The performance of an SSD can scale

The performance of an SSD can scale with the number of parallel NAND flash chips used in the device. A single NAND chip is relatively slow, due to the narrow (8/16 bit) asynchronous I/O interface, and additional high latency of basic I/O operations (typical for SLC NAND, ~25 μs to fetch a 4 KB page from the array to the I/O buffer on a read, ~250 μs to commit a 4 KB page from the IO buffer to the array on a write, ~2 ms to erase a 256 KB block). When multiple NAND devices operate in parallel inside an SSD, the bandwidth scales, and the high latencies can be hidden, as long as enough outstanding operations are pending and the load is evenly distributed between devices.[40] Micron and Intel initially made faster SSDs by implementing data striping (similar to RAID 0) and interleaving in their architecture. This enabled the creation of ultra-fast SSDs with 250 MB/s effective read/write speeds with the SATA 3 Gbit/s interface in 2009.[41] Two years later, SandForce continued to leverage this parallel flash connectivity, releasing consumer-grade SATA 6 Gbit/s SSD controllers which supported 500 MB/s read/write speeds.[42] SandForce controllers compress the data prior to sending it to the flash memory. This process may result in less writing and higher logical throughput, depending on the compressibility of the data.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประสิทธิภาพการทำงานของ SSD สามารถวัดด้วยจำนวนขนานชิป NAND แฟลชที่ใช้ในอุปกรณ์ ชิป NAND เดียวค่อนข้างช้าเนื่องจากแคบ (8/16 บิต) ไม่ตรงกัน I / O อินเตอร์เฟซและเวลาแฝงที่สูงเพิ่มเติมของการดำเนินงานขั้นพื้นฐาน I / O (ปกติสำหรับ SLC NAND, ~ 25 μsเรียกหน้า 4 กิโลไบต์จาก อาร์เรย์จะบัฟเฟอร์ I / O อ่าน,~ 250 μsจะกระทำหน้า 4 กิโลไบต์จากบัฟเฟอร์ IO ไปยังอาร์เรย์ที่เขียน, ~ 2 มิลลิวินาทีเพื่อลบบล็อกกิโลไบต์ 256) เมื่ออุปกรณ์ NAND ทำงานในหลายขนานภายใน SSD, เกล็ดแบนด์วิดธ์และเวลาแฝงสูงสามารถซ่อนตราบใดที่การดำเนินงานที่โดดเด่นพอที่จะรอและโหลดมีการกระจายอย่างเท่าเทียมกันระหว่างอุปกรณ์[40] ไมครอนและอินเทลเริ่มทำ SSDs ได้เร็วขึ้นโดยการใช้แถบข้อมูล (คล้ายกับการโจมตี 0) และ interleaving ในสถาปัตยกรรมของพวกเขา นี้เปิดใช้งานการสร้างของ SSDs ที่รวดเร็วด้วย 250 MB / s ที่มีประสิทธิภาพความเร็วในการอ่าน / เขียนด้วย Gbit / s อินเตอร์เฟซ SATA ที่ 3 ในปี 2009. [41] สองปีต่อมา SandForce อย่างต่อเนื่องเพื่อยกระดับการเชื่อมต่อแฟลชนี้ขนานควบคุมการปล่อยถังผู้บริโภคชั้น 6 Gbit / s ซึ่งได้รับการสนับสนุน SSD 500 เมกะไบต์ / วินาทีอ่าน / เขียนความเร็ว. [42] SandForce ควบคุมบีบอัดข้อมูลก่อนที่จะส่งไปยังหน่วยความจำแฟลช ขั้นตอนนี้อาจส่งผลในการเขียนน้อยและ throughput ตรรกะที่สูงกว่าขึ้นอยู่กับการอัดของข้อมูล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ประสิทธิภาพของ SSD สามารถปรับ ด้วยจำนวนขนาน NAND แฟลชชิใช้อุปกรณ์ ชิพ NAND ที่เดียวจะค่อนข้างช้า อินเตอร์เฟซ I/O แบบอะซิงโครนัสแคบ (8/16 บิต) และเวลาแฝงที่สูงเพิ่มเติมงาน I/O พื้นฐาน (ปกติสำหรับ SLC NAND, μs ~ 25 ดึงหน้า 4 KB จากอาร์เรย์ไปยังบัฟเฟอร์ I/O ในการอ่าน Μs ~ 250 ใจหน้า 4 KB จากบัฟเฟอร์ IO อาร์เรย์ในการเขียน, ~ 2 ms 256 KB ลบบล็อก) เมื่ออุปกรณ์ NAND หลายงานพร้อมกันภายในมี SSD แบนด์วิดท์ปรับขนาด และเวลาแฝงที่สูงสามารถ ซ่อน ตราบเท่าที่มีการดำเนินงานที่โดดเด่นเพียงพอ และสม่ำเสมอมีกระจายโหลดระหว่างอุปกรณ์[40] ไมครอนและ Intel เริ่มทำเร็ว SSDs โดยใช้การสไทรพ์ข้อมูล (คล้ายกับ RAID 0) และแทรกสลับข้อมูลในสถาปัตยกรรมของพวกเขา นี้เปิดใช้งานการสร้าง SSDs รวดเร็วทันกับ 250 MB/s มีประสิทธิภาพการอ่าน/เขียนเร็ว ด้วยอินเทอร์เฟซ SATA 3 Gbit/s ในปี 2552[41] สองปีต่อมา SandForce ต่อเชื่อมแฟลชนี้ขนาน การใช้ ปล่อยผู้บริโภคระดับ SATA 6 Gbit/s SSD ตัวควบคุมที่สนับสนุน 500 MB/s อ่าน/เขียนความเร็วในการ[42] คอนโทรลเลอร์ SandForce บีบอัดข้อมูลก่อนส่งไปยังหน่วยความจำแฟลช กระบวนการนี้อาจส่งผล ในการเขียนน้อยกว่า และสูงกว่าอัตราประมวลผลตรรกะ ตาม compressibility ของข้อมูลได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ประสิทธิภาพ การทำงานของไดรฟ์ SSD ที่สามารถปรับขนาดพร้อมด้วยจำนวนชิปแฟลช NAND แบบคู่ขนานไปใช้ในอุปกรณ์นี้ NAND ชิปเดี่ยวที่มีค่อนข้างช้าซึ่งเป็นผลมาจากการที่แคบ( 8/16 8/16 8/16 บิต)แบบอะซิงโครนัสอินเตอร์เฟซ I / O ,และเพิ่มความหน่วงแฝงสูงแบบเรียบง่ายของ I / O (ตามแบบอย่างของ SLC หนึ่งชุด, nand ,~ 25 μs เพื่อดึงข้อมูล 4 KB หน้าจากที่หลากหลายใน I / O buffer ที่อ่าน,(~~ 250 บัฟเฟอร์ μs เพื่อทำหน้าที่ 4 KB จากแผง io io ให้กับอาร์เรย์ที่เขียน~ 2 มิลลิวินาทีเพื่อลบ 256 อาคารก่ออิฐ KB ) เมื่ออุปกรณ์ NAND หลายด้านในใช้งานในแบบคู่ขนาน SSD ที่เครื่องชั่งแบนด์วิดธ์ที่สูงและความล่าช้าของที่สามารถซ่อนอยู่นานเป็นการทำงานที่โดดเด่นมากพออยู่ระหว่างรอดำเนินการและโหลดอยู่ระหว่างอุปกรณ์กระจายอย่างทั่วถึง[ 40 ] Micron และ Intel SSD ในครั้งแรกทำให้ได้รวดเร็วขึ้นโดยการนำข้อมูล Striping (การแยกเก็บข้อมูล)(คล้ายกับ RAID 0 )และการทำงานแบบ Interleaving ในสถาปัตยกรรมของพวกเขา โรงแรมแห่งนี้เปิดใช้งานการสร้างของ Ultra - fast SSD ด้วยความเร็ว 250 MB / s มีผลใช้บังคับอ่าน/เขียนด้วยความเร็วที่ SATA 3 Gbit / s อินเทอร์เฟซใน 2009 .[ 41 ]สองปีต่อมา, sandforce อย่างต่อเนื่องเพื่อใช้ประโยชน์จากนี้การเชื่อมต่อแบบขนานแฟลช,การวางอุปกรณ์ คุณภาพ สูง, SATA 6 Gbit / S SSD คอนโทรลเลอร์ซึ่งสนับสนุน 500 MB / s อ่าน/เขียนความเร็ว.[ 42 ] sandforce คอนโทรลเลอร์บีบอัดข้อมูลก่อนที่จะส่งให้กับหน่วยความจำแฟลช. การดำเนินการนี้อาจส่งผลให้ในการเขียนน้อยลงและการรับส่งข้อมูลที่สูงกว่าแบบลอจิกทั้งนี้ขึ้นอยู่กับซึ่งอัดได้ของข้อมูลที่