Realizing high-frequency component

Realizing high-frequency component performance, including passive devices, is possible since high-resistance Si wafers can be used as supporting substrates. (Totally
isolated structure)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตระหนักถึงประสิทธิภาพการทำงานของส่วนประกอบความถี่สูง รวมทั้งอุปกรณ์พาสซีฟ เป็นไปได้เนื่องจากความต้านทานสูงศรีรับสามารถใช้สนับสนุนได้ (ทั้งหมดโครงสร้างแบบแยก)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตระหนักถึงประสิทธิภาพการทำงานที่ความถี่สูงส่วนประกอบรวมถึงอุปกรณ์เรื่อย ๆ , เป็นไปได้ตั้งแต่ต้านทานสูงเวเฟอร์ศรีสามารถใช้เป็นที่รองรับพื้นผิว (ครบ
โครงสร้างแยก)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตระหนักถึงประสิทธิภาพส่วนประกอบความถี่สูง รวมถึงอุปกรณ์เรื่อยๆ เป็นไปได้ตั้งแต่เวเฟอร์ศรีความต้านทานสูงสามารถใช้เป็นบรรท ( ทั้งหมด

แยกโครงสร้าง )