When higher current rated power mod

When higher current rated power modules are required, there are two ways of enabling this. The
first method is to increase the chip size of the transistors and diodes thereby increasing the forward
current conduction capability. This is more easily done for silicon technologies where the fabrication
process is mature and yields are high, however, this is not easily done in SiC technology where chip
sizes are still relatively small. The second method of increasing the current conduction capability is
simply increasing the number of parallel connected devices [1, 2]. A very important consideration for
this technique is ensuring that there is electrothermal stability between the parallel connected devices
[3, 4]. If the on-state resistance of the device increases with the junction temperature, then current flow

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อจำเป็นต้องมีโมดูไฟที่ปัจจุบันสูงกว่า มีสองวิธีในการเปิดใช้งานนี้ การวิธีแรกคือการ เพิ่มขนาดชิพของทรานซิสเตอร์และไดโอดจึงช่วยเพิ่มการส่งต่อปัจจุบันความสามารถในการนำ นี้จะกระทำได้ง่ายขึ้นสำหรับเทคโนโลยีซิลิคอนที่การผลิตกระบวนการเป็นผู้ใหญ่ และอัตราผลตอบแทนสูง อย่างไรก็ตาม ไม่ได้ทำเทคโนโลยี SiC ที่ชิขนาดมียังคงค่อนข้างเล็ก วิธีที่สองของการเพิ่มความสามารถการนำปัจจุบันคือเพียงแค่เพิ่มจำนวนของอุปกรณ์ที่เชื่อมต่อแบบขนาน [1, 2] การพิจารณาที่สำคัญมากสำหรับเทคนิคนี้จะมั่นใจว่า มีเสถียรภาพไฟฟ้าระหว่างอุปกรณ์ที่เชื่อมต่อแบบขนาน[3, 4] ถ้าเพิ่มความต้านทานในสถานะของอุปกรณ์เชื่อมต่ออุณหภูมิ กระแสปัจจุบันแล้ว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อปัจจุบันโมดูลพลังจัดอันดับที่สูงขึ้นจะต้องมีสองวิธีการเปิดใช้งานนี้
วิธีแรกคือการเพิ่มขนาดของชิปทรานซิสเตอร์ไดโอดและจึงเพิ่มไปข้างหน้า
ความสามารถในการนำปัจจุบัน นี้จะกระทำได้ง่ายขึ้นสำหรับเทคโนโลยีซิลิกอนที่ประดิษฐ์
กระบวนการเป็นผู้ใหญ่และอัตราผลตอบแทนที่สูง แต่นี้ไม่ได้ทำได้อย่างง่ายดายในเทคโนโลยีที่ SiC ชิป
ขนาดยังคงมีขนาดค่อนข้างเล็ก วิธีที่สองของการเพิ่มความสามารถในการนำปัจจุบันมี
เพียงการเพิ่มจำนวนของอุปกรณ์ที่เชื่อมต่อแบบขนาน [1, 2] การพิจารณาที่สำคัญมากสำหรับ
เทคนิคนี้จะมั่นใจว่ามีความมั่นคงระหว่าง electrothermal ขนานเชื่อมต่ออุปกรณ์
[3, 4] ถ้าความต้านทานในรัฐของอุปกรณ์ที่เพิ่มขึ้นกับอุณหภูมิทางแยกไหลปัจจุบันแล้ว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อกระแสพลังสูงในโมดูลที่ต้อง มี สอง วิธี ของงานนี้ ที่วิธีแรกคือการเพิ่มชิปขนาดของทรานซิสเตอร์และไดโอดจึงเพิ่มข้างหน้าความสามารถในการปัจจุบัน นี้เป็นมากขึ้นได้อย่างง่ายดายสำหรับเทคโนโลยีซิลิคอนที่ผลิตเสร็จกระบวนการที่เป็นผู้ใหญ่ และผลผลิตสูง อย่างไรก็ตาม นี้ไม่ใช่ทำได้ง่ายในเทคโนโลยีชิปซิลิกอนที่ขนาดจะยังค่อนข้างเล็ก วิธีที่สองของการเพิ่มความสามารถในการปัจจุบันเพียง แต่เพิ่มจำนวนของการเชื่อมต่ออุปกรณ์ [ 1 , 2 ] สำคัญพิจารณาเทคนิคนี้คือเพื่อให้แน่ใจว่ามีเสถียรภาพ electrothermal ระหว่างอุปกรณ์เชื่อมต่อแบบขนาน[ 3 , 4 ] ถ้าสภาพความต้านทานของอุปกรณ์เพิ่มขึ้น ด้วยการแยกการไหลอุณหภูมิ แล้วปัจจุบัน