thermoelectric devices.3−5 In parti

thermoelectric devices.3−5 In particular, among these colloidal semiconductor NCs, the copper-based I2−IV−VI3 ternary compounds, such as Cu2SnS3, Cu2GeSe3, and Cu2SnSe3 due to their tunable band gap, high optical absorption coefficients, and hole mobilities6−8 have been intensively investigated and applied in lithium ion battery9 and photovoltaic devices.7 However, in comparison with Cu2MX3 (M = Ge, Sn, X = S, Se), synthesis of monodisperse and uniform Cu2SnTe3 NCs still remains a big challenge, and therefore their further characterization and application are also restricted. A possible reason may lie in the lack of simple and benign methods that employed reactivity-matching precursors for the growth of the homogeneous Cu2SnTe3 NCs. To the best of our knowledge, there is no report on the preparation of Cu2SnTe3 NCs performed by solution-based routes. Although Cu2SnTe3 crystals have been synthesized in high temperature solid-state reaction,10,11 this energy-intensive and time-consuming method usually resulted in products with irregular, large size and size distribution and uncontrolled aggregate formation, which would limit their potential applications. On the other hand, the solution synthesis of different kinds of metal telluride NCs mainly relies on air-sensitive alkylphosphines (such as TOP or TBP),1,12−14 which is harmful to the environment. Thus, to explore a new environmentally benign method for synthesizing high-quality Cu2SnTe3 NCs with monodisperse and uniform size is highly desirable. Fortunately, recent progress reveals that the hot-injection synthesis can act as a versatile methodology for the preparation of high-quality NCs with monodisperse and uniform size.1,13−16 This encourages us to synthesize Cu2SnTe3 NCs via such a hot-injection strategy.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฐานทองแดงตามการ I2−IV−VI3 สามแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ devices.3−5 โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ในหมู่เหล่านี้สารกึ่งตัวนำ colloidal NCs สารประกอบ เช่น Cu2SnS3, Cu2GeSe3 และ Cu2SnSe3 เนื่องจากวงของพวกเขาสามารถปรับ ช่องว่าง ซึมออฟติคัล coefficients และ mobilities6−8 หลุมได้เข้มตรวจสอบ และใช้แบตเตอรี่ลิเธียมไอออน battery9 และอาทิตย์ devices.7 อย่างไรก็ตามเมื่อเปรียบเทียบกับ Cu2MX3 (M = Ge, Sn, X = S, Se), การสังเคราะห์ของ NCs Cu2SnTe3 monodisperse และสม่ำเสมอยังคง เป็นความท้าทายใหญ่ และดังนั้นจึง จำแนกลักษณะและการประยุกต์ใช้ต่อไปยังจำกัด เหตุผลเป็นไปได้อาจอยู่ในการขาดวิธีที่ง่าย และอ่อนโยนที่ใช้การจับคู่เกิดปฏิกิริยาสารตั้งต้นสำหรับการเติบโตของ NCs Cu2SnTe3 เหมือนกัน ที่สุดของความรู้ของเรา มีรายงานไม่เตรียมการของ NCs Cu2SnTe3 ดำเนินการ โดยเส้นทางที่ใช้แก้ปัญหา แม้ว่าจะมี Cu2SnTe3 ผลึก ถูกสังเคราะห์ในอุณหภูมิโซลิดสเตทปฏิกิริยา 10, 11 พลังงานสูง และใช้เวลามากวิธีนี้มักจะส่งผลให้ผลิตภัณฑ์ที่มีขนาดผิดปกติ ขนาดใหญ่และการกระจายขนาด และ ก่อรวมไม่สามารถควบคุม ซึ่งจะจำกัดการใช้งานของพวกเขา บนมืออื่น ๆ สังเคราะห์แก้ปัญหาจึงแตกต่างกันของโลหะ telluride NCs ชนิดส่วนใหญ่อาศัย alkylphosphines ไวต่ออากาศ (เช่นด้านบนหรือ TBP), 1, 12−14 ซึ่งเป็นอันตรายต่อสิ่งแวดล้อม ดังนั้น การสำรวจสิ่งแวดล้อมใหม่ วิธีการอ่อนโยนสำหรับสังเคราะห์คุณภาพสูง Cu2SnTe3 NCs monodisperse และขนาดเป็นฝัน โชคดี ความคืบหน้าล่าสุดเผยว่า การสังเคราะห์ฉีดร้อนสามารถทำหน้าที่เป็นหลากหลายวิธีสำหรับการเตรียมคุณภาพ NCs กับ monodisperse และชุด size.1,13−16 นี้ช่วยกระตุ้นให้เราสังเคราะห์ Cu2SnTe3 NCs ผ่านร้อนฉีดกลยุทธ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

devices.3-5 เทอร์โมโดยเฉพาะอย่างยิ่งในหมู่ NCs เซมิคอนดักเตอร์เหล่านี้คอลลอยด์ที่ I2-IV-VI3 สารประกอบ ternary ทองแดงตามเช่น Cu2SnS3, Cu2GeSe3 และ Cu2SnSe3 เนื่องจากช่องว่างของพวกเขาพริ้งวงแสงสูงดูดซึม Coe cients FFI และหลุม mobilities6 -8 ได้รับการตรวจสอบอย่างละเอียดและนำไปใช้ใน battery9 ลิเธียมไอออนและเซลล์แสงอาทิตย์ devices.7 อย่างไรก็ตามในการเปรียบเทียบกับ Cu2MX3 (M = Ge, SN, X = S, Se) สังเคราะห์ monodisperse และสม่ำเสมอ Cu2SnTe3 NCs ยังคงเป็นความท้าทายที่ยิ่งใหญ่ และดังนั้นจึงลักษณะต่อไปของพวกเขาและการประยุกต์ใช้จะถูก จำกัด นอกจากนี้ยังมี เหตุผลที่เป็นไปได้อาจจะอยู่ในการขาดวิธีการที่เรียบง่ายและใจดีที่ลูกจ้างสารตั้งต้นของการเกิดปฏิกิริยาการจับคู่สำหรับการเจริญเติบโตของเนื้อเดียวกัน Cu2SnTe3 NCs ที่ ที่ดีที่สุดของความรู้ของเรามีรายงานเกี่ยวกับการเตรียมการของ Cu2SnTe3 NCs ที่ดำเนินการโดยเส้นทางที่ใช้วิธีการแก้ปัญหา แม้ว่าผลึก Cu2SnTe3 ได้รับการสังเคราะห์ในอุณหภูมิสูงปฏิกิริยาของรัฐที่มั่นคง 10,11 นี้ใช้พลังงานมากและใช้เวลานานวิธีการมักจะส่งผลให้ผลิตภัณฑ์ที่มีความผิดปกติของขนาดใหญ่และกระจายตัวของขนาดและการก่อตัวรวมกันที่ไม่สามารถควบคุมซึ่งจะ จำกัด การใช้งานของพวกเขาที่มีศักยภาพ บนมืออื่น ๆ , การสังเคราะห์การแก้ปัญหาของดิชนิด FF ต่างกันของโลหะ Telluride NCs ส่วนใหญ่อาศัย alkylphosphines อากาศที่สำคัญ (เช่นด้านบนหรือ TBP) 1,12-14 ซึ่งเป็นอันตรายต่อสภาพแวดล้อม ดังนั้นในการสำรวจวิธีการที่เป็นพิษเป็นภัยต่อสิ่งแวดล้อมใหม่สำหรับการสังเคราะห์คุณภาพสูง Cu2SnTe3 NCs มีขนาด monodisperse และสม่ำเสมอเป็นที่น่าพอใจอย่างมาก โชคดีที่ความคืบหน้าล่​​าสุดแสดงให้เห็นว่าการสังเคราะห์ร้อนฉีดสามารถทำหน้าที่เป็นวิธีการที่หลากหลายสำหรับการเตรียมความพร้อมของ NCs ที่มีคุณภาพสูงและสม่ำเสมอ monodisperse size.1,13-16 นี้จะช่วยกระตุ้นให้เราสามารถสังเคราะห์ Cu2SnTe3 NCs ผ่านเช่นกลยุทธ์ร้อนฉีด .

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุปกรณ์เทอร์โม 3 − 5 โดยเฉพาะในหมู่เหล่านี้คอลลอยด์ ( NCS , ทองแดงโดย I2 − 4 − vi3 ประกอบไปด้วยสารประกอบ เช่น cu2sns3 cu2gese3 , และ cu2snse3 เนื่องจากมีช่องว่างแถบความต้านทานการดูดซึมแสง cients ffiโคสูงและหลุม mobilities6 − 8 ได้เดินทางศึกษาและประยุกต์ใน battery9 ลิเธียมไอออน อุปกรณ์พลังงานแสงอาทิตย์ 7 อย่างไรก็ตาม ในการเปรียบเทียบกับ cu2mx3 ( M = GE , SN , X = S , เซ ) , การสังเคราะห์และ monodisperse NCS cu2snte3 เครื่องแบบยังคงเป็นความท้าทายใหญ่ และดังนั้น คุณลักษณะเพิ่มเติมของพวกเขาและโปรแกรมจะยังถูกจำกัด เหตุผลที่เป็นไปได้อาจจะโกหกในการขาดง่ายและอ่อนโยนวิธีที่ใช้ต่อตรงกับสารตั้งต้นสำหรับการเจริญเติบโตของ NCS cu2snte3 เป็นเนื้อเดียวกัน เพื่อที่ดีที่สุดของความรู้ของเราไม่มีรายงานการเตรียมการของ NCS cu2snte3 แสดงโดยโซลูชั่นตามเส้นทาง แม้ว่า cu2snte3 ผลึกได้ถูกสังเคราะห์ในปฏิกิริยาที่อุณหภูมิสูงของ 10,11 , พลังงานนี้เข้มข้นและใช้เวลานานวิธีมักจะส่งผลให้เกิดผลิตภัณฑ์ปกติ ขนาดและการกระจายขนาดและไม่มีการควบคุมรวมการ , ซึ่งจะ จำกัด การใช้งานที่มีศักยภาพของพวกเขา บนมืออื่น ๆ , โซลูชั่นการสังเคราะห์ไดff erent ชนิดของ NCS เตลลูไรด์โลหะส่วนใหญ่อาศัยอากาศไว alkylphosphines ( เช่น ด้านบน หรือ tbp ) 1,12 − 14 ซึ่งเป็นอันตรายต่อสิ่งแวดล้อม ดังนั้น เพื่อสำรวจวิธีที่อ่อนโยนต่อสิ่งแวดล้อมใหม่สำหรับการสังเคราะห์ NCS cu2snte3 ที่มีคุณภาพสูงและ monodisperse ขนาดสม่ำเสมอเป็นที่น่าพอใจอย่างมาก โชคดีที่ความคืบหน้าล่าสุดพบว่า การสังเคราะห์ฉีดร้อน จะเป็นวิธีการที่หลากหลายสำหรับการเตรียมการของ NCS คุณภาพสูงด้วย monodisperse และขนาดสม่ำเสมอ 1,13 − 16 นี้กระตุ้นให้เราเพื่อสังเคราะห์ cu2snte3 NCS ผ่านเช่นฉีดร้อนกลยุทธ์