นส่วนทังสเตน เช่น จากการยึดติดใน w-surfaces promotors ทำให้แน่ใจว่าจับและพันธะของพลาสมาฉีดพ่นหนาชั้นส่วนผ้าห่ม จะกำหนดแนวทางของ miniaturization ต่อไปของ รู้จักมิลลิเมตร dimensioned m-ecm รูปร่าง processesto ขนาด 100 M และนอกจากนี้ลงไป 50 เมตร นอกจากนี้ m-ecm ปัจจุบัน จำกัด articledescribes หนีไม่พ้นความต้องการของการพัฒนาต่อไปสำหรับหน้ากากหน้ากากต่อต้าน , วัสดุและ resultingecm ถึงต้องการ accur พารามิเตอร์ มีคุณสมบัติในทังสเตนจุลภาค การบรรลุความคืบหน้า andobserved ความสัมพันธ์ของปัจจัยการแปรรูปจะปรากฏ โดยผู้ชุมนุมได้ใช้ผลิตใหม่ " M " - ECM กระบวนการ