Process diagram to create small pit

Process diagram to create small pitch wires.
(A) The GaAs/AlGaAs superlattice
(B) after selectively etching the AlGaAs
(C) metal deposition while tilted at 36°
(D) contact of superlattice onto adhesive layer on silicon
(E) release of metal wires by etching GaAs oxide
(F) after optional O2 plasma to remove adhesive layer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ภาพกระบวนการสร้างสนามขนาดเล็กสาย (A superlattice) GaAs/AlGaAs (ข) หลังจากแกะสลัก AlGaAs เลือก(ค) เหล็กสะสมขณะยืดที่ 36° (D) ผู้ติดต่อของ superlattice บนชั้นกาวบนซิลิคอน(จ) ปล่อยของลวดโลหะโดยการกัดออกไซด์ GaAs (F) หลังจากเลือกพลาสม่า O2 เอาชั้นกาว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แผนภาพกระบวนการในการสร้างสายสนามขนาดเล็ก.
(ก) ให้ GaAs / AlGaAs superlattice
(B) หลังจากเลือกแกะสลัก AlGaAs
(C) การสะสมโลหะในขณะที่เอียง 36 °
(D) การติดต่อของ superlattice บนชั้นกาวซิลิกอน
(E) การเปิดตัวของ ลวดโลหะโดยการแกะสลัก GaAs ออกไซด์
(F) หลังจากที่พลาสม่า O2 ตัวเลือกที่จะลบชั้นกาว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แผนผังกระบวนการเพื่อสร้างสายระยะห่างเล็กน้อย .
( a ) GaAs / algaas ซูเปอร์แลตทิซ
( b ) หลังจากเลือกภาพที่ algaas
( C ) ในขณะที่โลหะการเอียงที่ 36 /
( D ) การติดต่อของซูเปอร์แลตทิซบนชั้นกาวบนซิลิคอน
( E ) ของลวดโลหะโดยการปล่อย 6
( F ออกไซด์ ) หลังจากเลือก O2 พลาสม่าเพื่อลบเลเยอร์กาว