We used the n-doped silicon substra

We used the n-doped silicon substrate with
pyramidal pits as the cathode for the electrodeposition of
metals (e.g., nickel, gold, or palladium). Coating the backside
of the silicon cathode with a 200-nm thick gold layer was
necessary to achieve uniform electrodeposition across the
whole silicon substrate;23,30 we assume that adding the
conducting backplane minimized IR drops across the wafer
and equalized the potential in all of the pits. Before
electroplating, we pretreated the silicon substrate with 1%
HF solution for 1 min. This treatment improved the
uniformity of the initiation of metal deposition on the silicon
surface (perhaps by removing a SiO2 surface layer). The
electroplating occurred exclusively in the pits; the thick SiO2
layer successfully insulated the top surface of the substrate.
Figure 2C is an SEM image of the silicon substrate with
pyramidal pits filled with nickel after electroplating at 15
mA/cm2 (calculated for the entire area of the substrate, not
just the surface of the pits) for 30 s using a commercially
available electroplating solution (RTU Nickel Sulfamate from
Technic Inc., Cranston, RI).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราใช้พื้นผิวซิลิคอนเจือ n ด้วยหลุมเสี้ยมเป็นแคโทดสำหรับเคลือบของโลหะ (เช่น นิกเกิล ทอง หรือพาลาเดียม) เคลือบด้านหลังการของซิลิโคนจะ เป็นแคโทด ด้วยชั้นทองหนา 200 นาโนเมตรจำเป็นเพื่อให้ได้เคลือบสม่ำเสมอทั่วตัวพื้นผิวซิลิโคนทั้งหมด 23,30 ที่เราสมมติว่าการเพิ่มการดำเนิน backplane ย่อ IR หยดทั่วตัวเวเฟอร์และปรับศักยภาพในหลุมทั้งหมด ก่อนที่จะเราชุบ pretreated พื้นผิวซิลิคอน 1%แก้ไขปัญหา HF 1 นาที ปรับปรุงรักษาความสม่ำเสมอของการเริ่มต้นของการสะสมโลหะบนซิลิโคนจะพื้นผิว (อาจจะ โดยการเอาผิวชั้น SiO2) การไฟฟ้าที่เกิดขึ้นเฉพาะในหลุม SiO2 หนาชั้นสำเร็จฉนวนพื้นผิวด้านบนของพื้นผิวรูป 2C เป็นภาพ SEM ของพื้นผิวซิลิโคนด้วยเสี้ยมหลุมด้วยนิกเกิลหลังจากไฟฟ้าที่ 15mA/cm2 (คำนวณพื้นที่ทั้งหมดของพื้นผิว ไม่เพียงพื้นผิวของหลุมการ) 30 s ใช้ในเชิงพาณิชย์ทางไฟฟ้า (RTU นิกเกิล Sulfamate จากเทคนิค Inc. เบ RI)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราใช้ N-เจือสารตั้งต้นซิลิกอนที่มี
หลุมเสี้ยมเป็นแคโทดสำหรับอิเล็กโทรของ
โลหะ (เช่นนิกเกิล, ทอง, หรือแพลเลเดียม) เคลือบผิวด้านหลัง
ของแคโทดซิลิกอนที่มีชั้นทอง 200 นาโนเมตรหนา
จำเป็นเพื่อให้บรรลุอิเล็กโทรเครื่องแบบทั่ว
พื้นผิวซิลิกอนทั้ง; 23,30 เราคิดว่าการเพิ่ม
backplane การดำเนินการลดลง IR ลดลงทั่วเวเฟอร์
และเสมอภาคกันที่อาจเกิดขึ้นในทุก หลุม ก่อนที่
ไฟฟ้าเราปรับสภาพพื้นผิวซิลิกอนที่มี 1%
วิธีการแก้ปัญหา HF เป็นเวลา 1 นาที การรักษานี้จะปรับปรุง
ความสม่ำเสมอของการเริ่มต้นของการสะสมโลหะซิลิคอน
พื้นผิว (อาจจะโดยการลบชั้นผิว SiO2)
ไฟฟ้าที่เกิดขึ้นเฉพาะในหลุม; SiO2 หนา
ชั้นประสบความสำเร็จในฉนวนพื้นผิวด้านบนของพื้นผิว
รูป 2C เป็นภาพ SEM ของพื้นผิวซิลิกอนที่มี
หลุมเสี้ยมเต็มไปด้วยนิกเกิลหลังจากไฟฟ้า 15
mA / cm2 (คำนวณสำหรับพื้นที่ทั้งหมดของพื้นผิวที่ไม่
เพียงแค่พื้นผิวของบ่อ) เป็นเวลา 30 วินาทีใช้ในเชิงพาณิชย์
แก้ปัญหาไฟฟ้าใช้ได้ (RTU นิกเกิล Sulfamate จาก
Technic อิงค์ Cranston, RI)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราใช้ฐานรองซิลิกอน n-doped กับหลุมเสี้ยมเป็นแคโทดสำหรับการเกาะของโลหะ ( เช่นนิกเกิล , ทอง , หรือแพลเลเดียม ) การเคลือบผิวด้านหลังของซิลิคอน ขั้วแคโทดที่มีชั้นหนา 200 นาโนเมตร ทองที่จำเป็นเพื่อให้บรรลุในขณะที่เครื่องแบบข้ามฐานรองซิลิกอน ทั้ง 23,30 เราสมมติว่าเพิ่มการลดและหยอดข้าม backplane เวเฟอร์ถึงศักยภาพทั้งหมดของหลุม ก่อนที่ไฟฟ้าที่เราได้รับจากซิลิคอนกับ % 1โดยโซลูชั่นสำหรับการรักษานี้เพิ่ม 1 นาทีความสม่ำเสมอของการเริ่มต้นของการสะสมโลหะบนซิลิคอนพื้นผิว ( อาจจะโดยการเอาซิลิผิวหน้า ) ที่ไฟฟ้าที่เกิดขึ้นโดยเฉพาะในหลุม ; พ่นหนาชั้นเรียบร้อยแล้ว ฉนวน พื้นผิวด้านบนของพื้นผิวรูปที่ 2 เป็นรูปแบบของซิลิคอนด้วยหลุมที่เต็มไปด้วยนิกเกิลชุบเสี้ยมที่ 15 หลังแม่ / cm2 ( คำนวณหาพื้นที่ทั้งหมดของพื้นผิว , ไม่เพียงพื้นผิวของหลุม ) 30 S ที่ใช้ในเชิงพาณิชย์บริการชุบสารละลาย ( RTU นิกเกิลซัลฟาเมทจากเทคนิค Inc . , Cranston , ริ )