2. Material and methodsFilms were p

2. Material and methods
Films were prepared using an FCVA deposition system [17], operating with an arc current of 100 A. A magnetic double bend filter connecting the source and deposition chambers minimized the deposition of macroparticles. Polished silicon wafer substrates were cleaned with acetone and ethanol and mounted on a bias-compatible, resistive filament, substrate heater/holder within the FCVA system prior to deposition. The FCVA was then pumped to a base pressure of less than 10− 3 Pa. The nano-composite films of HSS/TiN were all deposited from the HSS/Ti cathode in a 0.29 Pa N2 and 0.013 Pa Ar atmosphere (Ar/N2 flow rates 5/60 sccm). For comparison purposes, a TiN film was deposited using a Ti cathode under similar conditions and a HSS/Ti film was deposited in an inert 0.30 Pa Ar atmosphere. The ion beam current density at the substrate (measured using an electrometer built into the bias power supply) was less than 1.0 mA/cm2 during all depositions. A schematic of the HSS/Ti cathode is shown in Fig. 1(a). Concentric channels of depth 5 mm were cut into a Ti solid cathode and subsequently filled with cold-sprayed HSS, resulting in the cathode shown in the upper part of the photograph shown in Fig. 1(b). The surface areas of the HSS and Ti sections were approximately equal. A series of films was prepared using different substrate bias and heater temperatures, as shown in Table 1. The surface temperature of the substrate measured during deposition using a thermocouple mounted on a separate silicon substrate was less than 35 °C during all depositions. The cathode exhibited uniform erosion during our depositions. After all depositions were complete, some preferential erosion of the HSS was observed at the edges of the tracks as shown in the lower part of Fig. 1(b).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. วัสดุและวิธีการภาพยนตร์ถูกจัดทำขึ้นโดยมีระบบสะสม FCVA [17], กับปัจจุบันโค้ง 100 ก. ตัวกรองแม่เหล็กคู่โค้งเชื่อมต่อห้องแหล่งและสะสมลดการสะสมของ macroparticles ขัดซิลิคอนเวเฟอร์พื้นผิวทำความสะอาด ด้วยอะซีโตนและเอทานอล และติดตั้งอยู่บนอคติได้ ทานไส้หลอด เก็บเครื่องทำน้ำอุ่นพื้นผิวภายในระบบ FCVA ก่อนสะสม FCVA ถูกสูบไปดันฐานน้อยกว่า 10− แล้ว 3 บางปะอิน ฟิล์มนาโนคอมโพสิตของ HSS ปี๊บฝากไว้จากแคโทด HSS/Ti ใน 0.29 Pa N2 และ 0.013 Pa Ar บรรยากาศ (Ar/N2 ไหลราคาพิเศษ 5 60 โหวต) สำหรับวัตถุประสงค์ในการเปรียบเทียบ ฝากภาพยนตร์ดีบุกใช้เป็นแคโทด Ti ภายใต้เงื่อนไขที่คล้ายกัน และฝากภาพยนตร์ HSS/Ti ในบรรยากาศป่า Ar 0.30 เฉื่อย ความหนาแน่นของกระแสลำแสงไอออนที่พื้นผิว (วัดใช้ electrometer สร้างขึ้นในไฟ bias) เป็นน้อยกว่า 1.0 mA/cm2 ช่วง depositions ทั้งหมด Schematic ของแคโทด HSS/Ti จะแสดงอยู่ในรูป 1(a) ช่องศูนย์กลางของความลึก 5 มม.ตัดเป็นแคโทดเป็นไม้ Ti และต่อมาเต็มไป ด้วยพ่นเย็น HSS ในรังสีแคโทดที่แสดงในส่วนบนของภาพแสดงในรูป 1(b) พื้นที่ผิวของส่วน HSS และ Ti ถูกประมาณเท่า จัดเตรียมชุดของภาพยนตร์โดยใช้พื้นผิวที่แตกต่างอคติและฮีตเตอร์อุณหภูมิ ดังที่แสดงในตารางที่ 1 อุณหภูมิพื้นผิวของพื้นผิวในการสะสมโดยใช้ thermocouple ที่ติดบนพื้นผิวซิลิโคนที่แยกเป็นต่ำกว่า 35 ° C ช่วง depositions ทั้งหมด แคโทดแสดงเหมือนกันกัดเซาะระหว่าง depositions ของเรา หลังจากที่ทั้งหมด depositions สมบูรณ์ พังทลายบางพิเศษของ HSS ถูกตรวจสอบที่ขอบแทร็คดังแสดงในส่วนล่างของรูป 1(b)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2. วัสดุและวิธีการ
ภาพยนตร์ได้จัดทำขึ้นโดยใช้ระบบการสะสม FCVA [17] ในการดำเนินงานที่มีกระแสโค้ง 100 A. แม่เหล็กคู่กรองโค้งเชื่อมต่อแหล่งที่มาและการทับถมห้องลดการสะสมของ macroparticles ขัดพื้นผิวซิลิคอนเวเฟอร์ทำความสะอาดด้วยอะซิโตนและเอทานอลและติดตั้งอยู่บนอคติได้ใยทาน, เครื่องทำน้ำอุ่นพื้นผิว / ผู้ถือในระบบ FCVA ก่อนที่จะมีการสะสม FCVA ถูกสูบไปแล้วดันฐานของน้อยกว่า 10- 3 Pa. ฟิล์มนาโนคอมโพสิตของไฮสปีด / ดีบุกมีเงินทั้งหมดจากแคโทดไฮสปีด / Ti ในป่า 0.29 N2 และบรรยากาศ 0.013 ป่าเท่น (AR / N2 ไหล อัตรา 5/60 SCCM) เพื่อเปรียบเทียบฟิล์มดีบุกฝากใช้แคโทด Ti ภายใต้เงื่อนไขที่คล้ายกันและหนังไฮสปีด / Ti ถูกวางในบรรยากาศเฉื่อย 0.30 ป่าเท่ ลำแสงไอออนความหนาแน่นกระแสที่พื้นผิว (วัดโดยใช้ electrometer ที่สร้างขึ้นลงในแหล่งจ่ายไฟอคติ) น้อยกว่า 1.0 mA / cm2 ในช่วงสะสมทั้งหมด แผนผังของแคโทดไฮสปีด / Ti แสดงในรูป 1 (ก) ช่องศูนย์กลางของความลึก 5 มมถูกตัดเป็นแคโทดของแข็ง Ti และเต็มไปต่อมากับความหนาวเย็นพ่นไฮสปีดส่งผลให้ในแคโทดที่แสดงในส่วนบนของภาพที่แสดงในรูป 1 (ข) พื้นที่พื้นผิวของไฮสปีดและ Ti ส่วนเท่ากับประมาณ ชุดของภาพยนตร์ที่ถูกจัดทำขึ้นโดยใช้ที่แตกต่างกันมีอคติสารตั้งต้นและเครื่องทำอุณหภูมิดังแสดงในตารางที่ 1 อุณหภูมิพื้นผิวของพื้นผิววัดได้ในระหว่างการทับถมโดยใช้อุณหภูมิที่ติดตั้งอยู่บนพื้นผิวซิลิกอนที่แยกจากกันได้น้อยกว่า 35 องศาเซลเซียสในช่วงสะสมทั้งหมด แคโทดแสดงเครื่องแบบการกัดเซาะในช่วงสะสมของเรา หลังจากที่สะสมทั้งหมดเสร็จสมบูรณ์บางพังทลายของสิทธิพิเศษของไฮสปีดเป็นข้อสังเกตที่ขอบของแทร็คที่แสดงในส่วนล่างของรูป 1 (ข)