A p-type Si wafer with dopant conce

A p-type Si wafer with dopant concentration 1018 cm-3 was used as a model semiconducting material.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แผ่นเวเฟอร์ซิชนิด p dopant สมาธิ 1018 cm-3 ถูกใช้เป็นวัสดุเป็นตัวแบบจำลอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Si ชนิดพีเวเฟอร์ที่มีความเข้มข้นเจือปน 1,018 เซนติเมตร-3 ถูกนำมาใช้เป็นวัสดุรูปแบบสารกึ่งตัวนำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นเวเฟอร์ พีศรีกับโดพันท์ความเข้มข้น 1018 cm-3 แบบกึ่งตัวนำที่ใช้เป็นวัสดุ