The double-layer configuration can decrease the effective reflectance at a particular target wavelength (λt), but simultaneously increase the Reff on both sides of it, higher than that of single-layer AR coating. Thus, the number of layers has to be increased if a lower Reff, on both sides of it, or a broader AR region is required. The three-layer design of AR coating (quarter-half-quarter wavelength design), involves a thicker layer (M, λt/2 thickness)sandwiched between two λt/4 layers (H, L). The resultant structure of the three-layer AR device can be represented as substrate/H-2M-L/Air, where H and L are the high- and low-index layers, respectively. Simultaneously, the RI (nm) of the middle layer, M, should satisfy nm> (n12/nS), in order to achieve the broad-band AR effect. The effect of the 3-layer AR structure is shown in above figure.
การกำหนดค่าดับเบิ้ลเลเยอร์สามารถลดการสะท้อนที่มีประสิทธิภาพที่มีความยาวคลื่นเฉพาะเป้าหมาย (λt), แต่พร้อมกันเพิ่ม Reff ทั้งสองด้านของมัน สูงกว่าของการเคลือบชั้นเดียว AR ดังนั้น มีจำนวนชั้นที่จะเพิ่มหากเป็น Reff ล่าง ทั้งสองด้านของมัน หรือภูมิภาค AR กว้างจำเป็น การออกแบบสามชั้นของเคลือบ (ไตรมาสไตรมาสครึ่งความยาวคลื่นแบบ), AR เกี่ยวข้องกับชั้นหนา (M, λt/2 ความหนา) ระหว่างสองชั้น λt/4 (H, L) โครงสร้างผลลัพธ์ของอุปกรณ์ AR 3 ชั้นสามารถแสดงเป็นพื้นผิว H-2M-L/อากาศ, H และ L ชั้นสูงต่ำดัชนี และ ตามลำดับ พร้อมกัน RI (nm) ของชั้นกลาง M ควรตอบสนอง nm > (n12/nS), เพื่อให้บรรลุผลวงกว้าง AR ผลของโครงสร้าง 3 ชั้น AR จะแสดงในรูปข้างต้น
การแปล กรุณารอสักครู่..