of operation was ∼4.8 W with a gap

of operation was ∼4.8 W with a gap distance of ∼7 mm. We placed the seed samples on the dielectric layer, exposing them to the cold plasma under airbased ambient conditions

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทำการแก้ไข ∼4.8 W ด้วยระยะช่องว่างของ ∼7 mm เราวางตัวอย่างเมล็ดพันธุ์บนชั้นฉนวน เปิดเผยพวกเขากับพลาสมาเย็นภายใต้สภาพแวดล้อม airbased

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ของการดำเนินงานเป็น ~4.8 W กับระยะทางที่ทำให้เกิดช่องว่างของ ~7 มม เราวางตัวอย่างเมล็ดพันธุ์ในชั้นอิเล็กทริกเปิดเผยให้พลาสม่าเย็นภายใต้สภาวะแวดล้อม airbased

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การดำเนินการอยู่∼ 4.8 W กับช่องว่างระยะห่างของ∼ 7 มิล เราวางเมล็ดตัวอย่างบนชั้น dielectric เปิดเผยพวกเขาพลาสมาเย็นภายใต้สภาวะแวดล้อม airbased