In this work we investigated the pr

In this work we investigated the properties of HSQ
and PMMA resists focusing on contrast and line width for ebeam
lithography (EBL) application. HSQ was found to be a
good candidate to have desired line widths but the contrast we
obtained was less than it was for PMMA. Since the fluorine based
plasma does not have high selectivity over exposed HSQ, we
propose a PMMA/HSQ bi-layer resist stack as a hard mask to
etch Si selectively. Using this technique, 50nm deep Si fins may
be patterned.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในงานนี้ เราตรวจสอบคุณสมบัติของ HSQและ PMMA พยายามขัดขวางเน้นความคมชัดและเส้นกว้างสำหรับ ebeamโปรแกรมประยุกต์ภาพพิมพ์หิน (EBL) HSQ พบจะเป็นผู้สมัครที่ดีต้องมีความกว้างบรรทัดแต่ความคมชัดที่ต้องเรารับได้น้อยกว่าก็สำหรับ PMMA ตั้งแต่ฟลูออรีนใช้พลาสม่าไม่ได้ใวสูงสัมผัส HSQ เราเสนอ PMMA/HSQ bi-ชั้นต่อต้านกองเป็นรูปแบบยากกัดสีให้เลือก การใช้เทคนิคนี้ ซี 50nm ลึกครีบอาจมีลวดลาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในงานนี้เราตรวจสอบคุณสมบัติของ HSQ
และ PMMA ต่อต้านการมุ่งเน้นไปที่ความคมชัดและความกว้างของเส้นสำหรับ ebeam
พิมพ์หิน (EBL) การประยุกต์ใช้ HSQ ถูกพบว่าเป็น
ผู้สมัครที่ดีที่จะมีความกว้างของเส้นที่ต้องการความคมชัด แต่ที่เรา
ได้รับน้อยกว่ามันเป็น PMMA เนื่องจากตามฟลูออรีน
พลาสม่าไม่ได้มีการเลือกสูงกว่า HSQ สัมผัสเรา
เสนอ PMMA / HSQ ชั้นสองต่อต้านสแต็คเป็นหน้ากากยากที่จะ
กัดศรีคัดเลือก ใช้เทคนิคนี้ 50nm ครีบศรีลึกอาจ
จะมีลวดลาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในงานนี้เราได้ตรวจสอบคุณสมบัติของ hsq
จึงต่อต้านและเน้นความคมชัดและความกว้างของเส้นสำหรับ ebeam
ภาพพิมพ์หิน ( ebl ) โปรแกรม hsq พบว่าเป็นผู้สมัครที่ดีต้องมีบรรทัดที่ต้องการ

ได้รับความกว้างแต่ความคมชัดเราน้อยกว่ามันสำหรับ PMMA . ตั้งแต่ใช้พลาสมาฟลูออรีน
ไม่ได้มีการเปิดเผย hsq
สูงเหนือเราเสนอ PMMA / hsq ชั้นบีต่อต้านกองเป็นหน้ากากยาก
etch จังหวัดที่เลือก การใช้เทคนิคนี้ core ลึกศรีครีบอาจ
เป็นลวดลาย