A new vacuum packaging process at t

A new vacuum packaging process at the wafer level is developed for the surface micromachining devices using glass–silicon anodic bonding technology. The rim for the glass–silicon bonding process which is needed to prevent vacuum leakage is built up simultaneously as the structure is being etched. The mechanical resonator is used as a tool for evaluating the vacuum level of the packaging. The inside pressure of the packaged device was measured indirectly by measuring the quality factor of the mechanical resonator. The measured Q factor was about 5 × 104 and the estimated inner pressure was about 1 mTorr. It is also possible to change the inside pressure of the packaged devices from 2 Torr to 1 mTorr by varying the amount of Ti getter material. The yield of the vacuum packaging process is about 80% and vacuum degradation was not observed after 1000 h had passed. The developed vacuum packaging process is also applied to resonant accelerometers which need a high vacuum environment to implement higher performance.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คือพัฒนากระบวนการบรรจุสูญญากาศใหม่ระดับแผ่นเวเฟอร์สำหรับอุปกรณ์ micromachining พื้นผิวโดยใช้เทคโนโลยีการติดยึด anodic แก้ว – ซิลิคอน ริมสำหรับกระบวนการยึดกระจกซิลิกอนซึ่งจำเป็นเพื่อป้องกันการรั่วไหลสูญญากาสร้างกันเป็นโครงสร้างคือการแกะสลัก ใช้เซอร...เครื่องจักรกลเป็นเครื่องมือสำหรับประเมินระดับสุญญากาศของบรรจุภัณฑ์ ภายในความดันอุปกรณ์บรรจุที่วัดทางอ้อม โดยการวัดปัจจัยคุณภาพของเซอร...เครื่องจักรกล ตัว Q ที่วัดได้ประมาณ 5 × 104 และประเมินความดันภายในมี mTorr ประมาณ 1 ก็ยังสามารถเปลี่ยนแปลงภายในแรงกดดันของอุปกรณ์บรรจุจากธอร์ 2 mTorr 1 โดยจำนวนตี้มีวัสดุแตกต่างกัน ผลผลิตของกระบวนการบรรจุสูญญากาศเป็นประมาณ 80% และลดประสิทธิภาพของเครื่องดูดฝุ่นถูกตรวจสอบหลังจาก 1000 h ได้ผ่าน ยังมีใช้การพัฒนาบรรจุภัณฑ์สูญญากาศกับหัวคงที่ต้องการสูงสูญญากาศเพื่อนำประสิทธิภาพสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขั้นตอนการบรรจุภัณฑ์สูญญากาศใหม่ในระดับเวเฟอร์ได้รับการพัฒนาสำหรับอุปกรณ์ขนาดจิ๋วพื้นผิวโดยใช้แก้วซิลิคอนเทคโนโลยีพันธะ anodic ขอบสำหรับกระบวนการพันธะแก้วซิลิคอนซึ่งเป็นสิ่งจำเป็นเพื่อป้องกันไม่ให้เกิดการรั่วไหลสูญญากาศจะถูกสร้างขึ้นพร้อมกันเป็นโครงสร้างที่มีการแกะสลัก แร่กลถูกนำมาใช้เป็นเครื่องมือสำหรับการประเมินระดับสูญญากาศของบรรจุภัณฑ์ ความดันภายในของอุปกรณ์บรรจุวัดทางอ้อมโดยการวัดปัจจัยที่มีคุณภาพของแร่กล Q ปัจจัยที่วัดได้ประมาณ 5 × 104 และความดันภายในประมาณมีประมาณ 1 mTorr นอกจากนี้ยังเป็นไปได้ที่จะมีการเปลี่ยนแปลงความดันภายในของอุปกรณ์ที่บรรจุตั้งแต่วันที่ 2 ถึง 1 Torr mTorr โดยการเปลี่ยนแปลงปริมาณของวัสดุทะเยอทะยาน Ti ผลผลิตของกระบวนการบรรจุภัณฑ์สูญญากาศเป็นประมาณ 80% และการเสื่อมสภาพสูญญากาศไม่ได้ถูกตั้งข้อสังเกตหลังจากที่ 1000 ชั่วโมงที่ผ่านมา ขั้นตอนการบรรจุภัณฑ์สูญญากาศการพัฒนานี้ยังใช้ในการเร่งความเร็วจังหวะที่จำเป็นต้องมีสภาพแวดล้อมที่สูญญากาศสูงที่จะใช้ผลการดำเนินงานที่สูงขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บรรจุภัณฑ์สูญญากาศใหม่กระบวนการในระดับเวเฟอร์ ถูกพัฒนาขึ้นเพื่อผิว micromachining อุปกรณ์ที่ใช้ซิลิกอนแก้วการเชื่อมเทคโนโลยี ขอบสำหรับแก้วซิลิกอนกระบวนการเชื่อมซึ่งเป็นสิ่งจำเป็นเพื่อป้องกันการรั่วไหลสูญญากาศถูกสร้างขึ้นพร้อมกันเป็นโครงสร้างที่ถูกฝัง . เสียงเครื่องจักรกล ใช้เป็นเครื่องมือสำหรับประเมินระดับสูญญากาศบรรจุภัณฑ์ความดันภายในของอุปกรณ์ที่บรรจุ วัดทางอ้อมโดยการวัดปัจจัยคุณภาพของชุดกล วัดคิว ปัจจัย 5 × 104 และคาดว่าภายในความดันประมาณ 1 mtorr . มันเป็นไปได้ที่จะเปลี่ยนแรงดันภายในบรรจุอุปกรณ์จาก 2 ทอร์ 1 mtorr โดยแปรปริมาณของวัสดุที่ เก็ตตี้ .ผลผลิตของกระบวนการบรรจุภัณฑ์สูญญากาศประมาณ 80% และการย่อยสลายสุญญากาศไม่ได้สังเกตหลังจาก 1000 H ได้ผ่าน กระบวนการพัฒนาบรรจุภัณฑ์สูญญากาศใช้จังหวะ accelerometers ซึ่งต้องการสภาพแวดล้อมสูญญากาศสูงที่จะใช้ประสิทธิภาพสูง