The wavelength dependences of the o

The wavelength dependences of the optical transmittance spectra of the AZO films subjected to the threedifferentsubstratetemperaturesareplottedinFig.6.AlloftheAZOfilmsshowanaveragetransmittance of 82.3–88.8% in the visible wavelength range from 400 to 800 nm and a sharp fundamental absorption edge in the UV region, which is suitable for display devices and solar cells as transparent electrodes [28]. It seemed that the transmittance decreased and a red shift of the absorption edge occurred with increasing the substrate temperature. The transmittance may be reduced by increasing the surface bonding, which absorbs visible photons [29]. The absorption edge is related to the optical band gap, whichcan be calculated from the relationship between the optical absorption coefficient(a) and the transmittance (T). The optical band gap of a direct bandgap semiconductor canbe determined by using Tauc model [30]:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Dependences ความยาวคลื่นของสเปกตรัมสัมประสิทธิ์การส่งผ่านแสงของ AZO films ภายใต้การ threedifferentsubstratetemperaturesareplottedinFig.6.AlloftheAZOfilmsshowanaveragetransmittance 82.3 – 88.8% ในช่วงความยาวคลื่นที่มองเห็นจาก 400 เป็น 800 nm และมีขอบคมดูดซึมพื้นฐานในภูมิภาค UV เหมาะสำหรับแสดงอุปกรณ์และเซลล์แสงอาทิตย์เป็นอิเล็กโทรดโปร่งใส [28] เหมือนว่า ลดสัมประสิทธิ์การส่งผ่าน และกะสีแดงของขอบการดูดซึมเกิดขึ้น ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิว สัมประสิทธิ์การส่งผ่านอาจจะลดลง โดยการเพิ่มพื้นผิวที่ยึดเกาะ ซึ่งดูดซับโฟตอนปรากฏ [29] ขอบการดูดซึมเกี่ยวข้องกับช่องว่างวงแสง whichcan จะคำนวณจากความสัมพันธ์ระหว่าง coefficient(a) ดูดซึมแสงและส่ง (T) ช่องว่างวงแสงของ canbe ดัก bandgap ตรงที่กำหนด โดยใช้แบบจำลอง Tauc [30]:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความยาวคลื่น dependences ของสเปกตรัมการส่งผ่านแสงของ AZO LMS Fi ยัดเยียดให้ Fi lmsshowanaveragetransmittance threedifferentsubstratetemperaturesareplottedinFig.6.AlloftheAZO ของ 82.3-88.8% ในช่วงความยาวคลื่นที่มองเห็นได้ 400-800 นาโนเมตรและขอบที่คมชัดในการดูดซึมพื้นฐานในภูมิภาคยูวีซึ่งเหมาะสำหรับ อุปกรณ์แสดงผลและขั้วไฟฟ้าเซลล์แสงอาทิตย์โปร่งใส [28] ดูเหมือนว่าการส่งผ่านลดลงและเปลี่ยนเป็นสีแดงขอบการดูดซึมที่เกิดขึ้นกับการเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิว ส่งผ่านอาจจะลดลงโดยการเพิ่มการยึดเกาะพื้นผิวซึ่งดูดซับโฟตอนที่มองเห็นได้ [29] ขอบการดูดซึมที่เกี่ยวข้องกับช่องว่างวงแสง whichcan จะคำนวณจากความสัมพันธ์ระหว่าง Fi ประสิทธิภาพการดูดซึมแสง COEF (ก) และการส่งผ่านที่ (T) ช่องว่างวงแสงของสารกึ่งตัวนำ bandgap โดยตรง canbe กำหนดโดยใช้รูปแบบการ Tauc [30]:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความยาวคลื่นของแสง dependences แสงสเปกตรัมของอาร์ทีมิสจึง LMS ต้อง threedifferentsubstratetemperaturesareplottedinfig 6 . alloftheazo จึง lmsshowanaveragetransmittance ร้อยละ 82.3 ของ–ในช่วงความยาวคลื่นที่มองเห็นได้จาก 400 ถึง 800 nm และการดูดซึมขอบพื้นฐานคมในภาค UV ซึ่งเหมาะสำหรับอุปกรณ์แสดงผล และเซลล์แสงอาทิตย์ที่เป็นขั้วไฟฟ้าโปร่งแสง [ 28 ] . ดูเหมือนว่าการลดลง และ กะสีแดงของขอบการดูดกลืนเกิดขึ้นกับการเพิ่มอุณหภูมิของแผ่นรองรับ . ส่องผ่านอาจจะลดลง โดยการเพิ่มการมองเห็นพื้นผิวซึ่งดูดซับโฟตอน [ 29 ] การดูดซึมขอบเกี่ยวข้องกับแสงวงช่องว่าง ซึ่งคำนวณจากความสัมพันธ์ระหว่างการดูดกลืนแสง coef จึง cient ( ) และการส่งผ่าน ( T ) แสงตรงช่องว่างแถบของ bandgap สารกึ่งตัวนำสามารถตัดสินใจ โดยใช้รูปแบบ tauc [ 30 ] :