Objectives:To generate fundamental

Objectives:
To generate fundamental knowledge on the structure, properties and mechanisms taking place in magnetic and electronic devices in relation to their application in present and emerging information technologies.

More specifically we aim at designing and engineering oxide materials exhibiting strong electronic correlations which are responsible for properties such as superconductivity, metallic behaviour and metal-insulator transitions or colossal magnetoresistance. In many cases the preparation of metastable materials will be carried out under high pressure or special conditions (soft chemistry, controlled atmosphere). The subsequent preparation of materials is an iterative process that relies on the previous characterization of the bulk materials, where the properties of interest should be optimized and understood prior to the conformation of these materials into low-dimensional and nano structures.

Moreover, in our modern knowledge-based society, alternative operation mechanisms for new concept devices and new architectures for well known materials need to be found, since conventional design may no longer be suitable to satisfy the increasing demand for downsizing.

Indeed, some of the most amazing states and applications that perovskites present can only be realized in heterostructures conformed by ultrathin layers. Within this landscape and in order to remain competitive in a field where we have accumulated an important “know-how” (i. e. perovskites and thin film growth and characterization) we are prompted to follow the actual trend and push our capabilities to explore new device concepts ( exploring new phenomena at interfaces), to optimize the operating mechanism upon which the current information technologies are based, and to enter the nanoscale (vertical and lateral dimensions) in the proccessing of ultrathin films to conform usefull heteroestructures.

There is a closed feeback loop existing between bulk and low dimension work, since the implementation of such materials in devices, useful for technical applications, requires the design and growth of the mentioned thin-layered, nanostructured or heterostructured materials, which thus form a indivisible tandem with the bulk precursors of origin.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วัตถุประสงค์:
เพื่อสร้างความรู้พื้นฐานเกี่ยวกับโครงสร้างคุณสมบัติและกลไกที่เกิดขึ้นในอุปกรณ์แม่เหล็กและอิเล็กทรอนิกส์ในส่วนที่เกี่ยวกับการประยุกต์ใช้ในปัจจุบันและที่เกิดขึ้นใหม่เทคโนโลยีสารสนเทศ. โดยเฉพาะอย่างยิ่งเรามีจุดมุ่งหมายที่วัสดุการออกแบบและวิศวกรรมออกไซด์แสดงความสัมพันธ์ที่แข็งแกร่งอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความรับผิดชอบ คุณสมบัติเช่น superconductivity พฤติกรรมโลหะและการเปลี่ยนโลหะฉนวนกันความร้อนหรือ magnetoresistance ใหญ่โต ในหลายกรณีการเตรียมความพร้อมของวัสดุ metastable จะดำเนินการภายใต้ความกดดันที่สูงหรือเงื่อนไขพิเศษ (เคมีนุ่มควบคุมบรรยากาศ) ที่ตามมาของการเตรียมวัสดุเป็นกระบวนการซ้ำที่อาศัยลักษณะก่อนหน้าของวัสดุที่เป็นกลุ่มที่คุณสมบัติที่น่าสนใจควรจะเพิ่มประสิทธิภาพและเข้าใจก่อนที่จะมีโครงสร้างของวัสดุเหล่านี้เป็นมิติที่ต่ำและโครงสร้างนาโน. นอกจากนี้ในที่ทันสมัยของเรา สังคมความรู้ตามกลไกการดำเนินงานทางเลือกสำหรับอุปกรณ์แนวคิดใหม่และสถาปัตยกรรมใหม่สำหรับวัสดุที่รู้จักกันดีจะต้องมีการพบตั้งแต่การออกแบบการชุมนุมอาจจะไม่เหมาะสมที่จะตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับการลดขนาด. อันที่จริงบางส่วนของรัฐที่น่าตื่นตาตื่นใจที่สุดและการประยุกต์ใช้ ที่ perovskites ปัจจุบันเท่านั้นที่สามารถตระหนักใน heterostructures ขืนใจโดยชั้นบางเฉียบ ภายในภูมิทัศน์นี้และเพื่อที่จะยังคงอยู่ในการแข่งขันในสนามที่เราได้สะสมที่สำคัญ "ความรู้" (perovskites ie และการเจริญเติบโตของฟิล์มบางและลักษณะ) เราได้รับแจ้งให้ปฏิบัติตามแนวโน้มที่เกิดขึ้นจริงและผลักดันความสามารถของเราในการสำรวจแนวคิดอุปกรณ์ใหม่ (การสำรวจปรากฏการณ์ใหม่ในการเชื่อมต่อ) เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพกลไกการดำเนินงานตามที่เทคโนโลยีสารสนเทศในปัจจุบันจะขึ้นและจะเข้าสู่ระดับนาโน (ขนาดแนวตั้งและด้านข้าง) ในประมวลภาพยนตร์บางเฉียบเพื่อให้สอดคล้อง heteroestructures ประโยชน์. มีห่วง Feeback ปิดคือ ระหว่างที่มีอยู่จำนวนมากและการทำงานมิติต่ำเนื่องจากการดำเนินการดังกล่าวในวัสดุอุปกรณ์ที่มีประโยชน์สำหรับการใช้งานทางเทคนิคที่ต้องใช้การออกแบบและการเจริญเติบโตของการกล่าวถึงบางชั้นอิเล็กทรอนิคส์หรือวัสดุ heterostructured ซึ่งทำให้รูปแบบควบคู่กับการแบ่งแยกเป็นกลุ่มของสารตั้งต้น ที่มา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

The past.The past.The past.The past.The past.The past.The past.