Solar cells were fabricated in dry

Solar cells were fabricated in dry box with humidity inside
being about 15%. The patterned FTO coated glass substrates (Nippon,thickness:
2.2 mm, sheet resistance 14 −2) were cleaned with
deionized water, ethanol and acetone successively and then subjected
to an ozone-ultraviolet treatment for 15 min. Then the FTO
substrates were coated with a compact TiO2 layer deposited by
spin coating the TiO2 precursor solution at 2000 rpm for 60 s and
were subsequently under annealing at 500 ◦C for 30 min. The mesoporous
TiO2 layer composed of 25-nm-sized particles was obtained
by spin coating a commercial TiO2 paste (Dyesol 18NRT, Dyesol),
which was diluted in ethanol (1:7, weight ratio), at 3000 rpm for
30 s. Followed by heating at 325 ◦C for 5 min, 375 ◦C for 5 min,
450 ◦C for 15 min, and finally at 500 ◦C for 15 min respectively. The
mesoporous TiO2 film was then dipped into 20 mM TiCl4 aqueous
solution for 15 min at 70 ◦C and washed with deionized water and
alcohol, with sintered at 500 ◦C for 30 min subsequently. Before the
two-step spin-coating procedure, the TiO2-coated substrates were
heatedat 100 ◦Cfor 15 minandthen spin-coated with different concentrations
of DMF solution (30 l) containing PbI2 and CH3NH3I at
3000 rpm for 30 s. The molar ratio of PbI2 and CH3NH3I was 1:1.The
molar concentrations of PbI2 in DMF were 0.1 M, 0.2 M, 0.3 M and
0.4 M, respectively. For the DMF solution of 0.1 M, 46 mg PbI2 and
15.9 mg CH3NH3I were resolved in 1 ml DMF under stirring at 70 ◦C.
The corresponding films pre-treated by different concentrations of
DMF solution could be defined as x-prefilm (x = 0.1, 0.2, 0.3, and
0.4). After then, CH3NH3PbI3 was formed by two-step spin-coating
method. PbI2 solution(1 M) was prepared by dissolving 462 mg PbI2
in 1 ml DMF under stirring at 70 ◦C. PbI2 solution (20 l) was spincoated
on the pre-treated film at 6000 rpm for 10 s (withoutloading
time), the formed film can be named as PbI2-xprefilm. After spinning,
the film was dried in air at 40 ◦C for 3 min and then at 100 ◦C
for 5 min. After the substrate cooling down to room temperature,
200 l of 0.038 M (6 mg ml−1) CH3NH3I solution in isopropanol was
loaded on the PbI2-coated substrate for 20 s (loading time), which
was spun at 6000 rpm for 10 s and dried at 100 ◦C for 10 min. The
formed perovskite film with pre-treatment was labelled asMAPbI3-
xprefilm. After the substrate cooling down to room temperature,
a hole transport layer solution was spin-coated at 2000 rpm for
30 s, in which 1 ml spiro-OMeTAD/chlorobenzene (72.3 mg/mL)
solution was employed with addition of 18 ml Li-TFSI/acetonitrile
(520 mg/mL), and 29 ml 4-tert-butylpyridine. Devices were then
placed overnight in dry air for the spiro-OMeTAD to oxidize completely.
Finally, 80 nm gold electrodes were ion sputtered under
vacuum of ∼10−6 Torr, at a rate of ∼0.07 nm−1, to complete the
devices. The active area of the cell was approximately 0.15 cm2.
2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซลล์แสงอาทิตย์ถูกประดิษฐ์ในกล่องแห้งที่มีความชื้นภายใน
เป็นประมาณ 15% ลวดลายพื้นผิวเคลือบ FTO แก้ว (นิปปอนความหนา:
2.2 มมแผ่นความต้านทาน 14 -2) ได้รับการทำความสะอาดด้วย
น้ำกลั่นเอทานอลและอะซีโตนอย่างต่อเนื่องและจากนั้นภายใต้
การรักษาโอโซนรังสีอัลตราไวโอเลตนาน 15 นาที แล้ว FTO
พื้นผิวเคลือบด้วยชั้น TiO2 ขนาดกะทัดรัดฝากโดย
สปินเคลือบแก้ปัญหา TiO2 สารตั้งต้นที่ 2,000 รอบต่อนาที 60 และ
อยู่ต่อมาภายใต้การอบที่ 500 ◦Cเป็นเวลา 30 นาที เม
ชั้น TiO2 ประกอบด้วยอนุภาค 25 นาโนเมตรขนาดที่ได้รับ
จากการหมุนเคลือบ TiO2 วางพาณิชย์ (Dyesol 18NRT, Dyesol)
ซึ่งได้รับการเจือจางในเอทานอล (1: 7 อัตราส่วนน้ำหนัก) ที่ 3000 รอบต่อนาที
30 วินาที ตามมาด้วยความร้อนที่ 325 ◦Cเป็นเวลา 5 นาที, 375 ◦Cเป็นเวลา 5 นาที,
450 ◦Cเป็นเวลา 15 นาทีและสุดท้ายที่ 500 ◦Cเป็นเวลา 15 นาทีตามลำดับ
ฟิล์ม TiO2 เมถูกจุ่มลงแล้วเป็น 20 มิลลิเมตร TiCl4 น้ำ
โซลูชั่นสำหรับ 15 นาทีที่ 70 ◦Cและล้างด้วยน้ำกลั่นและ
เครื่องดื่มแอลกอฮอล์กับการเผาที่ 500 ◦Cเป็นเวลา 30 นาทีต่อมา ก่อนที่จะมี
สองขั้นตอนขั้นตอนการปั่นการเคลือบพื้นผิวเคลือบ TiO2 เป็น
heatedat 100 ◦Cfor 15 minandthen สปินเคลือบที่มีความเข้มข้นแตกต่างกัน
ของการแก้ปัญหากรมเชื้อเพลิงธรรมชาติ (30 ลิตร) มี PbI2 และ CH3NH3I ที่
3000 รอบต่อนาทีเป็นเวลา 30 วินาที อัตราส่วนโมลของ PbI2 และ CH3NH3I เท่ากับ 1: 1.
ความเข้มข้นของฟันกราม PbI2 ใน DMF 0.1 M, 0.2 M, 0.3 M และ
0.4 M ตามลำดับ สำหรับการแก้ปัญหา DMF 0.1 M 46 มิลลิกรัม PbI2 และ
15.9 มิลลิกรัม CH3NH3I ได้รับการแก้ไขใน 1 มิลลิลิตร DMF ภายใต้การกวนที่ 70 ◦C.
ภาพยนตร์ที่สอดคล้องกันก่อนรับการรักษาโดยความเข้มข้นแตกต่างกันของ
การแก้ปัญหา DMF อาจจะหมายถึง X-prefilm (x = 0.1, 0.2, 0.3 และ
0.4) หลังจากนั้น CH3NH3PbI3 ถูกสร้างขึ้นโดยสองขั้นตอนการหมุนเคลือบ
วิธีการ วิธีการแก้ปัญหา PbI2 (1 M) ถูกจัดทำขึ้นโดยการละลาย 462 มิลลิกรัม PbI2
ใน 1 มิลลิลิตร DMF ภายใต้การกวนที่ 70 ◦C วิธีการแก้ปัญหา PbI2 (20 ลิตร) คือ spincoated
บนก่อนรับการรักษาฟิล์มที่ 6000 รอบต่อนาทีเป็นเวลา 10 วินาที (withoutloading
เวลา), ภาพยนตร์รูปแบบที่สามารถนำมาตั้งชื่อเป็น PbI2-xprefilm หลังจากปั่น
ภาพยนตร์เรื่องนี้ถูกทำให้แห้งในอากาศที่ 40 ◦Cเป็นเวลา 3 นาทีแล้วที่ 100 ◦C
เป็นเวลา 5 นาที หลังจากที่พื้นผิวเย็นลงที่อุณหภูมิห้อง,
200 ลิตร 0.038 M (6 มิลลิกรัม ML-1) การแก้ปัญหา CH3NH3I ใน isopropanol ถูก
โหลดบนพื้นผิว PbI2 เคลือบเป็นเวลา 20 วินาที (เวลาในการโหลด) ซึ่ง
กำลังหมุนที่ 6000 รอบต่อนาที 10 วินาที และแห้งที่ 100 ◦Cเป็นเวลา 10 นาที
ภาพยนตร์ perovskite เกิดขึ้นกับการรักษาก่อนถูกตราหน้าว่า asMAPbI3-
xprefilm หลังจากที่พื้นผิวเย็นลงที่อุณหภูมิห้อง,
การแก้ปัญหาการขนส่งเลเยอร์หลุมเป็นสปินเคลือบที่ 2,000 รอบต่อนาที
30 วินาทีซึ่งใน 1 มิลลิลิตร Spiro-OMeTAD / คลอโร (72.3 mg / ml)
วิธีการแก้ปัญหาที่ถูกจ้างมาด้วยนอกเหนือจาก 18 มล. Li- TFSI / acetonitrile
(520 mg / ml) และ 29 มล. 4 tert-butylpyridine อุปกรณ์ถูกแล้ว
วางไว้ค้างคืนในอากาศแห้งสำหรับ Spiro-OMeTAD ออกซิไดซ์อย่างสมบูรณ์.
สุดท้ายขั้วไฟฟ้า 80 นาโนเมตรเป็นทองไอออนพ่นภายใต้
สูญญากาศของ ~10-6 Torr ในอัตรา ~0.07 นาโนเมตร-1, ให้เสร็จสมบูรณ์
อุปกรณ์ พื้นที่การใช้งานของเซลล์อยู่ที่ประมาณ 0.15 cm2.
2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เซลล์แสงอาทิตย์ถูกประดิษฐ์ในกล่องแห้งที่มีความชื้นภายในมีประมาณ 15 % ลวดลายกระจกเคลือบพื้นผิว ( ความหนา FTO ญี่ปุ่น ,2.2 มม. แผ่นความต้านทาน 14 − 2 ) สะอาดด้วยคล้ายเนื้อเยื่อประสานน้ำ เอทานอล และแบบกระชั้นชิดแล้วภายใต้การรักษาโอโซนอัลตราไวโอเลตเป็นเวลา 15 นาที จากนั้น FTOพื้นผิวที่ถูกเคลือบด้วยขนาดกะทัดรัด ) ชั้นฝากโดยปั่นเคลือบ TiO2 นำโซลูชั่นที่ 2000 รอบต่อนาที 60 วินาทีจัดการภายใต้การหลอมที่ 500 ◦ C 30 นาทีรัสชั้น ) จำนวน 25 nm ขนาดอนุภาคที่ได้รับโดยการหมุนเคลือบ TiO2 พาณิชย์วาง ( dyesol 18nrt dyesol , )ซึ่งเจือจางในเอทานอล ( 1 : 7 , น้ำหนักอัตราส่วนที่ 3000 รอบต่อนาที )30 วินาที ตามด้วย ความร้อนที่อุณหภูมิ 325 ◦ C เป็นเวลา 5 นาที , 375 ◦องศาเซลเซียสเป็นเวลา 5 นาที450 ◦เป็นเวลา 15 นาที และสุดท้ายที่ 500 ◦เป็นเวลา 15 นาที ตามลำดับ ที่ฟิล์ม TiO2 เมโซถูกจุ่มลงในสารละลาย ticl4 20 มม.โซลูชั่นสำหรับ 15 นาทีที่ 70 ◦ C และล้างด้วยน้ำคล้ายเนื้อเยื่อประสานแอลกอฮอล์กับการเผาอบผนึกที่อุณหภูมิ 500 ◦ C เป็นเวลา 30 นาที หลังจากนั้น ก่อนที่สองขั้นตอนการหมุนเคลือบ TiO2 เคลือบพื้นผิว คือ กระบวนการheatedat 100 ◦ C เป็นเวลา 15 minandthen หมุนที่เคลือบด้วยความเข้มข้นต่าง ๆโซลูชั่นของ DMF ( 30 ลิตร ) ที่มี pbi2 ch3nh3i ที่และ3 , 000 รอบต่อนาที เป็นเวลา 30 วินาที อัตราส่วนโมล 1 : ความ ch3nh3i pbi2 และค่าความเข้มข้นของ pbi2 ใน DMF เป็น 0.1 M , 0.2 M 0.3 M0.4 เมตร ตามลำดับ โซลูชั่นสำหรับ DMF 0.1 M 46 mg pbi2 และch3nh3i 15.9 มก. ถูกแก้ไขใน 1 ml DMF ภายใต้กวนที่ 70 ◦ Cที่ภาพยนตร์ก่อนการรักษาโดยความเข้มข้นต่างกันโซลูชั่นที่สามารถถูกกำหนดเป็น DMF x-prefilm ( x = 0.1 , 0.2 , 0.3 และ0.4 ) หลังจากนั้น ch3nh3pbi3 ก่อตั้งขึ้นโดยเคลือบหมุนแบบสองขั้นตอนวิธี pbi2 โซลูชั่น ( 1 ) เตรียมโดยละลาย pbi2 462 มก.ใน 1 ml DMF ภายใต้กวนที่ 70 ◦ C pbi2 โซลูชั่น ( 20 ลิตร ) คือ spincoatedบนก่อนถือว่าภาพยนตร์ที่ 6000 รอบต่อนาที 10 ( withoutloadingเวลา ) , การเกิดฟิล์มสามารถตั้งชื่อเป็น pbi2 xprefilm . หลังจากปั่นฟิล์มแห้งในอากาศที่อุณหภูมิ 40 ◦ C เป็นเวลา 3 นาที จากนั้น ที่ 100 ◦ c5 นาทีหลังจากพื้นผิวเย็นลงถึงอุณหภูมิห้อง200 ลิตร ) m ( 6 มกมล − 1 ) ch3nh3i สารละลายไอโซโพรพานอล คือโหลดบนพื้นผิวเคลือบ pbi2 20 S ( โหลด ) ซึ่งมาปั่นที่ 6000 รอบต่อนาที 10 และอบแห้งที่อุณหภูมิ 100 ◦ C 10 นาทีรูปแบบฟิล์มและมีข้อความ asmapbi3 รังสีเอ็กซ์ -xprefilm . หลังจากพื้นผิวเย็นลงถึงอุณหภูมิห้องหลุม transport layer สารละลายเคลือบที่ 2000 รอบต่อนาที ปั่น30 วินาที ซึ่งใน 1 มิลลิลิตร / โรโร ometad ( เฉพาะ mg / ml )โซลูชั่นสำหรับใช้กับ 18 ml / li tfsi ไน( 520 มิลลิกรัม / มิลลิลิตร ) และ 29 ml 4-tert-butylpyridine . อุปกรณ์เป็นแล้วอยู่ค้างคืนในอากาศแห้งสำหรับ Spiro ometad จะออกซิไดส์อย่างสมบูรณ์ในที่สุด , 80 nm ทองขั้วไฟฟ้าเป็นไอออน sputtered ภายใต้เครื่องดูดฝุ่น∼ 10 − 6 ทอร์ อัตรา∼ 0.07 nm − 1 , สมบูรณ์อุปกรณ์ พื้นที่ใช้งานของมือถืออยู่ที่ประมาณ 0.15 cm22 .